陈万军
- 作品数：34 被引量：76H指数：4
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- GaN单片功率集成电路研究进展被引量：3
- 2021年
- GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件具有工作频率高、导通损耗小等优点,已经开始广泛应用在多种高频、高效功率转换器中,而拥有更高集成度的全GaN单片集成电路可进一步提高基于GaN HEMT器件功率变换器的性能。介绍了不同类型的全GaN集成工艺平台以及GaN功能子电路的研究进展,并对全GaN单片集成功率IC的研究现状进行了综述。
- 赖静雪陈万军孙瑞泽刘超张波
- 关键词：单片集成功率变换
- 绝缘栅双极型晶体管的研究进展
- 本文主要概述了绝缘栅双极型晶体管的演变历程以及主要技术发展，同时对我国绝缘栅双极型晶体管的发展现状进行了分析。
- 张金平张波徐中川常捷戴黎徐晓然杨文韬李泽宏任敏陈万军
- 关键词：功率半导体器件绝缘栅双极型晶体管
- 文献传递
- 基于VLD技术的MCT器件仿真分析
- 2014年
- 针对在脉冲功率领域有一定应用的栅控晶闸管(MCT)器件,提出了一种基于VLD(横向变掺杂)技术的MCT(VMCT)器件新工艺并通过仿真比较出新工艺的优势。VLD技术是指通过调整掩模版窗口的大小调节杂质掺杂浓度,进而优化MCT中NPN晶体管的电流放大系数a,通过仿真确定了新工艺的杂质注入剂量。仿真结果表明采用新工艺的VMCT器件比采用常规工艺MCT(CMCT)电流能力更强,是CMCT的2倍;和CMCT相比,VMCT器件的耐压和关断电压都保持不变,但是VMCT在工艺流程中比MCT节省一张掩模版。
- 阮建新陈万军孙瑞泽彭朝飞张波
- 关键词：MCT击穿电压
- 氮化镓功率半导体器件技术被引量：12
- 2010年
- 作为第三代半导体材料的典型代表,宽禁带半导体氮化镓(GaN)具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料,在民用和军事领域具有广阔的应用前景。随着GaN技术的进步,特别是大直径硅(Si)基GaN外延技术的逐步成熟并商用化,GaN功率半导体技术有望成为高性能低成本功率技术解决方案,从而受到国际著名半导体厂商和研究单位的关注。总结了GaN功率半导体器件的最新研究,并对GaN功率器件发展所涉及的器件击穿机理与耐压优化、器件物理与模型、电流崩塌效应、工艺技术以及材料发展等问题进行了分析与概述。
- 张波陈万军邓小川汪志刚李肇基
- 关键词：氮化镓功率器件击穿电压比导通电阻
- 基于能带调制模型的高压增强型AlGaN/GaN HFET器件
- 2012年
- 提出了一种能带调制模型,通过在异质结界面处引入负离子电荷(如氟离子)调制异质结处的局部能带分布,实现了对异质结界面处的高密度2DEG的改变。基于能带调制模型,提出了一种复合调制沟道AlGaN/GaNHFET器件。通过在增强型沟道调制区和RESURF调制区分别引入不同剂量的负离子,不仅实现了增强型器件,而且可以降低尖峰电场,优化异质结电场分布,提高器件击穿电压。通过器件仿真软件对其器件工作原理进行了模拟分析,并通过实验结果表明,其器件品质因子FOM由传统器件的4.8MW.cm-2提高到26.7MW.cm-2。
- 张竞陈万军汪志刚魏进张波
- 关键词：氮化镓异质结场效应晶体管增强型RESURF
- 表面电场对3DK9开关晶体管可靠性影响的研究被引量：1
- 2007年
- 针对3DK9开关晶体管在应用中出现表面漏电失效的具体案例进行分析研究。该器件的设计在基极场板边缘处同时出现金属化台阶和表面尖峰电场,这是影响器件可靠性的重要因素。针对原器件结构的缺陷,提出了一种新的器件结构,即采用结终端扩展技术代替基极场板。新结构不仅大大降低了表面尖峰电场,而且避免了金属化台阶与高电场出现在同一区域的情况,从而提高了器件可靠性。
- 司小江赵和义陈万军张波
- 关键词：表面电场可靠性开关晶体管
- 减小VDMOS密勒电容和反向恢复电荷的研究被引量：10
- 2005年
- 提出了在VDMOSFET中减小密勒电容和反向恢复电荷的一种新结构,该结构结合了肖特基接触和分段多晶硅栅的方法。数值分析仿真结果表明,在相同器件单元尺寸下,该结构优于常规VDMOSFET,密勒电容Cgd可减少73.25%,Qgd和导通电阻优值减小65.02%,显示出很好的QgdRds(on)改善性能;同时,反向恢复电荷减少了40.76%。
- 肖志强向军利衡草飞陈林曾天志陈万军张波
- 关键词：VDMOSFET栅电荷导通电阻
- 一种高di/dt栅控晶闸管的三重扩散工艺优化
- 2014年
- 传统栅控晶闸管(MCT)的制造工艺中存在阱区浓度调整与器件性能最大化之间的矛盾,提出了一种具有高电流上升率的制造工艺的优化,实现了具有更高正向电流能力与低阈值电压的MCT器件。结果表明该工艺制造的MCT在脉冲放电应用中电流上升率(di/dt)较传统工艺所制造的器件提高15%,最大工作温度降低33%,热逸散速度提高36%。
- 孙瑞泽陈万军彭朝飞阮建新张波
- 关键词：电流上升率脉冲放电
- 具有多等位环的高压屏蔽新结构MER-LDMOS耐压分析被引量：1
- 2006年
- 提出一种多等位环(multiple equipotential rings,MER)的高压屏蔽新结构MER-LDMOS,并解释了该结构的屏蔽机理,通过2D器件模拟验证了屏蔽机理的正确性.讨论了p-top剂量、等位环长度、等位环间距以及氧化层厚度对MER-LDMOS击穿电压的影响.结果表明MER-LDMOS突破常规LDMOS高压屏蔽的能力,击穿电压较常规LDMOS提高一倍以上;同时,该结构具有工艺简单、工艺容差大、反向泄漏电流小等优点,为高压集成电路中高压屏蔽的问题提供了一种新的解决方案.
- 陈万军张波李肇基
- 关键词：击穿电压LDMOS
- VNPN激光辐射效应模拟分析
- 2019年
- 通过仿真模拟脉冲激光对半导体器件光生载流子的影响,重点研究纵向NPN三极管(VNPN)的激光辐照效应。光照强度较小时,只有集电结反偏,而发射结处的光生电动势不足以抵消发射结的内建电势,发射结尚未开启,器件工作在以集电结为主的二极管模式;光照强度增加时,发射结逐渐开启,器件工作在三极管模式;光照强度进一步增大,由于外部限流电阻的作用,集电极电流达到饱和,器件工作在以发射结为主的二极管模式。因此,随着光照强度的增加,VNPN器件的激光辐射效应经历三个阶段,其响应曲线呈非线性变化。改变VNPN的尺寸和脉冲激光的参数,会影响器件进入三极管模式的临界点,改变非线性响应的触发光照强度,体现了器件对激光辐照效应的敏感性。
- 左慧玲高吴昊刘承芳夏云孙鹏孙鹏
- 关键词：激光辐照效应半导体器件非线性
