樊玉勤
- 作品数：24 被引量：20H指数：3
- 供职机构：重庆科技学院更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金重庆市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术自动化与计算机技术化学工程更多>>
- 磁流变胶泥材料的磁控力学行为实验研究被引量：6
- 2014年
- 采用主要成分为高粘度线性聚硅氧烷的弹性胶泥为基体,制备了羰基铁粉质量分数为20%,40%和60%的磁流变胶泥.对磁流变胶泥的流变学特性和动态力学特性进行测试,描述了磁流变胶泥的本构关系并识别其参数,分析了磁场、铁粉含量、剪切应变以及剪切频率对粘弹性能的影响.结果表明,磁流变胶泥的本构关系能用Herschel-Bulkley模型进行描述;剪切应力、刚度的磁场可控范围宽（铁粉质量分数为60% 的磁流变胶泥剪切应力调节范围16-128kPa,储能模量可调范围0.52-3.28MPa）;随铁粉含量和磁场的增加,剪切应力增大、弹性增加而粘性减小;不同磁场下磁流变胶泥从线性粘弹性区向非线性粘弹性区转变的临界应变值不同,且磁场增大可拓宽线性粘弹性区的范围;在线性粘弹性区磁流变胶泥对0-80Hz频率无依赖性.
- 王芳芳廖昌荣周治江樊玉勤唐锐张登友
- 关键词：本构关系储能模量损耗因子磁流变效应
- 表面法向荷载和温度双参数检测系统
- 本发明公开了一种表面法向荷载和温度双参数检测系统，包括敏感单元、检测电路单元和处理电路单元；敏感单元包括具有压敏和温敏性质的柔性MRE传感层、设于柔性MRE传感层上表面的上电极层和设于柔性MRE传感层下表面的下电极层；检...
- 廖昌荣樊玉勤谢磊廖干良文慧张红辉
- 文献传递
- Cr掺杂浓度对AlN半金属性影响的第一性原理研究被引量：3
- 2010年
- 本文基于密度泛函理论的第一性原理方法,在广义梯度近似(GGA)下计算了掺杂过渡金属Cr原子后AlN晶体自旋极化的能带结构、分态密度等性质.结果表明,半金属能隙随着掺杂浓度的增大而减小.文中以掺杂浓度为12.5%的Cr—A1N(2×2×1)为例,分析了其自旋极化的能带结构、分态密度和磁矩等性质,发现Cr—3d电子对自旋向下子带导带底的能量位置起决定作用.随着掺杂浓度的增大,Cr原子间相互作用增强,Cr—3d能带向两边展宽,导致自旋向下子带导带底的能量位置下降,从而半金属能隙变窄.
- 樊玉勤王新强刘高斌王连轩胡凯燕
- 关键词：ALN半金属态密度
- 基于第一性原理的Mn-AlN和Cr-AlN的半金属性质被引量：3
- 2010年
- 基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,在广义梯度近似(GGA)下研究了纤锌矿Mn-AlN和Cr-AlN的能带结构、态密度与磁学等性质.结果表明,Mn-AlN和Cr-AlN的半金属能隙都随着杂质浓度的增大而减小.原因可能是随着Mn/Cr掺杂浓度的增大,杂质原子间相互作用增强,Mn/Cr 3d与N 2p杂化减弱,使得自旋交换劈裂变小,从而半金属能隙变窄.在同等掺杂浓度下,Mn-AlN比Cr-AlN的半金属能隙大.这是因为Mn 3d态能级比Cr 3d态能级低,Mn 3d与N 2p杂化更强,导致自旋交换劈裂更大,自旋向下子带的导带底相对远离费米能级,因此Mn-AlN的半金属能隙较大.
- 樊玉勤何阿玲
- 关键词：ALN过渡金属掺杂半金属态密度
- 一种大面积和图形化过渡金属硫化物薄膜的制备方法
- 本发明公开了一种大面积过渡金属硫化物薄膜的制备方法，大面积制备方法包括如下步骤：1)将过渡金属通过镀膜工艺沉积到衬底上形成过渡族金属薄膜；2)对过渡族金属薄膜进行硫化反应；所述过渡金属硫化物化学式为AB<Sub>2</S...
- 刘丰奎谭仁兵陈恒杰阳廷义樊玉勤方旺
- 文献传递
- 基于磁致变形橡胶的自愈合密封装置
- 本发明公开了一种基于磁致变形橡胶的自愈合密封装置，至少包括内层传统橡胶、添加了径向磁场的第一外层磁致变形橡胶、添加了轴向磁场的第二外层磁致变形橡胶和嵌装于两磁致变形橡胶内部并用于保持密封装置整体形态的环形骨架，内层传统橡...
- 廖昌荣孙凌逸赵慧婷樊玉勤
- 文献传递
- 磁流变弹性体的电容蠕变与恢复特性
- 近年来,基于柔性触觉传感器的电子皮肤在仿生机器人、人机交互等应用领域备受关注,其中压容式传感器因其性能优势(高灵敏度、受环境影响小等)而成为研究热点。灵敏度和量程是传感器的两个重要性能参数,两者一般为相互制约的对立关系。...
- 樊玉勤廖昌荣谢磊
- 关键词：磁流变弹性体压力传感器
- 3d3/3d7离子自旋哈密顿量研究及应用
- 方旺陈恒杰杨文艳樊玉勤陈学文董晓龙
- 对低对称晶体场中(斜方、三角和四角对称)基态为单态的过渡金属离子电子自旋共振(EPR)谱自旋哈密顿量和吸收光谱进行理论研究，旨在建立一套包括晶场机制和电荷转移机制在内的处理过渡金属离子自旋哈密顿量g因子、A因子、零场分裂...
- 关键词：
- 关键词：过渡金属离子电子结构
- Cr、Mn掺杂AlN和GaN半金属性质的第一性原理研究
- 自旋电子学是一门最新发展起来的涉及磁学、电子学以及信息学的交叉学科，它同时利用电子的电荷和自旋来进行信息的存储和处理。自旋电子器件与普通半导体电子器件相比具有非易失性、低功耗和高集成度等优点。目前的关键问题之一是要寻找具...
- 樊玉勤
- 关键词：GAN半导体自旋电子学
- 文献传递
- Ga_(2n)(n=1～4)团簇自旋极化机理的密度泛函理论研究被引量：3
- 2010年
- 利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,在广义梯度近似(GGA)下对Ga_(2n)(n=1～4)团簇进行了几何结构优化和结合能计算,并对其电子结构及成键特性进行了分析.结果表明,Ga_2,Ga_4团簇的基态都是自旋极化态,Ga_6团簇的能量局域极小的八面体结构也具有自旋极化;这些团簇的最外层分子轨道的空间分布是对称的,最外层分子轨道之间的能量相差很小,最外层分子轨道的近简并引起了自旋极化;对称性较高的团簇容易形成近简并的最外层分子轨道.
- 王连轩王新强樊玉勤刘高斌
- 关键词：密度泛函理论自旋极化
