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杜天

作品数:4 被引量:4H指数:1
供职机构:河北大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金:河北省教育厅项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学

主题

  • 3篇阻挡放电
  • 3篇介质
  • 3篇介质阻挡
  • 3篇介质阻挡放电
  • 2篇振动温度
  • 2篇时空动力学
  • 2篇光谱
  • 2篇放电
  • 2篇分子振动温度
  • 2篇斑图
  • 2篇壁电荷
  • 1篇电子激发
  • 1篇电子激发温度
  • 1篇电子密度
  • 1篇谱特性
  • 1篇气隙
  • 1篇六边形斑图
  • 1篇激发温度
  • 1篇光谱特性
  • 1篇光谱研究

机构

  • 4篇河北大学
  • 1篇河北省光电信...

作者

  • 4篇董丽芳
  • 4篇杜天
  • 4篇郝芳
  • 3篇冯建宇
  • 1篇范伟丽
  • 1篇刘莹

传媒

  • 2篇中国科学:物...
  • 1篇发光学报
  • 1篇光谱学与光谱...

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2017
  • 1篇2016
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
不同结构六边形斑图演化过程光谱特性被引量:1
2016年
采用发射光谱法,研究了水电极介质阻挡放电中具有相同对称性的3种不同结构的六边形斑图演化过程的光谱特性。实验结果表明,随着外加电压的增加,放电首先形成六边形点阵斑图,然后是空心六边形斑图,最后是蜂窝六边形斑图。利用氩原子696.5 nm(2P_2→1S_5)谱线的展宽、氩原子763.2 nm(2P_6→1S_5)与772.1 nm(2P_2→1S_3)两条谱线强度比法和氮分子第二正带系(C^3Π_u→B^3Π_g)的发射谱线,研究上述3种斑图的电子密度、电子激发温度及分子振动温度。结果发现,随着外加电压的升高,六边形点阵斑图、空心六边形斑图和蜂窝六边形斑图的电子密度逐渐减小,而电子激发温度和分子振动温度逐渐增加。等离子体状态的改变直接影响着斑图的自组织。
冯建宇董丽芳魏领燕郝芳杜天崔义乾
关键词:斑图电子密度电子激发温度分子振动温度
介质阻挡放电中新型超四边形斑图的研究被引量:2
2017年
在高氩气含量的混合气体放电中,首次观察到大小点不完全插空的新型超四边形斑图.采用高速相机(ICCD)和光电倍增管(PMT),对此斑图的时空动力学进行了研究.结果表明,斑图由三套不同的子结构相互嵌套构成,每半个电压周期内子结构的放电顺序为:小点-大点晕-大点中心点.并且在每半个电压周期的下降沿,中心点的放电对应着两个明显的电流脉冲,放电时刻具有选择性.经分析可知:由于中心点在下降沿放电的时刻具有选择性,中和掉大点晕的壁电荷量不同,导致不同的中心点周围电场强度不均,因此每个小点不在4个大点结构的中心"插空放电".
杜天董丽芳郝芳冯建宇刘莹
关键词:介质阻挡放电时空动力学壁电荷
介质阻挡放电中暗环白眼超四边形斑图的研究被引量:1
2017年
本实验首次在双水电极介质阻挡放电装置中获得暗环白眼超四边形斑图.该斑图的每个四边形晶胞内都包含一个由黑色圆环围绕的中心亮点.这种黑色圆环围绕中心亮点的结构类似于白眼晶胞,称为暗环白眼.利用高速照相机研究暗环白眼超四边形斑图的时空结构.结果发现,暗环白眼超四边形斑图由4套不同的子结构相互嵌套而成,在每半个外加电压周期内,子结构的放电顺序依次为:中心亮点-亮点晕-顶点四边形-顶点连线.其中,暗环白眼是由中心亮点和周围的环形不放电区域组成的.利用壁电荷理论解释了暗环白眼超四边形斑图的形成机制和暗环的形成原因.
郝芳董丽芳杜天崔义乾冯建宇范伟丽
关键词:介质阻挡放电壁电荷时空动力学
介质阻挡放电系统复合气隙中三种放电丝的光谱研究被引量:1
2019年
介质阻挡放电系统(DBD)作为一个典型的非平衡气体放电系统,不仅在工业生产如低温等离子体生产和发光等方面被广泛应用,而且该系统表现出的非线性现象、自组织现象也吸引人们的关注。DBD系统中放电丝的等离子体参量受诸多因素影响,为了探究DBD系统的放电条件对等离子体参量的影响,该实验重新设计放电单元以保证在其他实验条件相同的情况下,对放电气隙间距和气体组分与等离子体参数之间的关系展开研究。本实验的放电单元为一个平板型玻璃框架气隙,该气隙由三个厚度均为1.2mm,放电区域边长分别为40,30和20mm的正方形玻璃框架复合而成,因此该放电气隙有三个放电区域,将此复合气隙放置于可调节气体成分和压强的真空室内,可以同时产生三种放电气隙间距分别为1.2,2.4和3.6mm的等离子体放电丝。高速录像机拍摄的瞬时照片表明三种放电丝均为随机放电丝,即其放电类型均为流光放电。在垂直于放电气隙平面的方向设置光路,使用聚焦透镜获得清晰的成像,移动光纤探头实现空间分辨并采集数据。实验用光谱仪采集三种等离子体的氮分子第二正带系(C3Πu→B3Πu)谱线,根据谱线强度计算得到各类放电丝的分子振动温度;利用谱线中包含的氮分子离子N+2第一负带系谱线(391.4nm)和氮分子第二正带系394.1nm谱线强度的比值反应放电丝中电子平均能量;改变气室内氩气的含量,得到了三种等离子体的分子振动温度和电子平均能量的变化趋势。实验结果表明:在氩气含量0%~60%区间内,随着氩气含量的增加,三种等离子体的分子振动温度均先升高后降低,整体趋势表现为相同氩气含量下放电气隙间距越小分子振动温度越高,即1.2mm气隙厚度中的放电丝的分子振动温度最高,2.4mm气隙厚度次之,3.6mm气隙厚度的最低;随氩气含量的增加放电丝的平均电子能量先升高后降
孙浩洋董丽芳韩蓉刘彬彬杜天郝芳
关键词:介质阻挡放电发射光谱分子振动温度
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