洪瑞华
- 作品数：4 被引量：6H指数：1
- 供职机构：国立中兴大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学更多>>
- 丝带式麦克风的声电转换芯片
- 本发明提供丝带式麦克风的声电转换芯片，以半导体制程与微机电技术制成并包含一层支撑框、一层形成在支撑框上用以将声能转换成可输出应用的感应电动势的响应单元，响应单元具有一层绝缘的振膜及形成在振膜上且可导电的音圈膜，特别的是，...
- 洪瑞华张昭智柯铭礼陈冠位蔡燿丞
- 文献传递
- 蓝宝石衬底上生长的Ga_(2+x)O_(3-x)薄膜的结构分析被引量：6
- 2013年
- 利用卢瑟夫背散射/沟道技术和金属有机化学气相沉积方法,对蓝宝石衬底上在不同温度、压强下生长的Ga2+xO3-x薄膜进行结构和结晶品质的测量与分析;并结合高分辨X射线衍射分析技术,通过对其对称(02)面的θ—2θ及ω扫描,确定了其结构类型及结晶品质.实验表明:在相同的生长温度(500°C)下,结晶品质随压强的下降而变好,生长压强为15Torr(1Torr=133.322Pa)的样品其结晶品质最好,沿轴入射之比χmin值为14.5%;在相同的生长压强(15Torr)下,结晶品质受生长温度的影响不大,所以,生长温度不是改变结晶品质的主要因素;此外,在相同的生长条件下制备的样品,分别经过700,800和900°C退火后,其结晶品质随退火温度的变化而变化.退火温度为800°C的样品的结晶品质最好,χmin值为11.1%;当退火温度达到900°C时,样品部分分解;经热处理的样品其X射线衍射谱中有一个强的Ga2O3(02)面衍射峰,其半峰全宽为0.5,表明该Ga2O3外延膜是(02)择优取向.
- 潘惠平成枫锋李琳洪瑞华姚淑德
- 关键词：氧化镓X射线衍射
- 低表面缺陷密度的外延基板及其制造方法
- 一种低表面缺陷密度的外延基板及其制造方法，该制造方法先自一层晶格不匹配的基材侧向外延，形成一层具有多个缺陷处且表面缺陷降低的第一外延层，再自该第一外延层的平面进行缺陷选择性蚀刻，将所述缺陷处蚀刻出多个第一凹洞，使该第一外...
- 武东星洪瑞华谌思廷蔡宗晏吴学维
- 文献传递
- 丝带式麦克风的声电转换芯片
- 本发明提供丝带式麦克风的声电转换芯片，以半导体制程与微机电技术制成并包含一层支撑框、一层形成在支撑框上用以将声能转换成可输出应用的感应电动势的响应单元，响应单元具有一层绝缘的振膜及形成在振膜上且可导电的音圈膜，特别的是，...
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