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刘冰杰

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：上海市科学技术委员会资助项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇通孔
  • 3篇喷嘴
  • 3篇微腔
  • 3篇下表面
  • 3篇面板
  • 3篇金属
  • 3篇金属合金
  • 3篇合金
  • 1篇液桥
  • 1篇毛细现象
  • 1篇互连
  • 1篇TSV
  • 1篇硅

机构

  • 4篇中国科学院
  • 1篇上海大学

作者

  • 4篇顾杰斌
  • 4篇刘冰杰
  • 3篇李昕欣
  • 1篇杨恒

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2017
  • 2篇2016
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种用于微腔金属填充的喷嘴片结构及设备
本实用新型提供一种用于微腔金属填充的喷嘴片结构及设备，所述喷嘴片结构包括：喷嘴片面板；贯穿所述面板上表面及下表面的通孔；与所述通孔连通的液态金属引流槽；所述引流槽由所述面板上表面开口，并往所述面板下表面方向延伸，但未贯穿...
顾杰斌刘冰杰李昕欣
文献传递
一种基于表面张力的硅通孔互连快速填充技术
2016年
硅通孔互连(TSV)技术是三维电子封装中主要的电互连技术之一。针对常用的电镀填充方式对于尺寸较大的TSV存在填充速度慢的问题,提出了一种基于表面张力的TSV快速填充技术。该技术利用毛细现象和液桥夹断现象通过喷嘴实现液态金属在TSV通孔及盲孔的填充。使用扫描电子显微镜(SEM)分别对直径为120μm、深度为420μm的通孔和直径为90μm、深度为350μm的盲孔填充后的表面形貌和剖面形貌进行了观测。测得填充TSV阻值约为10mΩ。该技术避免了常用的电镀填充方法所需要的种子层沉积以及化学机械研磨等工艺,可显著降低TSV的填充制造成本。
刘冰杰顾杰斌杨恒
关键词：毛细现象液桥
一种用于微腔金属填充的喷嘴片结构、设备及填充方法
本发明提供一种用于微腔金属填充的喷嘴片结构、设备及填充方法，所述喷嘴片结构包括：喷嘴片面板；贯穿所述面板上表面及下表面的通孔；与所述通孔连通的液态金属引流槽；所述引流槽由所述面板上表面开口，并往所述面板下表面方向延伸，但...
顾杰斌刘冰杰李昕欣
一种用于微腔金属填充的喷嘴片结构、设备及填充方法
本发明提供一种用于微腔金属填充的喷嘴片结构、设备及填充方法，所述喷嘴片结构包括：喷嘴片面板；贯穿所述面板上表面及下表面的通孔；与所述通孔连通的液态金属引流槽；所述引流槽由所述面板上表面开口，并往所述面板下表面方向延伸，但...
顾杰斌刘冰杰李昕欣
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