宋力刚
- 作品数：8 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖北省教育厅科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信核科学技术更多>>
- 半导体材料微结构的正电子湮没谱学研究
- 正电子湮没谱学技术在研究材料内微观缺陷、微观结构相较于其他谱学分析技术有着独特的优势，在研究阳离子空位等负电性空位型缺陷方面，可获取材料内部微观缺陷的种类与分布信息。正电子湮没寿命和多普勒展宽能谱在半导体材料内的空位缺陷...
- 曹兴忠宋力刚张仁刚王宝义魏龙
- 关键词：半导体微观结构
- 硫化反应生长ZnS薄膜的结构和光学性能研究
- 2016年
- 以物理气相沉积中的溅射和蒸发方法,在玻璃衬底上沉积Zn/S/Zn三层膜结构,然后在1atm压力的Ar气氛中退火制备ZnS薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见透射光谱对ZnS薄膜的晶体结构和光学性质及其生长机理进行研究。结果表明,在450℃温度下退火时,三层膜结构中高活性Zn和S容易发生硫化反应,形成的ZnS薄膜为立方晶体结构,沿(111)晶面择优生长;其ZnS特征吸收边出现在350nm附近,在可见光波长范围内,ZnS薄膜具有约80%的透光率;在450℃温度下退火后再于550℃温度下退火,所制ZnS薄膜的结晶性得到进一步提高。
- 李英龙张仁刚宋力刚卓雯陈书真
- 关键词：ZNS薄膜溅射透光率晶体结构硫化反应
- 正电子湮没谱学研究半导体材料微观结构的应用进展被引量：4
- 2017年
- 正电子湮没谱学技术在研究材料微观缺陷、微观结构方面有着独特的优势,尤其是在针对阳离子空位等负电性空位型缺陷的研究中,可以获取材料内部微观缺陷的种类与分布的关键信息.正电子湮没寿命和多普勒展宽能谱是正电子湮没谱学的最基本的分析方法,在半导体材料的空位形成、演化机理以及分布等研究方面能够发挥独特的作用;此外,慢正电子束流技术在半导体薄膜材料的表面和多层膜材料的界面的微观结构和缺陷的深度分布的研究中有广泛的应用.通过正电子技术所得到的微观结构和缺陷、电子密度和动量分布等信息对研究半导体微观结构、优化半导体材料的工艺和性能等方面有着指导作用.本文综述了正电子湮没谱学技术在半导体材料方面的应用研究进展,主要围绕正电子研究平台在半导体材料微观缺陷研究中对材料的制备工艺、热处理、离子注入和辐照情况下,各种缺陷的微观结构的表征及其演化行为的研究成果展开论述.
- 曹兴忠宋力刚靳硕学张仁刚王宝义魏龙
- 关键词：半导体材料微观结构
- 硫化法制备ZnS及ZnS:Cu薄膜的生长特性及微结构研究
- ZnS是一种重要的直接跃迁型宽带隙化合物半导体材料，其禁带宽度为3.5～3.7eV，大于CdS的禁带宽度(2.4eV)，在可见光以及红外区域具有低的光学吸收和高的折射率，在光电器件方面应用广泛。国内外ZnS的制备方式有许...
- 宋力刚
- 关键词：硫化锌薄膜薄膜生长气相沉积
- 文献传递
- 硫化温度对ZnS薄膜生长质量的影响被引量：2
- 2017年
- 采用热反应法对玻璃衬底上以磁控溅射制备的Zn薄膜进行硫化,制备出Zn S薄膜。薄膜的微观结构、物相结构和表面形貌分别采用正电子湮没技术(PAT)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)进行分析和表征。利用慢正电子湮没多普勒展宽对四个不同硫化温度下得到的ZnS薄膜样品中膜层结构缺陷进行研究,测量了薄膜中的空位型微观缺陷的相对浓度,指出445℃硫化样品中正电子注入能量在1.5～4.5 keV后S参数最小,说明该硫化温度下反应生成的ZnS薄膜结构缺陷浓度最小,膜的致密度最高。XRD结果显示薄膜在445℃以上硫化后,呈(111)择优生长趋势。从扫描电镜的结果也可以看出,在445℃硫化后,薄膜的晶粒明显地变得更大、更致密,这是因为ZnS晶胞比Zn晶胞大以及硫化过程中ZnS固相再结晶的缘故。
- 宋力刚朱特曹兴忠张仁刚况鹏靳硕学张鹏龚毅豪王宝义
- 关键词：硫化锌薄膜磁控溅射硫化
- RAFM钢中H^+辐照空位型缺陷的慢正电子束研究
- 2019年
- 为研究低活化铁素体/马氏体(Reduced Activation Ferritic/Martensitic,RAFM)钢的辐照损伤机理,利用慢正电子技术研究了H^+辐照RAFM钢时所产生的空位型缺陷及其对于材料微观结构的影响。H^+能量和剂量分别为100keV和1×10^15cm^-2、1×10^16cm^-2、1×10^17cm^-2。慢正电子束多普勒展宽测量结果可得,S参数随着剂量的增大而增大,W参数呈现正相反的趋势。样品中主要辐照区域为142~348nm,此范围内有大量缺陷产生,辐照产生的主要为空位型缺陷,其中多为氢-空位复合体缺陷,辐照缺陷的浓度随着H+剂量的增大而增加。空位型缺陷的尺寸大小也随着辐照剂量的增大而有所变化,辐照剂量达到10^17cm^-2时,S-W曲线斜率发生变化,故辐照缺陷类型发生明显变化,有较大尺寸的缺陷产生。
- 张梓晗宋力刚靳硕学曹兴忠孙建荣洪志远李小燕李锦钰燕青芝王宝义
- 硫化温度对ZnS薄膜生长质量的影响
- 采用热反应法对玻璃衬底上以磁控溅射制备的Zn 薄膜进行硫化，制备出ZnS 薄膜.薄膜的微观结构、物相结构和表面形貌分别采用正电子湮没技术(PAT)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)进行分析和表征.利用慢正...
- 宋力刚朱特曹兴忠张仁刚况鹏靳硕学张鹏龚毅豪王宝义
- 关键词：硫化锌薄膜磁控溅射硫化
- 奥氏体316不锈钢微观缺陷的热演化被引量：2
- 2020年
- 从微观结构缺陷热演化的角度研究奥氏体316不锈钢。对样品由373 K升温到1473 K,然后间隔50 K,等时退火。微观缺陷由正电子湮没谱(positron annihilation spectroscopy,PAS)和透射电子显微镜(transmission electron microscope,TEM)表征。随着退火温度的升高,空位型缺陷逐渐回复。在退火温度673~823 K范围内,出现明显的位错聚集和位错网的非均匀分布。在退火温度873 K后,位错型缺陷逐渐回复。退火温度873~973 K时有大型微观析出相析出。随后,析出相尺寸减小,大部分在1123 K之前回溶。在1373 K退火后,样品中几乎没有缺陷。
- 李玉晓史大琳曹兴忠靳硕学张鹏朱特宋力刚王宝义
- 关键词：不锈钢正电子湮没位错析出相
