赵俊亮
- 作品数：18 被引量：73H指数：5
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：上海市科学技术发展基金国家自然科学基金“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- ZnO基薄膜电子传输特性研究
- 短波长光电子材料和器件的研究开发对于提高光通信的带宽和光信息的存储密度有非常重要的作用,一直是人们广泛关注的课题。1997年ZnO薄膜室温紫外受激发射实现以后,ZnO很快
- 边继明李效民张灿云赵俊亮
- 关键词：P型ZNO薄膜P-N结光致发光
- 文献传递
- 籽晶层对喷雾热分解法生长ZnO薄膜结晶质量和光电性能的影响被引量：5
- 2006年
- 通过脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)衬底上沉积一层高质量的ZnO籽晶层,在籽晶层上进一步采用超声喷雾热分解(USP)法生长ZnO薄膜,研究了籽晶层对ZnO薄膜结晶质量和ZnO/Si异质结光电特性的影响。研究结果表明,在籽晶层的诱导作用下,USP法生长ZnO薄膜由多取向结构变为(002)单一取向,结晶性能得到了显著改善;籽晶层上生长的薄膜呈现出垂直于衬底生长的柱状晶结构,微观结构更加致密。通过研究紫外光照前后ZnO/Si异质结的整流特性,发现引入籽晶层后,反向偏压下异质结的光电响应显著增加,并且在开路状态下出现明显的光伏效应。
- 赵俊亮李效民古彦飞于伟东杨长
- 关键词：ZNO薄膜喷雾热分解法光电性能
- Zn_(1-x)Mg_xO薄膜p型导电和光学性能被引量：10
- 2006年
- 采用超声喷雾热分解(U ltrason ic Spray Pyrolysis,USP)方法,以醋酸锌、醋酸镁、醋酸铵、氯化铝的混合水溶液为前驱溶液,在单晶S i(100)衬底上制备了ZnO,Zn0.81Mg0.19O,N-A l共掺杂ZnO和N-A l共掺杂Zn0.81Mg0.19O薄膜。以X射线衍射(XRD)、场发射-扫描电镜(FE-SEM)、霍尔效应(Hall-effect)、光致发光(Photolum inescence,PL)谱等手段研究了薄膜的晶体结构、表面形貌、电学性能、光学性能和带隙变化。电学测试结果表明,未掺杂ZnO及Zn0.81Mg0.19O薄膜为n型导电;而N-A l共掺杂ZnO和N-A l共掺杂Zn0.81Mg0.19O薄膜呈p型导电。Zn0.81Mg0.19O和N-A l共掺杂Zn0.81Mg0.19O(p型)薄膜在维持ZnO纤锌矿结构的前提下,光学带隙随Mg掺杂量增加而增大。初步结果显示,优化工艺参数下通过Mg掺杂制备光学带隙可调的p型Zn0.81Mg0.19O薄膜,对于试制Zn1-xMgxO基同质p-n结、短波长(紫外、深紫外)器件等方面有重要意义。
- 张霞李效民陈同来于伟东高相东张灿云赵俊亮
- 关键词：导电性能光致发光
- 掺氮空穴型氧化锌薄膜材料的喷雾热解制备方法
- 本发明涉及掺氮空穴型氧化锌薄膜材料的喷雾热解制备方法，属于半导体材料领域。本发明配制锌源和氮源构成摩尔配比为Zn<Sup>2+</Sup>∶NH<Sub>4</Sub><Sup> +</Sup>＝1∶(1－3)的先驱体溶...
- 李效民边继明张灿云赵俊亮
- 文献传递
- ZnO基薄膜载流子传输特性研究
- 通过对ZnO基薄膜的载流子传输特性研究,实现对ZnO基薄膜电学性能的控制,解决氧化锌薄膜中难于实现有效受主掺杂的困难,提供一种制备p型ZnO膜及其同质p-n结材料的新方法,以满足制备ZnO基短波长光电子器件的需要.采用超...
