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唐叔贤

作品数：3 被引量：4H指数：1
供职机构：香港大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇半导体
  • 2篇LEED
  • 1篇低能电子
  • 1篇低能电子衍射
  • 1篇电子衍射
  • 1篇衍射
  • 1篇遗传算法
  • 1篇原子
  • 1篇原子结构
  • 1篇碳化硅
  • 1篇SI(111...
  • 1篇硅
  • 1篇6H-SIC
  • 1篇GA

机构

  • 3篇香港大学
  • 2篇华南建设学院
  • 2篇中山大学
  • 1篇浙江大学

作者

  • 3篇唐叔贤
  • 2篇徐耕
  • 2篇邓丙成
  • 1篇唐景昌
  • 1篇何江平

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇浙江大学学报...

年份

  • 2篇2001
  • 1篇2000
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
遗传算法在低能电子衍射结构分析中的应用
2000年
提出了一种在低能电子衍射 ( LEED)结构分析中自动搜寻最佳模型的优化方法——遗传算法和张量 LEED相结合的联合方法 .这种新方法的特点是能在全部参数变化范围内自动搜寻 ,避免了陷入“局域”优化模型的困难中 .本文给出了这一方法的应用实例 。
何江平唐景昌唐叔贤
关键词：遗传算法低能电子衍射LEED
Si(111)-(3^(1/2)×3^(1/2))R30°-Ga表面原子结构
2001年
利用自动张量低能电子衍射 (ATL EED)定量地研究 Si(111) - (3× 3) R30°- Ga重构表面的原子结构 .证实了 Ga原子吸附在 T4位即第二层 Si原子所对的空位上 ,同时给出了表面最顶层 7个原子层的详细坐标 .可靠性因子 RVHT=0 .143表明理论计算和实验符合得非常好 .
邓丙成徐耕陈文华何永健谢茂海唐叔贤
关键词：原子结构硅电子衍射半导体
ATLEED研究6H-SiC(0001)(3^(0.5)×3^(0.5))R30°重构表面被引量：4
2001年
低能电子衍射 (LEED)对 6H SiC(0 0 0 1) (3× 3)R30°表面的研究结果表明 ,该表面有 1/3单层的Si原子吸附在T4 空位上与第一个SiC复合层中的三个Si原子键接 ,它们之间的垂直距离为 0 171nm .通过对该表面 10个非等价垂直入射衍射束的自动张量低能电子衍射 (ATLEED)计算 ,得到“最佳结构”由于表面SiC复合层堆积顺序不同而产生的三种表面终止状态 (surfacetermination)的混合比例为S1∶S2∶S3 =15∶15∶70 ,理论计算与实验I V曲线比较得到可靠性因子RVHT=0 .16 5 ,RP=0 .142 。
邓丙成陈滢徐耕陈文华何永健谢茂海唐叔贤
关键词：LEED碳化硅半导体
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