刘晓静
- 作品数：7 被引量：4H指数：1
- 供职机构：陕西师范大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金能源基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学文化科学电气工程电子电信更多>>
- EQCM在电化学领域中的研究进展被引量：1
- 2015年
- 电化学石英晶体微天平(Electrochemical Quartz Crystal Microbalance,EQCM)技术,在进行电化学测量的同时能够得到质量方面的信息,具有其他方法无法比拟的优越性。主要综述了EQCM在电化学合成、电化学沉积与溶解、电极表面吸附与解吸、电极界面修饰膜等方面的研究现状。
- 徐竹刘晓静
- 关键词：电化学石英晶体微天平EQCM
- 多层Ge纳米晶镶嵌Si基薄膜制备与光学特性
- 2012年
- 采用超晶格方法,利用射频磁控共溅射及在N2气氛中退火技术,制备了多层Ge纳米晶(Ge-ncs)镶嵌Si基复合薄膜(Ge-ncs+SiO2/GeO2).同时采用椭圆偏振光谱法,研究了Ge-ncs的光学性质,并用sp3紧束缚理论模式,解释了Ge-ncs带隙宽化现象.结果表明:用超晶格方法制备的多层Ge-ncs具有密度高、尺寸和位置分布均匀的优点,纳米晶平均尺寸为9.8nm.复合薄膜(Ge-ncs+SiO2/GeO2)具有正常色散的特性,且在1 340nm处具有较强烈的吸收特性;Ge-ncs的光学带隙为0.82eV,与块体Ge材料相比,Ge-ncs吸收谱显示出0.16eV的带隙宽化.这种现象主要是由Ge-ncs中的量子限制效应导致的,采用sp3紧束缚理论模式可得到很好解释.
- 刘晓静高斐赵卓斋孙文超张君善宋美周李宁
- 关键词：磁控溅射光学特性量子限域效应
- nc-Si∶(Al_2O_3＋SiO_2)复合膜的制备及其热电特性
- 2010年
- 采用真空热蒸发技术在石英玻璃衬底上蒸镀约400 nm的铝膜,并在空气中580℃的条件下退火1 h。在退火过程中Al与石英中的SiO2反应形成纳米硅nc-Si∶（Al2O3＋SiO2）复合膜。利用X射线衍射（XRD）、拉曼散射（Raman）及扫描电镜（SEM）等方法研究了薄膜的结构特性。测得膜厚约为760 nm,估算出薄膜中纳米硅（nc-Si）的平均尺寸约为25 nm。实验发现该nc-Si∶（Al2O3＋SiO2）复合膜有热电特性,研究了其电阻率及Seebeck系数随温度（293-413 K）的变化关系,在293 K和413 K该薄膜的Seebeck系数分别约为-624μV/K和-225μV/K。
- 郝培风高斐苗锟刘立慧孙杰权乃承刘晓静张君善
- 关键词：热电薄膜热蒸发SEEBECK系数
- 铝膜表面周期性纳米坑织构的制备
- 2013年
- 采用一次阳极氧化铝的方法分别在草酸、磷酸和柠檬酸溶液中制备了多孔阳极氧化铝膜,腐蚀掉铝片表面的氧化铝膜,铝片表面留下周期性纳米坑织构.利用扫描电子显微镜分析不同阳极氧化条件下铝膜的表面形貌,结果表明:铝片表面有序的六角阵列的纳米坑形成,坑的孔径大小随阳极氧化电压的升高而增大.铝片阳极氧化电压为300V,在浓度为4%柠檬酸中氧化2h,坑孔径达到785nm.使用光散射仪测量样品的光散射谱并研究样品对光的散射特性,散射光的强度随着散射角的增大而减小,铝膜表面纳米坑孔径越大对光散射越强.
- 宋美周高斐刘生忠李宁刘晓静杨波
- 关键词：多孔氧化铝膜阳极氧化光散射
- CuO薄膜的制备及其光伏特性被引量：3
- 2012年
- 通过反应磁控溅射在n型硅和玻璃衬底上制备了p型CuO薄膜.使用X射线衍射仪和紫外-可见光-近红外光度计研究了p型CuO薄膜的结构和光学特性,得出其平均晶粒尺寸和光学带隙分别为8nm和1.36eV.通过研究其电压-电流关系确定了在p型CuO薄膜和n型硅衬底之间形成了p-n结.在AM 1.5光照条件下p-CuO/n-Si电池的开路电压为0.33V,短路电流密度为6.27mA/cm2,填充因数和能量转化效率分别为0.2和0.41%.
- 张君善郭林肖高斐刘晓静宋美周李宁
- 关键词：磁控溅射P-N结光伏特性
- 非均匀的纳米晶硅(nc-Si)薄膜的横向热伏效应
- 2010年
- 采用磁控溅射技术在石英衬底上沉积1层200nm厚的非晶硅(a-Si)薄膜,并用真空热蒸发在其上沉积两个横向接触的厚度不同(分别为50和100nm)的Al膜。将已沉积好的薄膜在N2气氛中600℃下退火45min,得到两个横向接触的具有不同晶化程度的纳米晶硅(nc-Si)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)研究了所制备样品的结构特性。由较厚Al膜诱导的nc-Si薄膜的Si晶粒平均尺寸为25nm,晶化率为56%;由较薄Al膜诱导的nc-Si薄膜的Si晶粒平均尺寸为15nm,晶化率为23%。实验发现在没有温度梯度的情况下,这两个不同晶化程度的nc-Si薄膜之间具有横向热伏效应。温度为273K时,其开路电压为1.2mV,短路电流为40nA;当温度达到373K时,其开路电压达到25mV,短路电流达到1.171μA。
- 刘立慧高斐郝培风刘晓静张君善权乃承孙杰
- 关键词：开路电压短路电流
