您的位置: 专家智库 > >

张天宁

作品数:11 被引量:5H指数:2
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金:中国科学院国防科技创新基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 8篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇理学

主题

  • 6篇纳米
  • 3篇电子器件
  • 3篇纳米电子
  • 3篇纳米电子器件
  • 2篇电池
  • 2篇多层结构
  • 2篇氧化物
  • 2篇氧化物纳米材...
  • 2篇原子层沉积
  • 2篇云母
  • 2篇硫化
  • 2篇硫化物
  • 2篇纳米材料
  • 2篇金属
  • 2篇金属硫化物
  • 2篇金属纳米
  • 2篇金属纳米颗粒
  • 1篇单脉冲
  • 1篇单质硫
  • 1篇等离子体

机构

  • 11篇中国科学院
  • 2篇中国科学院大...

作者

  • 11篇陈鑫
  • 11篇张天宁
  • 10篇戴宁
  • 6篇孙艳
  • 4篇张克难
  • 4篇王书霞
  • 3篇魏威
  • 2篇张云
  • 2篇陈志民
  • 2篇俞伟伟
  • 1篇叶振华
  • 1篇孙常鸿
  • 1篇赵强
  • 1篇张鹏
  • 1篇杨春红
  • 1篇孙鹏

传媒

  • 1篇红外
  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2017
  • 6篇2016
  • 2篇2015
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
厚度与带隙可调、原子层沉积的超薄五氧化二钒纳米晶薄膜(英文)被引量:2
2019年
利用原子层沉积方法制备V_2O_5纳米片晶薄膜.薄膜厚度可以被精确控制,并对纳米晶V_2O_5薄膜的结构形貌、光学带隙和拉曼振动有显著影响.原子层沉积过程中V_2O_5薄膜生长的两个阶段导致薄膜具有两个光学带隙,这将有助于理解超薄薄膜生长与功能应用.
张天宁王书霞王书霞魏威魏威陈鑫
关键词:原子层沉积五氧化二钒
一种硫化氢气体的半导体传感器及测试电路
本发明公开了一种硫化氢气体的半导体传感器及测试电路,其传感器的前驱体采用化学方法制备的三氧化钨纳米材料,然后在表面上修饰氧化铜纳米颗粒的复合结构。气敏元件采用旁热式结构,该器件在55℃时,其灵敏度为10<Sup>5</S...
俞伟伟赵强孙艳陈鑫张天宁戴宁
文献传递
一种具有高开路电压的生物太阳能电池
本发明公开了一种具有高开路电压的生物太阳能电池,其结构由透明导电衬底、金属氧化物纳米结构层、生物光敏化剂层、含氧化还原电对的电解质层和电极层组成。相对于传统生物敏化太阳能电池,该电池采用褐藻素或其复合物作为光敏化剂,具有...
张天宁陈鑫王书霞孙艳杨春红戴宁
文献传递
一种高光吸收的超薄钙钛矿光电转换膜结构
本发明公开了一种高光吸收的超薄钙钛矿光电转换膜结构,首先在透明导电衬底沉积金属纳米颗粒层,再沉积一层金属纳米颗粒,然后分别沉积一层致密氧化物和一层钙钛矿层,最后沉积金属或复合电极层。本发明的优点在于薄膜厚度可控,工艺简单...
孙鹏陈鑫张天宁魏威戴宁
文献传递
纳米材料与云母复合多层结构的制备方法
本发明公开了一种纳米材料与云母复合多层结构的制备方法。该方法用控制温度与时间使得云母分层,然后用气相沉积在云母层中制备厚度为2‑50纳米的氧化物反应物,最后用水热反应或高温气固反应过程获得金属硫化物或氧化物纳米材料与云母...
王书霞陈鑫陈志民张天宁孙艳戴宁
文献传递
基于金属纳米颗粒吸收膜系结构
本发明公开了一种基于金属纳米颗粒吸收膜系结构,在透明衬底上利用气相沉积或气相沉积结合退火工艺在介质薄膜层上生长金属颗粒无序分布层,其后采用气相沉积、液相沉积依次生长介质薄膜层、金属薄膜层。其中金属颗粒无序分布层中等效薄膜...
张云陈鑫孙艳张克难张天宁戴宁
文献传递
交替注入反应物生长单层和多层过渡金属硫化物的方法
本发明公开了一种交替注入反应物生长单层和多层过渡金属硫化物的方法。该方法使反应物交替进行沉积反应,通过控制反应温度与时间控制过渡金属硫化物生长的层数与面积,得到高质量的过渡金属硫化物的层状物。本发明的优点是:生长条件精确...
张天宁陈鑫张克难俞伟伟孙艳戴宁
文献传递
纳米材料与云母复合多层结构的制备方法
本发明公开了一种纳米材料与云母复合多层结构的制备方法。该方法用控制温度与时间使得云母分层,然后用气相沉积在云母层中制备厚度为2‑50纳米的氧化物反应物,最后用水热反应或高温气固反应过程获得金属硫化物或氧化物纳米材料与云母...
王书霞陈鑫陈志民张天宁孙艳戴宁
文献传递
制备大面积单层二硫化钨和二硫化钼结构的分步气相方法
本发明公开了一种制备大面积单层二硫化钨和二硫化钼结构的分步气相方法,制备方法分为两步:先用化学气相沉积、溅射法或热蒸发等方法在尺寸为1平方厘米到100平方厘米的硅、二氧化硅、碳化硅、三氧化二铝或二氧化钛等衬底上沉积厚度为...
魏威陈鑫张克难张天宁戴宁
文献传递
硫化锌薄膜的原子层沉积生长及表征被引量:3
2017年
为满足硫化锌(ZnS)薄膜在光学薄膜领域进一步应用的要求,基于原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)技术在130℃温度下以二乙基锌(DEZ)和硫化氢(H_2S)为反应源,在砷化镓(GaAs)衬底表面沉积了ZnS薄膜。用扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)分析了样品的表面形貌和膜界面特性,用X射线衍射仪(X-ray Diffraction,XRD)分析了薄膜的结构特性,并通过X射线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spectroscopy,XPS)分析了薄膜的化学成分.研究了厚度对薄膜结构和形貌的影响。结果表明,得到的ZnS薄膜为多晶结构,薄膜的厚度随循环数线性增加,速率为1.45A/cycle。对在75℃温度下烘烤48 h后的薄膜进行了XPS分析,得出的Zn/S比为1.07:1,表明烘烤除去了薄膜中残存的H_2S。以较短生长时间得到的较薄的薄膜具有更好的表面平整度和更致密的结构。
孙常鸿张鹏张天宁陈鑫叶振华
关键词:原子层沉积硫化锌
共2页<12>
聚类工具0