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陈小青

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 7篇探测器
  • 6篇闪烁体
  • 6篇闪烁体探测器
  • 6篇探测率
  • 6篇抗辐射
  • 6篇抗辐射性
  • 6篇本征
  • 4篇核能
  • 2篇塑料闪烁体
  • 2篇硫化
  • 2篇硫化锌
  • 2篇辐照
  • 2篇Γ辐照
  • 1篇异质结
  • 1篇有机半导体
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨烯
  • 1篇无机晶体
  • 1篇晶体
  • 1篇光电

机构

  • 7篇西安电子科技...

作者

  • 7篇陈小青
  • 6篇张晨旭
  • 6篇郭辉
  • 6篇张玉明

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2017
  • 3篇2016
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
基于碳化硅PIN二极管结构的α辐照闪烁体探测器
本发明公开了一种基于碳化硅PIN二极管结构的α射线闪烁体探测器及其制作方法，主要解决现有技术探测率低、不利于集成、抗辐射性差的问题。本发明的碳化硅PIN二极管型α射线探测器自下而上包括N型欧姆接触电极(8)、N型SiC衬...
郭辉陈小青张玉明刘博睿张晨旭
基于碳化硅PIN二极管结构的γ辐照闪烁体探测器
本发明公开了一种基于碳化硅PIN二极管结构的γ射线闪烁体探测器及其制作方法，主要解决现有技术探测率低、不利于集成、抗辐射性差的问题。本发明的碳化硅PIN二极管型γ射线探测器自下而上包括N型欧姆接触电极(8)、N型SiC衬...
郭辉刘博睿张玉明陈小青张晨旭
超薄有机材料与二维无机晶体异质结构制备与相关器件性质研究
光电转换在现代社会中应用广泛。通过选择不同带隙的半导体材料可以构筑不同波段的光电子器件。二维材料由于种类丰富，电学和光学性质优异近年来被广泛应用于光电子器件中。然而由于二维材料的超薄特性，其绝对光吸收有限制约了其在光电领...
陈小青
关键词：有机半导体异质结石墨烯光电探测器
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基于碳化硅PIN二极管结构的α辐照闪烁体探测器
本发明公开了一种基于碳化硅PIN二极管结构的α射线闪烁体探测器及其制作方法，主要解决现有技术探测率低、不利于集成、抗辐射性差的问题。本发明的碳化硅PIN二极管型α射线探测器自下而上包括N型欧姆接触电极(8)、N型SiC衬...
郭辉陈小青张玉明刘博睿张晨旭
文献传递
基于碳化硅PIN二极管结构的β辐照闪烁体探测器
本发明公开了一种基于碳化硅PIN二极管结构的β射线闪烁体探测器及其制作方法，主要解决现有技术探测率低、不利于集成、抗辐射性差的问题。本发明的碳化硅PIN二极管型β射线探测器自下而上包括N型欧姆接触电极(8)、N型SiC衬...
郭辉刘博睿张玉明陈小青张晨旭
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基于碳化硅PIN二极管结构的γ辐照闪烁体探测器
本发明公开了一种基于碳化硅PIN二极管结构的γ射线闪烁体探测器及其制作方法，主要解决现有技术探测率低、不利于集成、抗辐射性差的问题。本发明的碳化硅PIN二极管型γ射线探测器自下而上包括N型欧姆接触电极(8)、N型SiC衬...
郭辉刘博睿张玉明陈小青张晨旭
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基于碳化硅PIN二极管结构的β辐照闪烁体探测器
本发明公开了一种基于碳化硅PIN二极管结构的β射线闪烁体探测器及其制作方法，主要解决现有技术探测率低、不利于集成、抗辐射性差的问题。本发明的碳化硅PIN二极管型β射线探测器自下而上包括N型欧姆接触电极(8)、N型SiC衬...
郭辉刘博睿张玉明陈小青张晨旭
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