- 边继明李效民张灿云赵俊亮
- 关键词：P型ZNO薄膜
- 文献传递
- 脉冲激光沉积法生长In掺杂SrTiO3薄膜及其微观结构研究被引量：4
- 2008年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)方法在MgO/TiN/Si(100)衬底上,生长不同In掺杂量的SrIn_xTi_(1-x)O_3(x=0、0.1、0.2)薄膜,研究In掺杂及本征SrTiO_3(STO)缓冲层对薄膜结晶性能、表面形貌、生长模式及紫外拉曼光谱特性的影响.结果表明,In掺杂导致薄膜结晶度降低,通过引入本征STO缓冲层可有效提高In掺杂STO薄膜的结晶度,增强薄膜的(200)择优取向性.然而随In掺杂量的增加,薄膜表面平均粗糙度增大;生长模式由层状生长转变为岛状-层状复合模式;拉曼一次声子振动模式峰强逐渐增强,说明薄膜的晶体对称性降低.
- 张亦文李效民赵俊亮于伟东高相东吴峰
- 关键词：脉冲激光沉积法SRTIO3薄膜缓冲层结晶度
- ZnO纳米阵列增强大功率蓝光LED出光效率的研究被引量：3
- 2012年
- 采用低成本的化学溶液法在大功率GaN基蓝光LED芯片上生长ZnO纳米阵列,以提高LED芯片的出光效率.通过改变生长溶液中氨水及锌离子浓度实现对纳米阵列结构形貌的可控性,进而得到不同形貌的ZnO纳米阵列.在此基础上,进一步研究纳米结构形貌对LED芯片出光性能的影响,探讨纳米结构增强LED芯片发光效率的机理.结果表明,较高密度、锥形形貌的ZnO纳米阵列更有利于增强LED芯片的出光效率.在优化的实验条件下,表面沉积ZnO纳米阵列的LED芯片比普通LED的出光效率高出60%以上,并且纳米阵列不影响LED器件的电学性能和发光稳定性.
- 徐冰赵俊亮张检明孙小卫诸葛福伟李效民
- 关键词：出光效率化学溶液法
- In掺杂对ZnO薄膜及ZnO/GaAs异质结发光行为的影响
- 采用一种低成本的超声喷雾热分解方法,以醋酸锌和硝酸铟水溶液为前驱体,在单晶GaAs(100)衬底上制备出ZnO以及In掺杂ZnO的多晶薄膜,并进一步研制出ZnO/GaAs基异质结LED器件,着重探讨了In掺杂对ZnO薄膜...
- 赵俊亮孙小卫
- 一种用于铁电栅GaN基增强型HEMT器件的异质结构及其制备方法
- 本发明涉及一种用于铁电栅GaN基增强型HEMT器件的异质结构及其制备方法，所述异质结构包括：AlGaN/GaN/Si异质结半导体衬底，以及依次生长在所述AlGaN/GaN/Si异质结半导体衬底中AlGaN层表面的MgO外...
- 李效民黎冠杰陈永博朱秋香赵俊亮高相东
- PLD法生长高质量ZnO薄膜及其光电导特性研究被引量：7
- 2006年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,以X射线衍射 (XRD)和场发射扫描电镜(SEM)等手段分析了所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌．结果表明,随着衬底温度和薄膜生长时氧分压的增加, ZnO薄膜的晶体结构和化学计量比得到显著改善．优化工艺(700℃,20Pa)下生长的ZnO薄膜呈c轴高度择优取向,柱状晶垂直衬底表面生长,结构致密均匀．以不同暗电阻的ZnO薄膜为材料,利用剥离(lift-off)技术制备了MSM 结构ZnO光电导型紫外探测器．紫外光照射前后的I—V特性测试表明ZnO薄膜产生非常明显的光电导现象,分析了其光电响应机理．
- 边继明李效民赵俊亮于伟东
- 关键词：ZNO薄膜脉冲激光沉积
