王丹丹 作品数:7 被引量:10 H指数:2 供职机构: 西南科技大学信息工程学院 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 更多>> 相关领域: 电子电信 更多>>
纳米级MOSFET亚阈值区电流特性模型 被引量:1 2016年 基于纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件结构,从基本的漂移扩散方程出发,分别建立了亚阈值区漏极电流模型和栅极电流模型。其中将频率与偏置依赖性的影响显式地体现在模型中。通过对比分析发现亚阈值区漏极电流模型具有等比例缩小的可行性,栅极电流具有跟随性和频率依赖性。同时将所建模型的仿真结果与实验结果进行了比较,验证了模型准确性。 王丹丹 王军 王林关键词:漏极电流 基于恒功耗的CMOS低噪声放大器噪声系数优化计算 被引量:1 2017年 在恒功耗条件下,通过考虑以往被忽略掉的栅极寄生阻抗和外加电容对噪声放大器噪声系数的影响,结合低噪声放大器(LNA)的等效小信号模型,推导出噪声系数表达式,提出恒功耗条件下噪声优化的方法。同时对提出的噪声系数优化方法进行MATLAB理论仿真,在ADS软件中对理论结果进行仿真验证。 王丹丹 王军 王林关键词:低噪声放大器 噪声系数 纳米级MOSFET衬底电流的偏置依赖性建模 2016年 衬底电流是纳米级MOSFET电学性质分析的重要基础,也是集成电路设计的先决条件。建立精确的衬底电流模型是分析MOSFET器件及电路可靠性和进行电路设计所必需的。基于热载流子效应建立了一个常规结构纳米级MOSFET衬底电流的解析模型,并将模型的仿真结果与实验结果相比较,验证了模型的准确性。同时对衬底电流与沟道长度和偏置电压的关系进行了分析研究,结果表明,衬底电流具有显著的沟道长度与偏置依赖性。 王林 王军 王丹丹关键词:衬底电流 45nm MOSFET射频小信号噪声等效电路建模直接提取方法 2017年 针对45 nm MOSFET射频等效电路建模和参数提取技术进行了研究,在精确地提取了射频小信号模型参数之后,基于双端口网络的噪声相关矩阵和多端口噪声理论,使用本征电路的噪声电流源嵌入有噪声贡献的元件,从而分析推导出射频噪声参数模型,并与商用的45 nm CMOS射频测量值相对比,在相应的频段内显示出很好的正确性。 王丹丹 王军 王林关键词:等效电路 噪声参数 40纳米MOSFET毫米波等效电路的弱反区关键参数提取 被引量:2 2017年 以双端口网络的分析方法为依托,对40纳米MOSFET的毫米波小信号等效电路的弱反区参数进行提取.该等效电路基于准静态逼近,包括完整的本征准静态MOSFET模型、串联的栅极电阻、源极电阻、漏极电阻以及衬底耦合网络.元件参数提取分为寄生参数提取和本征部分提取,是通过其等效电路的开路短路法来简化等效电路以及分析Y参数所得,提取的结果具有物理意义以及其方法能够去嵌寄生效应,如器件衬底耦合. 王林 王军 王丹丹关键词:二端口网络 毫米波 40nm金属氧化物半导体场效应晶体管感应栅极噪声及互相关噪声频率与偏置依赖性建模 被引量:5 2016年 用于低功耗、混合信号及高频领域的CMOS技术的缩比进展,表明其最佳的高频性能已从低中反区转移至弱反区.高频噪声模型是射频与毫米波电路设计的先决条件,是纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)噪声分析的重要基础.本文基于40 nm MOSFET的器件物理结构,并结合漂移-扩散方程和电荷守恒定律,提出了基于物理的高频感应栅极电流噪声模型及其与漏极电流噪声的互相关噪声模型,以此来统一表征噪声从弱反区到强反区的频率与偏置依赖性.本文通过将有效栅极过载引入高频噪声模型中,使得统一模型具有良好的准确性、连续性和平滑性.最后,通过所建模型的仿真结果与实验结果的数据比较,验证了本文所建模型的准确性及其对长沟道器件在强反区的适用性. 王军 王林 王丹丹超宽带低噪声放大器的频带选择性设计 被引量:1 2016年 基于ADS和MATLAB平台,设计一种新的具有频带选择性的多谐振负载网络,并构建了一种具有频带选择性的超宽带低噪声放大器,使之既能够屏蔽来自授权频带WLAN信号的干扰又同时放大UWB的信号。在3.1 GHz^10.6 GHz的频带范围内对其仿真获得结果为S11小于-10 d B,最大增益为20.23 d B,最小噪声系数为4.25 d B以下。 王林 王军 王丹丹关键词:超宽带 低噪声放大器