2024年12月3日
星期二
|
欢迎来到维普•公共文化服务平台
登录
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
关童
作品数:
1
被引量:1
H指数:1
供职机构:
中国科学院物理研究所
更多>>
发文基金:
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
更多>>
相关领域:
理学
更多>>
合作作者
滕静
中国科学院物理研究所
吴克辉
中国科学院物理研究所
李永庆
中国科学院物理研究所
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
1篇
中文期刊文章
领域
1篇
理学
主题
1篇
拓扑绝缘体
1篇
绝缘体
1篇
BI
1篇
磁阻
1篇
SB
机构
1篇
中国科学院
作者
1篇
李永庆
1篇
吴克辉
1篇
滕静
1篇
关童
传媒
1篇
物理学报
年份
1篇
2015
共
1
条 记 录,以下是 1-1
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
拓扑绝缘体(Bi_(0.5)Sb_(0.5))_2Te_3薄膜中的线性磁阻
被引量:1
2015年
本文报道了拓扑绝缘体(Bi0.5Sb0.5)2Te3薄膜中线性磁阻问题的系统性研究工作.此体系中,线性磁阻在很宽的温度和磁场范围内出现:磁场高达18 T时磁阻仍没有饱和趋势,并且当温度不高于50 K时,线性磁阻的大小对温度的变化不敏感.栅压调控化学势可明显改变线性磁阻的大小.当化学势接近狄拉克点时,线性磁阻最为显著.这些结果说明电荷分布的不均匀性是引起该材料线性磁阻的根源.
关童
滕静
吴克辉
李永庆
关键词:
拓扑绝缘体
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张