韩晓英
- 作品数：4 被引量：9H指数：1
- 供职机构：中国兵器工业第五二研究所更多>>
- 相关领域：电气工程理学电子电信一般工业技术更多>>
- 纳米ZnO薄膜掺磷、硼的电学性能研究被引量：9
- 2003年
- 用扫描俄歇探针研究了掺杂磷、硼对纳米ZnO薄膜电学性能的影响。结果表明 ,ZnO薄膜掺入磷或硼后 ,可以显著降低薄膜电阻 ;改变扩散温度可以改变磷、硼浓度 ,从而改变Zn/O化学计量比 ,Zn/O化学计量比越大 ,薄膜电阻越小 ;掺磷或硼的ZnO薄层电阻最低值时的扩散温度分别为 85 0℃和 80 0℃。
- 王文青陈晓伟高军韩晓英宋淑芳赵金茹
- 关键词：掺磷俄歇分析纳米ZNO薄膜电学性质掺硼氧化锌薄膜
- 掺P、B对纳米Zn-0薄膜电学特性的影响
- 2002年
- 王文青宋淑芳艾家和韩晓英赵金茹许宏飞史利军
- 关键词：电学特性掺硼掺磷
- 纳米ZnO薄膜掺磷和硼的俄歇分析
- 用扫描俄歇探针研究了掺杂磷、硼对纳米ZnO薄膜电学性能的影响。结果表明,ZnO薄膜掺入磷或硼后,可以显著降低薄膜电阻。改变扩散温度可以改变磷、硼浓度,从而改变Zn/O化学计量比,Zn/O化学计量比越大,薄膜电阻越小;掺磷...
- 王文青艾家和高军韩晓英宋淑芳赵金茹
- 关键词：俄歇分析纳米ZNO薄膜电学性质
- 文献传递
- 掺P、B对纳米Zn-0薄膜电学特性的影响
- 王文青宋淑芳艾家和韩晓英赵金茹许宏飞史利军
- 文献传递
