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顾肇业

作品数：5 被引量：10H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 2篇砷化镓
  • 2篇光电
  • 2篇光电阴极
  • 2篇光阴极
  • 2篇负电子亲和势
  • 1篇摄象
  • 1篇摄象管
  • 1篇透射
  • 1篇透射式
  • 1篇亲合力
  • 1篇微通道板
  • 1篇象管
  • 1篇量子
  • 1篇量子效率
  • 1篇化合物半导体
  • 1篇硅靶
  • 1篇半导体

机构

  • 3篇南京电子器件...
  • 2篇电子部

作者

  • 5篇顾肇业
  • 2篇李慧蕊
  • 2篇马建一
  • 1篇申屠浩
  • 1篇马建一
  • 1篇徐汉成

传媒

  • 2篇光电子技术
  • 1篇半导体情报
  • 1篇真空电子技术

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1996
  • 2篇1994
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
紫外像增强管的研究被引量：6
1999年
研究了采用碲铷（日盲）光电阴极、近贴聚焦、二块微通道板（ＭＣＰ）、 Ｙ－２０荧光屏、２５／２５ ｍｍ有效直径紫外像增强管。详细论述了该像增强管的工作原 理、结构设计、制造工艺、测试方法以及应用前景等方面问题。
申屠浩徐汉成顾肇业
关键词：光电阴极微通道板
负电子亲和势Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体光电阴极及其发展被引量：3
1996年
阐明了负电子亲和势Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体光电阴极的卓越光电性能，论述了关于其物理机制的四种理论模型见解，介绍了阴极材料生长技术和制作工艺以及拓展的应用领域并展望了趋势和前景。
马建一顾肇业申屠浩
关键词：负电子亲和势光电阴极化合物半导体
透射式GaAs光阴极量子效率分析
1994年
通过对透射式ＧａＡｓ光阴极“三物理过程”的描述和理论分析，指出了影响量子效率的不利因素，讨论和提出了克服、消除这些不利因素的方法、措施和途径。
马建一顾肇业李慧蕊丁辉敏
关键词：量子效率透射式砷化镓光阴极
负电子亲和势GaAs光阴极的研究被引量：1
1994年
分析正、负电子亲和势在发射机理上的差别,重点阐述 GaAs 光阴极的设计原理。讨论这种阴极参数的设定依据,扼要介绍它的主要制作工艺。最后,和传统的光阴极作了比较,并就其优越性进行了综合性讨论。
李慧蕊顾肇业马建一丁辉敏
关键词：砷化镓光阴极亲合力
SF-1002型硅靶微光摄象管
顾肇业
ＳＦ－１００２型硅靶微光摄象管是解决极低照度下电视摄象的关键器件，广泛应用于监视、军事、天文、科学研究、工业和医疗等诸方面。该管为包括２５ｍｍ直径的光纤面输入窗、标准２６ｍｍ扫描电子枪、硅二极管陈列靶的金属陶瓷结构。它具...
关键词：
关键词：摄象管硅靶
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