赵守仁
- 作品数：10 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
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- 碲化镉薄膜太阳能电池制备及电学特性参数分析
- 用inline方式全部近空间升华(CSS,close-space sumlimation)方法制备n-CdS/p-CdTe取得了～11％的转换效率(AMl.5).把其中n-CdS层采用磁控溅射(SP)方法取得了～10％的...
- 赵守仁黄志鹏孙雷孙朋超张传军邬云华曹鸿王善力褚君浩
- 关键词：电学特性
- 采用(211)碲锌镉衬底制备碲镉汞液相外延薄膜
- 文中对(211)晶向的CdZnTe衬底进行液相外延生长HgCdTe.获得的碲镉汞液相外延材料的组分为0.30～0.33,薄膜厚度为10～15μm,表面缺陷密度为500cm-2,材料的FWHM达到24弧秒,位错腐蚀坑密度约...
- 徐庆庆陈新强魏彦锋曹妩媚赵守仁杨建荣
- 关键词：液相外延
- 文献传递
- 肖特基势垒对CdS/CdTe薄膜电池J-V暗性能的影响
- 2013年
- 采用数学模拟方法分析了不同背接触势垒高度(φb)对于CdS/CdTe薄膜电池的J-V(电流密度-电压)方程的影响,得出了势垒高度与roll-over的变化对应关系.采用相应Cu/Mo背电极的CdS/CdTe薄膜电池在220—300K的变温J-V曲线的数值分析与理论分析相对照,分析了背势垒对于J-V曲线拟合参数的影响.修正了φb与反向饱和电流(Jb0)关系式,理论与实验符合得非常好.
- 赵守仁黄志鹏孙雷孙朋超张传军邬云华曹鸿王善力褚君浩
- 关键词：CDSCDTE薄膜伏安特性肖特基势垒
- 基于双结模型非理想太阳能电池伏安特性参数数值分析
- 2013年
- 提出了一种对于太阳电池光照条件和暗特性条件下对其伏安特性全段进行拟合提取参数的改进方法.对太阳电池J-V曲线进行分段,提取每段的4个关键参数:串联电阻(R s)、并联电阻(R sh)、品质因子(n)、反向饱和电流密度(J0).这种方法采用了双结电路模型法,并以CdS/CdTe薄膜电池为例进行了光照下和暗特性分析,得到了比单结电流模型更多的参数,并且具有较高的拟合精度(误差<0.7%).
- 赵守仁黄志鹏孙雷孙朋超张传军邬云骅曹鸿黄志明王善力褚君浩
- 关键词：CDTE薄膜伏安特性ROLLOVER
- 硅基衬底碲镉汞液相外延的生长方法及专用石墨舟
- 本发明公开了一种硅基衬底碲镉汞液相外延的生长方法，该方法的特征在于：先在Si/CdTe复合衬底外生长一层SiO<Sub>2</Sub>覆盖层，然后采用恒速降温和分步冷却相结合的方式生长HgCdTe外延薄膜。其有益效果在于...
- 徐庆庆魏彦锋陈新强赵守仁杨建荣
- 文献传递
- 硅基衬底碲镉汞液相外延的生长方法
- 本发明公开了一种硅基衬底碲镉汞液相外延的生长方法，该方法的特征在于：先在Si/CdTe复合衬底外生长一层SiO<Sub>2</Sub>覆盖层，然后采用恒速降温和分步冷却相结合的方式生长HgCdTe外延薄膜。其有益效果在于...
- 徐庆庆魏彦锋陈新强赵守仁杨建荣
- 文献传递
- 用于Ⅱ－Ⅵ族半导体材料位错显示的腐蚀剂及腐蚀方法
- 本发明公开了一种用于II-VI族半导体材料位错显示的腐蚀剂，该腐蚀剂的成份配比为：H<Sub>2</Sub>O∶HCl∶HNO<Sub>3</Sub>∶HF∶K<Sub>2</Sub>Cr<Sub>2</Sub>O<Su...
- 赵守仁陆修来魏彦锋陈新强杨建荣丁瑞军何力
- 文献传递
- 用于II－VI族半导体材料位错显示的腐蚀剂及腐蚀方法
- 本发明公开了一种用于II－VI族半导体材料位错显示的腐蚀剂，该腐蚀剂的成份配比为：H<Sub>2</Sub>O∶HCl∶HNO<Sub>3</Sub>∶HF∶K<Sub>2</Sub>Cr<Sub>2</Sub>O<Su...
- 赵守仁陆修来魏彦锋陈新强杨建荣丁瑞军何力
- 文献传递
- 偏压量子效率测试在薄膜太阳能电池特性分析中的应用被引量：1
- 2014年
- 薄膜太阳能电池在不同偏压下的量子效率(QE)会呈现非常不一样的结果.对不同波长范围内偏压量子效率的分析可以研究薄膜太阳能电池窗口层区域杂质补偿情况、主结势垒高低、背势垒高度等,还可以得出耗尽区宽度以及少子扩散长度等重要参数.通过实验测量与理论分析,给出了薄膜太阳能电池耗尽区宽度(W)和少子扩散长度(Ln)与偏压量子效率的关系,提出了一种新的拟合耗尽区宽度(W)和少子扩散长度(Ln)的方法,探讨了偏压量子效率测试在薄膜太阳能电池特性分析中的应用.
- 黄志鹏赵守仁孙雷孙朋超张传军邬云华曹鸿王善力胡志高杨平雄褚君浩
- 关键词：薄膜太阳能电池少子扩散长度
- 碲化镉薄膜太阳能电池电学特性参数分析被引量：3
- 2013年
- 用inline方式全部近空间升华方法制备n—CdS／p—CdTe取得了-11％的转换效率（AM1．5）．把其中n—CdS层采用磁控溅射方法取得了-10％的转换效率（AM1．5）．基于其电流密度一电压（J-V）曲线和外量子效率曲线，分析了其拟合关键参数对于电池性能的影响程度，并从理论分析上把目前器件性能参数与当今前沿性能参数以及其理论值进行比较，指出了如何提高电池转换效率（町）的方法：提高开路电压（Voc）、短路电流（Jsc）和填充因子（FF）．
- 赵守仁黄志鹏孙雷孙朋超张传军邬云华曹鸿王善力褚君浩
- 关键词：电学特性
