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束伟民

作品数：3 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇异质结
  • 2篇双极晶体管
  • 2篇晶体管
  • 2篇HBT
  • 1篇异质结双极晶...
  • 1篇组件
  • 1篇微波
  • 1篇功率
  • 1篇功率测量
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  • 1篇峰值功率
  • 1篇峰值功率测量
  • 1篇AL
  • 1篇ALGAIN...
  • 1篇GA
  • 1篇P

机构

  • 3篇中国科学院上...

作者

  • 3篇夏冠群
  • 3篇束伟民
  • 2篇张兴宏
  • 2篇顾伟东
  • 2篇吴杰
  • 1篇郭方敏
  • 1篇李小卫
  • 1篇程知群

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇电子学报
  • 1篇＇99工业仪...

年份

  • 3篇1999
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
Al_(0.3)Ga_(0.22)In_(0.48)P/GaAsHBT高温特性的研究
1999年
本文研制了Al03Ga022In048P/GaAs高温HBT器件,详细地研究了器件在300K～623K范围内HBT的直流电学特性.结果表明Al03Ga022In048P/GaAsHBT器件具有良好的高温特性,在300K～623K温度范围内,动态电流增益变化小于10%.Al03Ga022In048P/GaAsHBT可工作至623K,工作温度超过623K后,器件就不能正常工作,经分析发现导致HBT失效的直接原因是BC结短路.BC结短路的机制有待今后进一步探讨.
吴杰夏冠群束伟民顾伟东张兴宏P.A.Houston
关键词：异质结双极晶体管HBT
四元系AlGaInP为发射极异质结双极晶体管研究被引量：4
1999年
本文对ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）进行了研究．设计并制备了ＡｌＧａＩｎＰ为发射极的叉指结构ＨＢＴ器件．研究结果表明，ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓＨＢＴ具有较高的电流增益和较好的温度特性．同时，由于对ＡｌＧａＩｎＰ和ＧａＡｓ腐蚀选择性大，因而工艺简单、重复性好．
程知群孙晓玮束伟民张兴宏顾伟东夏冠群
关键词：HBT双极晶体管异质结发射极
微波峰值功率分析仪探头的关键器件-PDBD组件的研究
主要介绍普遍应用于微波测量系统的峰值功率分析仪探头的关键部件驶低势垒（LBS）二极管组件的工作原理，并详细描述新型器件一平面掺杂势垒（PDB）二级管组件的结构、原理及与LBSD相比的优越性能。
郭方敏吴杰束伟民李小卫夏冠群
关键词：峰值功率测量
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