陈江峰
- 作品数：12 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- Ar^+刻蚀对InGaAs,n-InP和p-InP表面损伤及消除被引量：4
- 2007年
- 研究了Ar+刻蚀对InGaAs,n-InP和p-InP表面的损伤,并用湿法腐蚀后处理消除损伤.Ar+刻蚀后InGaAs表面均方根粗糙度较小,而n-InP和p-InP表面明显变粗糙.刻蚀后InGaAsPL强度增加,而n-InP和p-InPPL强度都减小.用XPS分析了未刻蚀、Ar+刻蚀和湿法腐蚀后处理三种情况下样品表面原子含量.刻蚀后InGaAs表面In和Ga含量明显增加,n-InP和p-InP表面有严重P缺失.湿法腐蚀后,样品表面原子含量和未刻蚀前基本一致.
- 吕衍秋越方禹洪学鹍陈江峰韩冰吴小利龚海梅
- 关键词：INGAASINP湿法腐蚀
- GaN紫外探测器的Ti/Al接触界面的电学特性研究
- 本文利用伏安特性和传输线模型研究了不同退火条件下GaN紫外探测器的Ti/GaN接触的电学特性,利用热电子发射理论研究了反偏Ti/GaN界面的肖特基势垒,结果表明肖特基势垒高度和比接触电阻随退火温度的升高而下降,600℃退...
- 李雪亢勇陈江峰靳秀芳朱龙源李向阳龚海梅方家熊
- 关键词：传输线模型比接触电阻隧穿电流
- 文献传递
- 带有延伸电极的碲镉汞多元红外探测器
- 本实用新型公开了一种带有延伸电极的碲镉汞多元红外探测器,包括:衬底、列阵光敏元、位于光敏元一侧的延伸电极区和另一侧的公共电极区。它的特征是:延伸电极区从碲镉汞材料经至少二个台阶延伸衬底上,使碲镉汞材料到衬底的落差至少下降...
- 朱龙源刘诗嘉王平陈江峰龚海梅方家熊
- 文献传递
- 带有井伸电极的碲镉汞红外光电导探测器
- 本发明公开了一种带有井伸电极的碲镉汞红外光电导探测器，该器件的特征是：在光敏元的二侧各有一个通过离子刻蚀至衬底的圆洞，圆洞内依次镀有铬金属层和黄金层，其总高度与光敏元的高度齐平。在黄金层上再依次镀上铟金属层和黄金层，该铟...
- 朱龙源王平刘诗嘉陈江峰靳秀芳龚海梅李向阳
- 文献传递
- HgCdTe光伏器件多层钝化膜等离子体处理的研究被引量：1
- 2006年
- 在HgCdT e光伏探测器件S iO2+ZnS复合介质膜钝化中,引入O+2清洗和A+r刻蚀两种等离子体处理工艺,大大提高薄膜附着力,成功制备出优良的光伏器件。对处理前后的样品进行场发射扫描电子显微镜扫描、原子力显微镜扫描和二次离子质谱测试后发现,O+2清洗对去除样品表面的残余光刻胶效果显著;而A r+刻蚀使ZnS表面更为粗糙,增加了成核中心,使S iO2和ZnS表面互相渗透,增强了两层介质膜的附着力。
- 储开慧乔辉汤英文陈江峰胡亚春贾嘉李向阳龚海梅
- 关键词：钝化HGCDTE光伏探测器
- Au/Zn/Au/p-InP欧姆接触的界面研究被引量：1
- 2005年
- 研究了离子束溅射制备的Au/Zn/Au/p-InP欧姆接触的界面特性。在480℃退火15s比接触电阻达到最小,为1.4×10-5Ω·cm2。利用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了接触界面的冶金性质。实验结果表明,在室温下InP中的In就可以扩散到接触的表面,退火后可与Au形成合金。退火后,Zn的扩散可以在p-InP表面形成重掺杂层,从而降低接触势垒高度,减小势垒宽度,有助于欧姆接触的形成;在接触与p-InP的界面产生一个P聚集区,同时Au与InP反应生成Au2p3,其P的2p3/2电子的结合能约为129.2 eV。
- 李萍刘诗嘉陈江峰庄春泉黄杨程张燕龚海梅
- 关键词：俄歇电子能谱X射线光电子能谱欧姆接触
- HgCdTe光伏器件多层钝化膜等离子体处理的研究
- ＜正＞HgCdTe光伏探测器是重要的一类红外探测器,在该器件制备工艺中,钝化技术决定着器件的稳定性、抗干扰能力,和其它性能指标。在各种钝化技术中,SiO2+ZnS复合介质膜钝化虽然具有较好的界面特性、绝缘性、热稳定性和化...
- 储开慧乔辉汤英文陈江峰胡亚春贾嘉李向阳龚海梅
- 文献传递
- 铟镓砷焦平面探测器的列阵微台面的制备方法
- 本发明公开了一种铟镓砷焦平面探测器的列阵微台面的制备方法，该方法先用Ar<Sup>+</Sup>离子干法刻蚀掉P型InP层，再用湿法化学腐蚀掉InGaAs吸收层，这样既可提高光敏面的图形保真度，又可减小InGaAs吸收层...
- 吕衍秋韩冰李萍庄春泉吴小利陈江峰龚海梅
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- 快速热退火对Ti/Al-GaN接触的影响被引量：1
- 2004年
- 利用伏安特性和俄歇能谱深度分布研究了快速热退火对 Ti/ Al- Ga N接触的影响 ,氮气中 6 0 0℃退火 6 0 s可以获得欧姆接触 .实验结果表明 ,退火温度的升高导致 N元素向表面扩散和界面反应的发生 .N空位的产生形成了重掺杂的界面 ,有利于电流的隧穿 ,界面处 Al,Ti,Ga,N三元系或四元系反应产物起到降低 Ti/ Ga N接触的势垒作用 .
- 李雪亢勇陈江峰李向阳龚海梅方家熊
- 关键词：欧姆接触势垒高度隧穿电流
- 铟镓砷焦平面探测器的列阵微台面的制备方法
- 本发明公开了一种铟镓砷焦平面探测器的列阵微台面的制备方法，该方法先用Ar<Sup>+</Sup>离子干法刻蚀掉P型InP层，再用湿法化学腐蚀掉InGaAs吸收层，这样既可提高光敏面的图形保真度，又可减小InGaAs吸收层...
- 吕衍秋韩冰李萍庄春泉吴小利陈江峰龚海梅
- 文献传递
