何军
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所更多>>
- 相关领域：理学电子电信冶金工程石油与天然气工程更多>>
- 熔体流动形态对移动加热法生长碲化镉系列晶体的影响
- 碲化镉及其系列半导体具有高的平均原子序数、宽禁带宽度、大的密度和高电阻率等特点，是下一代室温型半导体射线探测器的理想材料之一。但是碲化镉还具有熔点高，导热系数小，熔体对流小等不利于晶体生长的缺陷。
- 刘柱徐静涛胡皓阳何军江浩川蒋俊
- 关键词：碲化镉
- 退火对移动加热法生长的CdTe单晶性能影响
- CdTe系列半导体化合物，是一种新型的χ和γ射线探测材料，被广泛的应用于医学成像、空间探测、核安全检查等领域。垂直布里奇曼法具有设备简单，操作方面和生长速度快等优点，成为CdTe系列晶体制备最常见的方法之一。
- 胡皓阳徐静涛刘柱何军蒋俊江浩川
- 关键词：碲化镉退火性能表征
- 退火对移动加热法生长的CdTe单晶性能影响
- CdTe系列半导体化合物,是一种新型的x和γ射线探测材料,被广泛的应用于医学成像、空间探测、核安全检查等领域。垂直布里奇曼法具有设备简单,操作方面和生长速度快等优点,成为CdTe系列晶体制备最常见的方法之一。但由于CdT...
- 胡皓阳徐静涛刘柱何军蒋俊江浩川
- 关键词：碲化镉退火性能表征
- 文献传递
- 熔体流动形态对移动加热法生长碲化镉系列晶体的影响
- 碲化镉及其系列半导体具有高的平均原子序数、宽禁带宽度、大的密度和高电阻率等特点,是下一代室温型半导体射线探测器的理想材料之一。但是碲化镉还具有熔点高,导热系数小,熔体对流小等不利于晶体生长的缺陷。在碲化镉晶体生长中强制对...
- 刘柱徐静涛胡皓阳何军江浩川蒋俊
- 关键词：碲化镉
- 文献传递
- 水平冷凝法生长CdTe:In晶体中元素分布及性质
- 碲化镉晶体是一种性能优异的室温半导体X射线γ射线探测器材料，在天文、医学、工业和军事等领域具有广泛的用途。但由于碲化镉晶体及其熔体的导热性差，堆垛缺陷能低，在生长过程中易产生孪晶和多晶。
- 徐静涛刘柱胡皓阳何军蒋俊江浩川
- 关键词：碲化镉红外透过率电阻率
- 水平冷凝法生长CdTe:In晶体中元素分布及性质
- 碲化镉晶体是一种性能优异的室温半导体X射线γ射线探测器材料,在天文、医学、工业和军事等领域具有广泛的用途。但由于碲化镉晶体及其熔体的导热性差,堆垛缺陷能低,在生长过程中易产生孪晶和多晶。同时在生长中熔体上方易形成较大压力...
- 徐静涛刘柱胡皓阳何军蒋俊江浩川
- 关键词：碲化镉红外透过率电阻率
- 文献传递
