杜园园
- 作品数：15 被引量：6H指数：2
- 供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：核科学技术电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- GPD⁃GEM有效增益研究及其优化
- 2023年
- 偏振测量X射线聚焦望远镜阵列(PFA)属于增强型X射线时变与偏振空间天文台(eXTP)有效载荷之一,其位于焦平面的气体像素探测器(GPD)用于测量处于极端条件下天体辐射的软X射线偏振度等物理参数。GPD采用单层气体电子倍增器(GEM)作为气体放大级,有效面积为(15.5×15.5)mm^(2),孔型为双锥形结构,相邻孔间间距为50μm,孔外直径为30μm,锥角约为10°;该GEM孔采用非聚焦激光辐照技术制作成型,生产时由于激光非均匀性以及辐照区域重叠,将引起不同孔的锥角出现差异,造成孔间增益不均匀。基于GPD基线设计参数,通过构建GPD⁃GEM模拟框架,验证了模拟的有效增益和文献测试结果的一致性;在相同工作电压下,0°~10°范围内不同锥角对应的GPD⁃GEM有效增益基本呈线性关系。该结果表明GPD⁃GEM孔型最优为圆柱形结构,为其生产工艺提供了优化方向。
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- 关键词：增益
- 静电防护电路及静电防护装置
- 本申请公开了一种静电防护电路及静电防护装置，该静电防护电路包括：正极防护电路，包括第一串联单元，所述第一串联单元一端连接芯片输入端，另一端连接芯片的正极供电端，包括至少两个反向串联的稳压二极管；负极防护电路，包括第二串联...
- 雒涛曹学蕾王科李鲜孙亮杜园园孟斌顾煜栋刘少真
- 文献传递
- 静电防护电路、静电防护装置及芯片筛选方法
- 本申请公开了一种静电防护电路、静电防护装置及芯片筛选方法，该静电防护电路包括：正极防护电路，包括第一串联单元，所述第一串联单元一端连接芯片输入端，另一端连接芯片的正极供电端，包括至少两个反向串联的稳压二极管；负极防护电路...
- 雒涛曹学蕾王科李鲜孙亮杜园园孟斌顾煜栋刘少真
- 文献传递
- 用于α粒子探测的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的温度特性
- 采用外延层厚度为20μm的n型4H-SiC外延片,制备用于α粒子探测的肖特基势垒二极管(SBD)辐射探测器。在298-423K范围内,研究了Ni/4H-SiC SBD探测器的正向和反向电流-电压(I-V)特性。探测器的反...
- 杜园园张春雷曹学蕾雒涛孟斌
- 关键词：4H-SIC肖特基二极管热电子发射
- 文献传递
- CdZnTe伽马射线探测器的能谱特性分析被引量：2
- 2021年
- CdZnTe(CZT)探测器目前在国内外天体物理研究中占有重要的地位。本文采用蒙特卡洛软件GEANT4模拟了CZT伽马射线探测器对伽马射线的能谱响应,研究了电子和空穴的输运特性、外加偏压、探测器厚度等因素对平面型探测器的能谱特性的影响规律。结果表明,在电子收集效率较高时,能量分辨率明显受迁移率寿命积比值((μτ)_(e)/(μτ)_(h))的影响,比值越小,能量分辨率越好。增加工作电压可以提高载流子的收集效率和探测器的能量分辨率。在电子收集效率较高时,增大厚度可以弱化空穴信号贡献,提高能量分辨率。漂移程与晶体厚度之比(μτ)_(e)E/d可以用来估算平面型CZT探测器对低能射线的收集效率,并计算出其对应关系。
- 于晖于晖杜园园杜园园查钢强查钢强
- 关键词：GEANT4CDZNTE晶体能量分辨率能谱
- Te溶剂Bridgman法CdMnTe晶体核辐射探测器的制备和表征被引量：1
- 2021年
