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张天富

作品数:12 被引量:2H指数:1
供职机构:广东工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 8篇专利
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 6篇非晶
  • 6篇非晶薄膜
  • 4篇电极
  • 4篇介电
  • 4篇介电弛豫
  • 4篇开关比
  • 4篇弛豫
  • 3篇电阻
  • 3篇电阻开关
  • 2篇单晶
  • 2篇底电极
  • 2篇电极结构
  • 2篇电极效应
  • 2篇电子束蒸发
  • 2篇选择器
  • 2篇氧空位
  • 2篇整流特性
  • 2篇铁电
  • 2篇铁电材料
  • 2篇钛酸

机构

  • 12篇广东工业大学

作者

  • 12篇张天富
  • 11篇蒋艳平
  • 11篇唐新桂
  • 11篇刘秋香

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2019
  • 4篇2018
  • 1篇2017
  • 4篇2016
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种非晶薄膜器件以及制作方法
本发明公开了一种非晶薄膜器件以及制作方法,所述制作方法包括:提供一基底;在所述基底上形成第一电极结构;在所述第一电极结构背离所述基底的一侧形成非晶薄膜层;在所述非晶薄膜层背离所述第一电极结构的一侧形成第二电极结构;其中,...
汤卉唐新桂刘秋香蒋艳平张天富
一种非晶薄膜器件及其制备方法和应用
本发明属于薄膜器件技术领域,尤其涉及一种非晶薄膜器件及其制备方法和应用。本发明非晶薄膜器件包括:基底、第一电极结构、非晶薄膜层和第二电极结构;第一电极结构设置于基底上;非晶薄膜层设置在第一电极结构背离基底的一侧;第二电极...
汤卉唐新桂刘秋香蒋艳平张天富
铅基铁电材料氧空位相关的弛豫与铁电储能及电卡效应研究
缺陷是晶体材料中常见的一种状态,材料中最具有代表性的缺陷是氧空位(OVs)。OVs作为一种自掺杂(施主或者受主)对于材料的电学特性,尤其是介电性能起着举足轻重的影响。在钙钛矿结构铁电陶瓷材料中,尤其是含铅的陶瓷的制备过程...
张天富
关键词:氧空位介电弛豫储能
文献传递
一种非晶薄膜器件及其制备方法和应用
本发明属于薄膜器件技术领域,尤其涉及一种非晶薄膜器件及其制备方法和应用。本发明非晶薄膜器件包括:基底、第一电极结构、非晶薄膜层和第二电极结构;第一电极结构设置于基底上;非晶薄膜层设置在第一电极结构背离基底的一侧;第二电极...
汤卉唐新桂刘秋香蒋艳平张天富
文献传递
一种非晶钛酸锶薄膜器件及其制备方法
本发明提供了一种非晶钛酸锶薄膜器件的制备方法,包括:在基底表面旋涂底电极溶液后退火,形成底电极;在所述底电极表面旋涂钛酸锶溶液后进行烘烤,形成酸锶薄膜;将所述钛酸锶薄膜进行退火处理,形成非晶薄膜;在所述非晶薄膜表面进行电...
汤卉唐新桂刘秋香蒋艳平张天富
钛酸铅基陶瓷中缺陷有关的钉扎现象与介电特性研究
钛酸铅(PbTiO3)属于钙钛矿型铁电体,其居里温度为490℃,高于居里温度的顺电相空间点群为Pm3m,而低于居里温度的铁电相空间点群为P4mm.
唐新桂张天富刘秋香蒋艳平
关键词:介电弛豫
锆酸铅基反铁电材料铁电储能与介电弛豫特性研究
作者用溶胶凝胶发制备了(100)和(111)取向生长的PbZrO3 薄膜,通过改变烘胶温度来调控薄膜的取向生长.同时研究了薄膜的介电和铁电特性,其中旋涂三层的PbZrO3 薄膜获得了较大的储能密度25.25 J/cm3,...
张天富唐新桂刘秋香蒋艳平
关键词:介电弛豫
一种非晶钛酸锶薄膜器件及其制备方法
本发明提供了一种非晶钛酸锶薄膜器件的制备方法,包括:在基底表面旋涂底电极溶液后退火,形成底电极;在所述底电极表面旋涂钛酸锶溶液后进行烘烤,形成酸锶薄膜;将所述钛酸锶薄膜进行退火处理,形成非晶薄膜;在所述非晶薄膜表面进行电...
汤卉唐新桂刘秋香蒋艳平张天富
文献传递
用于交叉点内存阵列用的电阻开关与选择器共存器件及制备方法和应用
本发明属于半导体复合材料领域,公开一种用于交叉点内存阵列用的电阻开关与选择器共存器件及其制备方法和应用。本发明主要是建立在不同电极效应下的掺铌SrTiO<Sub>3</Sub>单晶形成的,通过引入不同的电极Ag和Au以及...
唐新桂张天富蒋艳平刘秋香
文献传递
钛酸锶基陶瓷的高温介电弛豫及电阻开关现象研究
钛酸锶基电子陶瓷是以SrTiO3 为基体的系列A 位或B 为掺杂的陶瓷材料。由于它们的介电损耗小、热稳定性好,一直以来得到了广泛的亲睐和应用。尤其是高质量的钛酸锶制造的高压电容器、晶界层电容器、压敏电阻、热敏电阻及其它电...
朱智唐新桂张天富刘秋香蒋艳平
关键词:SRTIO3陶瓷氧空位电阻开关
共2页<12>
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