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齐鑫

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：上海大学理学院物理系更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇国内会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇扫描隧道显微...
  • 2篇GASB
  • 1篇带隙
  • 1篇生长温度
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇分子束外延生...
  • 1篇半导体
  • 1篇铋

机构

  • 2篇上海大学

作者

  • 2篇查访星
  • 2篇齐鑫
  • 1篇邵军

传媒

  • 1篇第十一届全国...
  • 1篇第十七届全国...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
分子束外延生长的GaSbBi薄膜的扫描隧道显微镜表征
新型窄带隙稀铋半导体GaSbBi由于掺Bi而引起带隙收缩，对开发2～4μm近中红外激光器具重要意义.本文报道超高真空扫描隧道显微镜对分子束外延生长的表面形貌和电子态的实验表征.发现未经腐蚀的样品表面电子态存在较大空间不均...
齐鑫宋禹忻邵军王庶民查访星
不同生长温度生长的GaSbBi/GaSb的表面结构与带隙变化
GaSbBi为一种新型窄带隙稀铋材料，旨在通过掺Bi达到引起能带收缩，在中红外激光器和中红外探测器中有着很重要应用前景。目前关于GaSbBi电子结构研究尚少开展。本文利用超高真空扫描隧道显微镜和扫描隧道谱对不同生长温度下...
齐鑫查访星
关键词：扫描隧道显微镜
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共1页<1>
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