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王东兴

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电磁
  • 1篇电磁场
  • 1篇炉内
  • 1篇加热线圈
  • 1篇硅
  • 1篇FZ
  • 1篇磁场

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇张伟才
  • 1篇王东兴

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2022
共 2 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
线圈台阶数量对悬浮区熔炉内电磁场和热场的影响被引量：2
2022年
为了提高悬浮区熔(FZ)法的成晶率和增加FZ法生长硅单晶的直径,使用模拟计算软件对FZ硅单晶生长过程进行了深入研究。通过Comsol Multiphysics软件模拟了FZ炉内的电磁场和热场,分析了加热线圈台阶数量对电磁场和热场的影响。随着加热线圈台阶数量的增加,台阶处磁场强度降低,熔化的多晶硅表面远离中心位置附近的电磁能量和面电流密度增加,在主狭缝前缝尖端和后缝末端正下方的自由熔化表面的电磁能量、面电流密度和温度降低。因此,加热线圈台阶数量的增加可以使多晶硅表面熔化更加均匀并有效抑制液态硅从主狭缝下方边缘处溢出,提高FZ硅单晶生长的稳定性。
郑万超李聪冯旭张伟才王东兴
关键词：加热线圈电磁场
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