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刘彬

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：中国兵器工业集团更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文专利

主题

  • 4篇电路
  • 3篇读出电路
  • 3篇时钟
  • 3篇时钟频率
  • 3篇片上系统
  • 3篇片上系统设计
  • 3篇转换电路
  • 3篇系统设计
  • 3篇像素
  • 3篇像素级
  • 3篇像元
  • 1篇登记
  • 1篇电路版图
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子迁移率
  • 1篇制作方法
  • 1篇数据文件
  • 1篇图片
  • 1篇图片文件
  • 1篇迁移率

机构

  • 5篇中国兵器工业...

作者

  • 5篇刘彬
  • 4篇戴放
  • 4篇沈吉
  • 4篇吕江萍
  • 3篇白涛
  • 3篇李秋利
  • 3篇周曦
  • 3篇刘成玉
  • 1篇陈超
  • 1篇徐叔喜
  • 1篇王丽丽
  • 1篇刘霞

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2015
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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一种像素级的高精度幅度时间转换电路
本实用新型公开了一种像素级的高精度幅度时间转换电路。本实用新型实现一种像素级的高精度幅度时间转换电路，即读出电路内部每个像元内集成了一个幅度时间转换电路，因此，在一次探测中，所有像元均可给出不同回波信号的强度信息。本实用...
白涛吕江萍刘成玉戴放李秋利沈吉刘彬周曦程飞
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一种像素级的高精度幅度时间转换电路
本发明公开了一种像素级的高精度幅度时间转换电路。本发明实现一种像素级的高精度幅度时间转换电路，即读出电路内部每个像元内集成了一个幅度时间转换电路，因此，在一次探测中，所有像元均可给出不同回波信号的强度信息。本发明的幅度时...
白涛吕江萍刘成玉戴放李秋利沈吉刘彬周曦程飞
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一维硫硒化镉半导体纳米线的制备方法、纳米线及器件
本发明公开了一种一维硒化镉半导体纳米线的制备方法，包括：在衬底上沉积一金属催化剂薄膜；在保护气存在下，均匀混合硫化镉和硒化镉；将沉积催化剂薄膜的衬底和混合的硫化镉与硒化镉进行加温，通过化学气相沉积方法得到纳米线。采用化学...
戴放沈吉刘彬常维静徐叔喜王仕鑫
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一种集成电路布图登记所需图层的制作方法
本发明公开了一种集成电路布图登记所需图层的制作方法，包括以下步骤：将集成电路版图的gds格式数据文件导入打平；选择具有工艺特征的某一图层，将该层打印成1个电子文档文件；依次设置图片文件页面的页边距，去掉与版图图形无关的图...
吕江萍杨林敏刘彬刘霞王丽丽陈超
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一种像素级的高精度幅度时间转换电路
本发明公开了一种像素级的高精度幅度时间转换电路。本发明实现一种像素级的高精度幅度时间转换电路，即读出电路内部每个像元内集成了一个幅度时间转换电路，因此，在一次探测中，所有像元均可给出不同回波信号的强度信息。本发明的幅度时...
白涛吕江萍刘成玉戴放李秋利沈吉刘彬周曦程飞
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