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一系列单硅烷-寡聚噻吩共聚高分子膜中电荷传导研究被引量：3: 2007年; 研究了一系列由单硅烷和寡聚噻吩组成的共聚高分子膜(PSnT,n表示寡聚噻吩单元中噻吩环的个数)在较宽掺杂率范围内载流子的迁移率变化规律.结果表明,掺杂率极低(<0·2%)时各膜中的载流子迁移率接近,几乎不受n的影响;随着膜的掺杂率的增加,各PSnT膜中的迁移率相继增大,n增大,迁移率在更低的掺杂率处开始增大,其增幅随着n的增加而增大.PS14T迁移率的增幅超过4个数量级,已与电化学合成的聚噻吩膜中观察到的迁移率增幅相当,表明此共聚物中的π-共轭长度已足以再现聚噻吩传导性能.; 蒋晓青播磨裕; 关键词：迁移率共聚物掺杂

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播磨裕