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王文靖

作品数：1 被引量：20H指数：1
供职机构：中国兵器工业集团更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划安徽省科技攻关计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体刻蚀
  • 1篇刻蚀
  • 1篇工艺参
  • 1篇工艺参数
  • 1篇硅刻蚀
  • 1篇感应耦合
  • 1篇感应耦合等离...
  • 1篇感应耦合等离...
  • 1篇ICP

机构

  • 1篇合肥工业大学
  • 1篇中国兵器工业...

作者

  • 1篇许高斌
  • 1篇展明浩
  • 1篇陈兴
  • 1篇皇华
  • 1篇黄晓莉
  • 1篇王文靖
  • 1篇胡潇

传媒

  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
ICP深硅刻蚀工艺研究被引量：20
2013年
感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是微机电系统器件加工中的关键技术之一。利用英国STS公司STS Multiplex刻蚀机,研究了ICP刻蚀中极板功率、腔室压力、刻蚀/钝化周期、气体流量等工艺参数对刻蚀形貌的影响,分析了刻蚀速率和侧壁垂直度的影响原因,给出了深硅刻蚀、侧壁光滑陡直刻蚀和高深宽比刻蚀等不同形貌刻蚀的优化工艺参数。
许高斌皇华展明浩黄晓莉王文靖胡潇陈兴
关键词：感应耦合等离子体刻蚀工艺参数
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