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刘林

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 6篇感器
  • 6篇传感
  • 6篇传感器
  • 4篇气体传感
  • 4篇气体传感器
  • 3篇牺牲层
  • 3篇半导体
  • 2篇单壁
  • 2篇单壁碳纳米管
  • 2篇电容式
  • 2篇电容式压力
  • 2篇电容式压力传...
  • 2篇压力传感器
  • 2篇异质结
  • 2篇制法
  • 2篇柔软
  • 2篇碳纳米管
  • 2篇轻薄
  • 2篇微结构
  • 2篇微球

机构

  • 10篇中国科学院

作者

  • 10篇张珽
  • 10篇刘林
  • 4篇李光辉
  • 2篇顾杨
  • 2篇李铁
  • 1篇吴永进

年份

  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于p-n异质结的自驱动气体传感器及其制作方法
本发明公开一种基于p-n异质结的自驱动气体传感器，其包括由半导体材料形成的基底、形成在基底上的绝缘层和第一金属电极层、形成在绝缘层上的第二金属电极层及形成在第二金属电极层上的单壁碳纳米管薄膜层，其中，所述绝缘层设置至少一...
张珽刘林李光辉
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半导体器件及其制作方法
本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面；电极，形成于所述衬底的第一表面上；MoS<Sub>2</Sub>层，覆盖于所述电极和衬底暴露的第一表面上。本发明提出将二维薄膜...
张珽刘银行管科杰孙富钦冯思敏刘林王颖异
铁电FET气体传感器及其制备与调控方法
本发明揭示了一种铁电FET气体传感器及其制备与调控方法，所述铁电FET气体传感器包括衬底、位于衬底上的栅极、位于栅极上的铁电体介电层、位于铁电体介电层上的气体敏感层、及位于气体敏感层上的源极和漏极，所述栅极上施加有脉冲栅...
张珽刘林王小伟冯思敏管科杰刘银行王颖异
气体传感器及其制作方法
本发明公开了一种气体传感器及其制作方法，该制作方法包括：在衬底的表面依次制作悬臂支撑层、图形化的加热电极、绝缘层和图形化的测试电极；在测试电极的表面覆盖一层牺牲层；围绕所述测试电极刻蚀所述绝缘层、悬臂支撑层和衬底，并在位...
张珽刘银行管科杰刘林冯思敏孙富钦王颖异
自驱动光探测器及其制备方法
本发明公开了一种自驱动光探测器，包括：衬底；设置于所述衬底上的光敏材料层，所述光敏材料层与所述衬底之间形成p-n异质结；其中，所述的光敏材料层的材料为还原氧化石墨烯；与所述衬底连接的第一电极和与所述光敏材料层连接的第二电...
张珽刘林李光辉
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具有微结构化的多相介电层电容式压力传感器及其制法
本发明公开了一种具有微结构化的多相介电层电容式压力传感器及制法，所述压力传感器包括：彼此相对设置的两个柔性电极，所述两个柔性电极彼此相对的两个相对面中的至少一个上具有由复数个凸起部和/或凹下部形成的微结构；以及，多相介电...
张珽罗袆李铁刘林顾杨
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制备氧化石墨烯薄膜和柔性非接触式电容传感器的方法
本发明提供一种制备氧化石墨烯薄膜的方法和一种利用该方法制备的氧化石墨烯薄膜作为介电层来制备柔性非接触式电容传感器的方法。制备氧化石墨烯薄膜的方法包括以下步骤：准备滤膜；制备其中均匀地分散有金属氢氧化物纳米材料的水溶液；在...
张珽刘林李光辉吴永进
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基于p‑n异质结的自驱动气体传感器及其制作方法
本发明公开一种基于p‑n异质结的自驱动气体传感器，其包括由半导体材料形成的基底、形成在基底上的绝缘层和第一金属电极层、形成在绝缘层上的第二金属电极层及形成在第二金属电极层上的单壁碳纳米管薄膜层，其中，所述绝缘层设置至少一...
张珽刘林李光辉
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具有微结构化的多相介电层电容式压力传感器及其制法
本发明公开了一种具有微结构化的多相介电层电容式压力传感器及制法，所述压力传感器包括：彼此相对设置的两个柔性电极，所述两个柔性电极彼此相对的两个相对面中的至少一个上具有由复数个凸起部和/或凹下部形成的微结构；以及，多相介电...
张珽罗袆李铁刘林顾杨
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二维薄膜材料的转移方法
本发明公开了一种二维薄膜材料的转移方法，包括以下步骤：衬底上负载二维薄膜材料的一面覆盖一层高分子牺牲层，得到多层结构；将所述多层结构置于刻蚀溶液中，刻蚀所述衬底，使所述衬底与二维薄膜材料以及高分子牺牲层相分离；将去除了所...
张珽管科杰冯思敏王小伟刘银行孙富钦刘林王颖异
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