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王颖

作品数:6 被引量:14H指数:2
供职机构:北京大学信息科学技术学院微米纳米加工技术国家重点实验室更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术机械工程更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇芯片
  • 2篇键合
  • 2篇共晶键合
  • 1篇双层膜
  • 1篇驻极体
  • 1篇自对准
  • 1篇微电子
  • 1篇微机械
  • 1篇微机械电子系...
  • 1篇芯片测试
  • 1篇键合强度
  • 1篇光刻
  • 1篇ODI
  • 1篇PECVD
  • 1篇SI
  • 1篇
  • 1篇
  • 1篇EEACC
  • 1篇FABRIC...
  • 1篇MEMS

机构

  • 6篇北京大学

作者

  • 6篇李婷
  • 6篇王颖
  • 4篇张大成
  • 3篇田大宇
  • 3篇闫桂珍
  • 2篇王玮
  • 2篇王翔
  • 1篇吕知秋
  • 1篇贾玉斌
  • 1篇金玉丰
  • 1篇董海峰
  • 1篇张锦文
  • 1篇郝一龙
  • 1篇陈治宇

传媒

  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇第五届全国微...
  • 1篇中国微米/纳...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2004
  • 2篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇2001
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种Au-Si键合强度检测结构与试验
设计了一种Au-Si键合强度检测结构.通过对一组不同尺寸压臂式测试结构的检测,可以由结构尺寸半定量地折算出键合面的键合强度;采用同一结构尺寸,可以比较不同条件下键合强度的相对大小;此结构还可用于其它类型键合强度的比较和测...
王翔李婷王玮王颖田大宇张大成
关键词:共晶键合芯片测试键合强度
文献传递
PECVDSiO_2/Si_3N_4双层膜驻极体性能被引量:1
2008年
本文研究了在带有Cr/Au电极的玻璃衬底上利用PECVD制备的SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能。针对这种驻极体提出了一个简单的工艺流程暴露出一部分金属电极,并在电晕注极过程中将底电极引出接地。通过实验改变电晕注极过程中的注极时间、温度等因素,希望得到对PECVD制备的SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能的优化。本文证实了PECVD双层膜具备良好的驻极体性能,有望广泛应用于微器件中。
陈治宇吕知秋张锦文金玉丰李婷田大宇王颖
关键词:驻极体PECVD
Fabrication and Characterization of Tunneling Current of Anodic Bonded Dry-Etched MEMS Tunneling Accelerometer被引量:1
2004年
A tunneling accelerometer is fabricated and characterized based on the extension of the silicon-glass anodic-bonding and deep etching releasing process provided by Peking University.The tunneling current under open loop operation is tested in the air by HP4145B semiconductor analyzer,which verifies the presence of tunneling current and the exponential relationship between tunneling gap and tunneling current.The tunneling barrier is extrapolated to be from 1.182 to 2.177eV.The threshold voltages are tested to be 14~16V for most of the devices.The threshold voltages under -1,0,and +1g are tested,respectively,which shows the sensitivity of the accelerometer is about 87mV/g.
董海峰郝一龙贾玉斌闫桂珍王颖李婷
关键词:ACCELEROMETER
一种Au-Si键合强度检测结构与试验被引量:3
2003年
设计了一种Au Si键合强度检测结构。通过对一组不同尺寸压臂式测试结构的检测 ,可以由结构尺寸半定量地折算出键合面的键合强度 ;采用同一结构尺寸 ,可以比较不同条件下键合强度的相对大小 ;此结构还可用于其它类型键合强度的比较和测试。通过压臂法检测了Au Si键合强度 。
王翔李婷王玮王颖田大宇张大成
关键词:共晶键合芯片
金属剥离与衬底腐蚀等平面自对准OHR技术研究被引量:9
2002年
开发了一套OHR(OverhangResist)技术。在原来剥离工艺的基础上,增加苯处理和高温烘烤工艺,使光刻胶掩膜既保持有利于剥离的形状,腐蚀时又不发生钻蚀,完成自对准腐蚀与等平面的金属剥离。这一技术可以广泛地应用于MEMS和集成电路加工工艺中,使器件工艺简化,降低成本,提高质量。
闫桂珍张大成李婷王颖
关键词:微电子
一种新型的金属剥离技术研究
提出了一种用于MEMS工艺的DRT金属剥离新技术.采用双层普通正性光刻胶,两次曝光,再用甲苯处理,使光刻胶断面上宽下窄,表面呈倒角悬垂.淀积金属后,用丙酮作剥离液,不需要加速超声波振动,很容易地完成金属剥离.
闫桂珍张大成李婷王颖
关键词:光刻微机械电子系统
文献传递
共1页<1>
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