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魏益民

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：陕西学前师范学院更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇引线
  • 2篇栅介质
  • 2篇栅介质材料
  • 2篇粒子束
  • 2篇介质
  • 2篇介质材料
  • 2篇刻蚀
  • 2篇刻蚀工艺
  • 1篇NMOS器件
  • 1篇PMOS器件

机构

  • 2篇陕西学前师范...

作者

  • 2篇王颖
  • 2篇魏益民

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
应变Ge倒梯形栅NMOS器件及制备方法
本发明涉及一种应变Ge倒梯形栅NMOS器件及制备方法，该制备方法包括:选取SOI衬底；在所述SOI衬底上形成N型应变Ge层形成NMOS有源区；在所述NMOS有源区表面光刻形成NMOS栅极区图形，利用粒子束刻蚀工艺在所述N...
王颖魏益民
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应变Ge倒梯形栅PMOS器件及制备方法
本发明涉及一种应变Ge倒梯形栅PMOS器件及制备方法，该制备方法包括:选取SOI衬底；在所述SOI衬底上形成N型应变Ge层形成PMOS有源区；在所述PMOS有源区表面光刻形成PMOS栅极区图形，利用粒子束刻蚀工艺在所述P...
王颖魏益民
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