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王春蕾

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：大阪大学工学部更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇英文
  • 2篇金刚石膜
  • 2篇CVD金刚石...
  • 1篇室温
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基二极管
  • 1篇击穿电压
  • 1篇二极管
  • 1篇边发射
  • 1篇铝
  • 1篇CVD

机构

  • 2篇大阪大学

作者

  • 2篇入江正丈
  • 2篇王春蕾
  • 1篇寺地德之

传媒

  • 2篇功能材料与器...

年份

  • 2篇2001
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
同质外延CVD金刚石膜的室温边发射(英文)被引量：1
2001年
利用高功率微波等离子体化学气相沉积方法及合适的预处理方法成功地合成了无生长丘 的高品质金刚石膜。阴极荧光（ CL）结果表明在本工作的同质外延金刚石膜中，边发射在室温下也 是主峰之一。详细研究了室温下有异常粒子和无异常粒子的样品的 CL谱和 CL扫描图。发现边 发射主要产生于无异常粒子区域 ,而大多数异常粒子主要对位于 425nm的 Band A发射起作用。 因此抑制异常粒子的形成对提高同质外延金刚石膜的质量非常重要。
王春蕾入江正丈伊藤利道
关键词：金刚石膜边发射CVD
器件级同质外延CVD金刚石膜上的具有高击穿电压的铝肖特基二极管(英文)被引量：1
2001年
用微波等离子体化学气相沉积方法合成高品质同质外延金刚石膜， 并且用扫描电镜和阴 极荧光分析法评价。为了得到高薄膜生长速率， 把甲烷浓度设定在 4％。薄膜上的生长丘的数 量和大小依赖于生长条件。在本工作的样品中 ,未发现任何非外延晶粒。室温下的阴极荧光分 光结果表明这些金刚石薄膜具有与自由励起子相关的谱峰。氢终端的膜表面制作的铝电极显 示了 P型整流特性 ,击穿电压高于 380V。实验结果表明，阴极荧光分析法观测到的缺陷和电性 能密切相关，并且可以在有室温边发射的金刚石表面上制作具有高击穿电压的整流电极。
寺地德之入江正丈远藤城一木村谦一王春蕾伊藤利道
关键词：击穿电压CVD金刚石膜
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