陈卫宾
- 作品数：8 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程更多>>
- 缺陷对Gd掺杂ZnO薄膜磁性能的影响
- 稀土金属相对于过渡金属拥有更多的未成对电子,具有更大的轨道角动量,稀土金属掺杂ZnO薄膜可能具有优异的磁学性能。在本研究中,选用4f壳层为半满的钆(Gd)离子作为掺杂元素,采用电感耦合等离子体增强物理气相沉积法(ICP-...
- 陈卫宾李飞刘学超施尔畏
- 关键词：GD掺杂磁学性能ZNO
- 文献传递
- 一种Ar粒子辐照增强Cr掺杂ZnO薄膜铁磁性的方法
- 本发明涉及一种Ar粒子辐照增强Cr掺杂ZnO薄膜铁磁性的方法，以一定剂量的Ar粒子对Cr掺杂ZnO薄膜进行辐照，所述Cr掺杂ZnO薄膜的化学式为Zn<Sub>1‑x</Sub>Cr<Sub>x</Sub>O，其中0＜x≤...
- 刘学超陈卫宾卓世异施尔畏
- 文献传递
- 微米级厚度晶片承载台
- 本发明提供一种可以实现对厚度在微米量级的晶片的承载和保护、特别适用于晶片加工及质检生产中一个工序完成后晶片的放置和转运中的保护的微米级厚度晶片承载台。所述承载台整体为圆筒形；在从所述承载台的边缘向内圆方向离开一定距离处，...
- 卓世异刘学超严成锋黄维陈卫宾孔海宽施尔畏
- 文献传递
- 缺陷对Gd掺杂ZnO薄膜磁性能的影响
- 稀土金属相对于过渡金属拥有更多的未成对电子，具有更大的轨道角动量，稀土金属掺杂ZnO薄膜可能具有优异的磁学性能。在本研究中，选用4f壳层为半满的钆(Gd)离子作为掺杂元素，采用电感耦合等离子体增强物理气相沉积法(ICP-...
- 陈卫宾李飞刘学超施尔畏
- 关键词：GD掺杂磁学性能ZNO
- 质子辐照对Yb掺杂ZnO稀磁半导体薄膜缺陷与磁性的影响被引量：1
- 2018年
- 采用电感耦合等离子体增强物理气相沉积法制备了Yb掺杂ZnO薄膜,并采用不同剂量质子对薄膜进行了辐照实验,重点采用X射线衍射、光电子能谱、正电子湮灭图谱和磁测量系统对Zn_(0.985)Yb_(0.015)O薄膜的缺陷和磁性能进行了研究。磁性测试结果表明:Zn_(0.985)Yb_(0.015)O薄膜经质子辐照后其饱和磁化强度随辐照剂量的增加逐渐增大,当辐照剂量为6×10^(15) ions/cm^2时,其饱和磁化强度达到最大,随着辐照剂量的进一步增加,其饱和磁化强度反而变小。正电子湮灭图谱结果显示薄膜中主要存在锌空位相关的缺陷,并且锌空位相关的缺陷随辐照剂量的变化与饱和磁化强度随辐照剂量的变化相一致。本研究从实验上揭示了在含有各种缺陷的Yb掺杂ZnO薄膜中,锌空位缺陷是影响质子辐照Zn_(0.985)Yb_(0.015)O薄膜磁性的主要原因。
- 陈卫宾刘学超刘学超卓世异施尔畏
- 关键词：质子辐照稀磁半导体铁磁性
- 一种增强ZnO基稀磁半导体薄膜室温铁磁性的方法
- 本发明涉及一种增强ZnO基稀磁半导体薄膜室温铁磁性的方法，以一定剂量的质子H<Sup>+</Sup>对ZnO基稀磁半导体薄膜进行辐照。本发明采用质子H<Sup>+</Sup>对ZnO基稀磁半导体薄膜进行辐照，以此实现对Z...
- 陈卫宾刘学超卓世异施尔畏孔海宽
- 文献传递
- 微米级厚度晶片承载台
- 本发明提供一种可以实现对厚度在微米量级的晶片的承载和保护、特别适用于晶片加工及质检生产中一个工序完成后晶片的放置和转运中的保护的微米级厚度晶片承载台。所述承载台整体为圆筒形；在从所述承载台的边缘向内圆方向离开一定距离处，...
- 卓世异刘学超严成锋黄维陈卫宾孔海宽施尔畏
- 文献传递
- 一种增强ZnO基稀磁半导体薄膜室温铁磁性的方法
- 本发明涉及一种增强ZnO基稀磁半导体薄膜室温铁磁性的方法，以一定剂量的质子H<Sup>+</Sup>对ZnO基稀磁半导体薄膜进行辐照。本发明采用质子H<Sup>+</Sup>对ZnO基稀磁半导体薄膜进行辐照，以此实现对Z...
- 陈卫宾刘学超卓世异施尔畏孔海宽