- 碲锰镉(CdMnTe)作为性能优异的室温核辐射探测器材料,可用于环境监测和工业无损检测领域。本文中采用Te溶剂Bridgman法生长In掺杂Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te晶体,制备成10 mm×10 mm×2 mm大小的室温单平面探测器,研究了该探测器对^(241)Am@59.5 keVγ射线源的能谱响应。通过表征红外透过率、电阻率以及探测器能谱响应等参数,综合评定了探测器用CdMnTe晶体的质量、电学和探测器性能。结果表明,晶片的红外透过率均在55%以上,最好可达到60%。采用湿法钝化,100 V偏压下的漏电流由钝化前的9.48 nA降为钝化后的7.90 nA,钝化后的电阻率为2.832×10^(10)Ω·cm。在-400 V反向偏压下,CdMnTe探测器对^(241)Am@59.5 keVγ射线源的能量分辨率在钝化前后分别为13.53%和12.51%,钝化后的电子迁移率寿命积为1.049×10^(-3)cm^(2)/V。研究了探测器的能量分辨率随电压的变化特性,当偏压≤400 V时,探测器的能量分辨率主要由载流子的收集效率决定,而当偏压>400 V时,能量分辨率由漏电流决定。本文研究结果表明,Te溶剂Bridgman法生长的CdMnTe晶体质量较好,电阻率和电子迁移率寿命积满足探测器制备需求。
- 杜园园姜维春陈晓雒涛
- 关键词：红外透过率核辐射探测器能量分辨率
- 一种闪烁探测器
- 本发明提供了一种基于SiPM光电倍增管的闪烁探测器，涉及核辐射探测设备技术领域，解决了闪烁体与SiPM阵列不匹配的技术问题。该基于SiPM光电倍增管的闪烁探测器，包括圆柱形闪烁体和呈圆形阵列设置在闪烁体上的多片SiPM光...
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- 文献传递
- 一种用于探测器读出芯片平行度校准的方法及系统
- 本发明公开了一种用于探测器读出芯片平行度校准的方法及系统。本方法为：1)将芯片模块固定在三维影像测量仪上；2)在芯片模块上确定出芯片的安装位置；3)在芯片模块的陶瓷边框上选择N个点，芯片上表面选择M个点；4)导出各所选点...
- 蒋杰臣孙亮姜维春徐玉朋何会林刘小桦李鲜杜园园杨生刘晓静杨家卫董泽芳
- 基于4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线探测器被引量：1
- 2016年
- 针对极端环境下耐高温和耐辐照半导体核探测器的研制需求,采用外延层厚度为100μm的4H碳化硅(4H-SiC)制备成肖特基二极管探测器,研究了该探测器对^(241)Am源γ射线的能谱响应.采用磁控溅射金属Ni制备了肖特基二极管的欧姆接触和肖特基接触,利用室温电流-电压和电容-电压测试研究了二极管的电学特性.欧姆特性测试表明,1050°C退火时,欧姆接触特性最好.从正向电流-电压曲线得出二极管肖特基势垒高度为1.617 eV,理想因子为1.127,表明探测器具备良好的热电子发射特性.从电容-电压曲线获得二极管外延层净掺杂浓度为2.903×10^(14)cm^(-3),并研究了自由载流子浓度在外延层中的纵向分布.在反向偏压为500 V时,二极管的漏电流只有2.11 nA,具有较高的击穿电压.测得在-300 V条件下,SiC二极管探测器对能量为59.5 keV的γ射线的能量分辨率为9.49%(5.65 keV).
- 杜园园张春雷曹学蕾
- 关键词：4H-SIC宽禁带半导体肖特基二极管Γ射线探测器
- 一种用于探测器读出芯片平行度校准的方法及系统
- 本发明公开了一种用于探测器读出芯片平行度校准的方法及系统。本方法为：1)将芯片模块固定在三维影像测量仪上；2)在芯片模块上确定出芯片的安装位置；3)在芯片模块的陶瓷边框上选择N个点，芯片上表面选择M个点；4)导出各所选点...
- 蒋杰臣孙亮姜维春徐玉朋何会林刘小桦李鲜杜园园杨生刘晓静杨家卫董泽芳
- 文献传递
