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史文俊

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:武汉理工大学更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇折射率
  • 2篇吸收边
  • 2篇
  • 1篇半导体

机构

  • 2篇武汉理工大学

作者

  • 2篇史文俊
  • 1篇黎敏
  • 1篇易迎彦

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
多物理场中锗在吸收边附近的介电函数模型与测量
锗是常用红外光学材料(波长大于1900nm为透明区),也是性能优异的敏感材料。在半导体材料,乃至常规光学材料中,其热光和弹光特性都非常突出。但是,半导体材料吸收区的光学参数的理论模型和实验数据都非常缺乏,而光通信窗口(C...
史文俊
关键词:吸收边折射率
锗在吸收边附近的压力—折射率系数
2016年
目前半导体锗在吸收边附近(1550 nm)的压力-折射率系数在实验和理论上并未研究清楚.本文通过测量在不同压力下镀在光纤端面的高结晶度锗薄膜的反射率,来计算得到锗在吸收边附近的压力-折射率系数.本文的实验结果显示,锗在吸收边附近出现反常色散现象,即折射率随能量变化呈正相关,并且其压力-折射率系数出现反常,为正值,这是由于多晶结构中的激子吸收所引起.通过引入描述激子色散的临界点模型,得到锗在吸收边附近的反常色散范围和压力-折射率系数呈正值的范围.本文的结果将有助于基于锗薄膜的通信C波段光学器件的研究.
史文俊易迎彦黎敏
关键词:半导体折射率
共1页<1>
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