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关童

作品数:1 被引量:1H指数:1
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇拓扑绝缘体
  • 1篇绝缘体
  • 1篇BI
  • 1篇磁阻
  • 1篇SB

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇李永庆
  • 1篇吴克辉
  • 1篇滕静
  • 1篇关童

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2015
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
拓扑绝缘体(Bi_(0.5)Sb_(0.5))_2Te_3薄膜中的线性磁阻被引量:1
2015年
本文报道了拓扑绝缘体(Bi0.5Sb0.5)2Te3薄膜中线性磁阻问题的系统性研究工作.此体系中,线性磁阻在很宽的温度和磁场范围内出现:磁场高达18 T时磁阻仍没有饱和趋势,并且当温度不高于50 K时,线性磁阻的大小对温度的变化不敏感.栅压调控化学势可明显改变线性磁阻的大小.当化学势接近狄拉克点时,线性磁阻最为显著.这些结果说明电荷分布的不均匀性是引起该材料线性磁阻的根源.
关童滕静吴克辉李永庆
关键词:拓扑绝缘体
共1页<1>
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