随着发光二极管(Light Emitting Diode,LED)应用需求的增加,对其电子束辐照效应的研究是目前的热点,因此需要设计一个数据获取系统,实时监测发光二极管性能参数在辐照过程中的变化。利用小电流计、功率计、光谱仪、低压电源等设备完成系统硬件搭建,以Lab VIEW为开发平台完成了对串行通讯接口RS-232、通用串行总线(Universal Serial Bus,USB)和局域网(Local Area Network,LAN)三种接口通信协议的软件实现,并进行数据存储和显示,在局域网内利用远程桌面连接实现远程监测。利用该系统完成了在1.5 Ge V电子束辐照过程中对Ga N光电特性参数和环境参数的实时采集、存储和显示。
应用电子束辐照可以揭示载流子注入的半导体器件的电子注入对残余杂质和结构性缺陷的效应影响,对辐照引起改性的研究也十分重要。本文主要研究1.5Me V电子加速器、3Me V电子加速器、7.5Me V电子加速器、7.5Me V电子加速器X射线转靶几种电子束辐照对Al Ga In P材料LED发光性能的影响,并应用PL谱对比分析不同能量和剂量的电子束辐照对Al Ga In P材料LED外延片的辐照效应。在发光强度的变化上,在10k Gy剂量以下的1.5Me V电子束辐照和5k Gy剂量以下的3Me V电子束辐照下,辐照效应使发光强度增强,并随着剂量的增加,发光强度逐渐降低。本实验结果将被用于指导Al Ga In P材料LED的辐照改性实验。
