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金浩

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：常州天合光能有限公司更多>>
相关领域：电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电气工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇电池
  • 3篇氮化硅
  • 3篇氮化硅薄膜
  • 3篇刻蚀
  • 3篇硅薄膜
  • 3篇硅片
  • 3篇方阻
  • 2篇电池效率
  • 2篇印刷图案
  • 2篇太阳电池
  • 2篇晶体硅
  • 2篇晶体硅太阳电...
  • 2篇硅片清洗
  • 2篇硅太阳电池
  • 2篇发射结
  • 2篇负电
  • 2篇背接触
  • 2篇N型
  • 1篇电极
  • 1篇多晶

机构

  • 6篇常州天合光能...

作者

  • 6篇金浩
  • 2篇刘亚峰
  • 2篇邓伟伟
  • 2篇冯纪伟
  • 1篇张学玲
  • 1篇蔡文浩
  • 1篇盛健
  • 1篇陈亮

传媒

  • 1篇第十一届中国...

年份

  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种N型背接触电池
本发明涉及一种N型背接触电池，电池背面负电极为Ag电极，电池背面正电极为Al电极，Ag电极由一条以上纵向Ag主栅线、两条以上横向Ag细栅线组成，各条Ag细栅线之间的中心间距为1.6～2.5mm，每条Ag细栅线的宽度为40...
冯纪伟金浩
多晶RIE制绒工艺与高方阻工艺结合的应用前景与产业化分析
本文分析了在多晶硅制造工艺中结合RIE(反应离子刻蚀)工艺和高方阻工艺的产业化应用前景。由于RIE制绒工艺可以在多晶体硅片表面制得低反射率的绒面，此种工艺受到了越来越多的关注及更为广泛的研究。此外，随着对正面银浆的研发水...
盛健金浩陈亮蔡文浩
关键词：硅太阳能电池反应离子刻蚀
文献传递
一种晶体硅太阳电池选择性发射结的制作方法
本发明涉及一种晶体硅太阳电池选择性发射结的制作方法，其制作方法为：将硅片清洗制绒后进行一次重扩散，在一次重扩散的硅片表面镀一层氮化硅薄膜，然后在硅片表面场区部分印刷刻蚀Si的刻蚀性浆料，或者，重扩散后直接在硅片表面场区部...
邓伟伟金浩刘亚峰
一种N型背接触电池
本发明涉及一种N型背接触电池，电池背面负电极为Ag电极，电池背面正电极为Al电极，Ag电极由一条以上纵向Ag主栅线、两条以上横向Ag细栅线组成，各条Ag细栅线之间的中心间距为1.6～2.5mm，每条Ag细栅线的宽度为40...
冯纪伟金浩
文献传递
一种晶体硅太阳电池选择性发射结的制作方法
本发明涉及一种晶体硅太阳电池选择性发射结的制作方法，其制作方法为：将硅片清洗制绒后进行一次重扩散，在一次重扩散的硅片表面镀一层氮化硅薄膜，然后在硅片表面场区部分印刷刻蚀Si的刻蚀性浆料，或者，重扩散后直接在硅片表面场区部...
邓伟伟金浩刘亚峰
文献传递
一种一次扩散制备选择性发射极的方法
本发明涉及太阳能电池的生产方法技术领域，尤其涉及一种一次扩散制备选择性发射极的方法。它依次具有如下工艺步骤：先将硅片制绒，接着进行均匀重扩散，扩散后在硅片表面沉积氮化硅薄膜，然后将腐蚀性浆料印在硅片的非金属电极区以刻蚀掉...
张学玲金浩
文献传递
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