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李建敏

作品数:23 被引量:1H指数:1
供职机构:江西赛维LDK太阳能高科技有限公司更多>>
相关领域:电气工程电子电信化学工程理学更多>>

文献类型

  • 13篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 4篇电子电信
  • 4篇电气工程
  • 1篇经济管理
  • 1篇化学工程
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 8篇硅片
  • 6篇多晶
  • 5篇多晶硅
  • 5篇铸锭
  • 4篇电池
  • 4篇
  • 3篇少子寿命
  • 3篇晶体
  • 3篇光伏
  • 3篇半导体
  • 3篇出材率
  • 2篇电池效率
  • 2篇端部
  • 2篇多晶硅片
  • 2篇形核
  • 2篇悬浮液
  • 2篇蒸汽
  • 2篇指印
  • 2篇砂浆
  • 2篇渗透剂

机构

  • 23篇江西赛维LD...
  • 2篇赛维LDK太...

作者

  • 23篇李建敏
  • 5篇何亮
  • 4篇章金兵
  • 4篇程小娟
  • 3篇罗鸿志
  • 3篇毛伟
  • 3篇李建
  • 3篇徐云飞
  • 3篇刘宁
  • 2篇雷琦
  • 2篇宋建平
  • 2篇胡青梅
  • 2篇周成
  • 2篇杜嘉斌
  • 2篇刘之文
  • 2篇张存新
  • 2篇胡动力
  • 1篇汤友
  • 1篇范立峰
  • 1篇李松林

传媒

  • 1篇广州化工
  • 1篇江西化工
  • 1篇中国金属通报
  • 1篇山东工业技术
  • 1篇中文科技期刊...
  • 1篇冶金与材料
  • 1篇第十一届中国...
  • 1篇第九届中国太...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2021
  • 4篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 4篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
23 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种太阳能硅片切割液
本发明公开了一种太阳能硅片切割液,包括聚乙二醇,表面活性剂、润滑剂、渗透剂和螯合剂,所述太阳能硅片切割液还包含具有硫氧双键的有机化合物。实现了在切割液中添加具有硫氧双键的有机化合物,减少了硅片切割时钢线的磨损,增强了砂浆...
李建敏刘宁李建
文献传递
晶体硅片切割厚度控制工艺方法研究被引量:1
2017年
随着全球的能源危机的愈演愈烈,能源危机也随之变得更为突出明显。太阳能作为当今全球的一种最为清洁的能源,将太阳能转换成电能,从根本上缓解了能源危机的问题[1]。因此太阳能电池无疑成了最有潜力的新型能源,太阳能电池的研发和生产自然受全球瞩目。太阳能电池中,绝大多数的太阳能电池都以硅作为基底的。目前全球各国都在加大力度推进太阳能电池的使用,太阳能电池的产量和质量是现有能源转化研究领域的热门[1]。本文结合具体的生产情况,研究了不同的生产工艺条件对晶体硅片切割厚度的影响,改善了某企业太阳能硅片厚度偏薄的问题[2]。
李建敏
关键词:合格率
一种晶体硅晶向的测定方法和应用
本申请实施例提供了一种晶体硅晶向的测定方法,包括以下步骤:取待测晶体硅片,将所待测晶体硅片至少包括一对相对设置的第一表面和第二表面;对所述第一表面进行腐蚀处理,清洗、干燥后,转移至平台上,使第二表面贴于所述平台上,设置光...
李建敏刘华简学勇付红平雷琦何亮程小娟邹贵付甘胜泉
文献传递
一种多晶硅铸锭炉加热器
本实用新型提供了一种多晶硅铸锭炉加热器,所述加热器包括位于坩埚顶部的一个顶部加热器和位于坩埚侧壁的四个侧部加热器,所述侧部加热器为分段式加热器,由两个或两个以上的加热器单体组成;所述加热器还包括功率调节装置,所述功率调节...
李建敏何亮
文献传递
异质形核生长高效多晶硅研究
2020年
本文通过对多晶硅铸造全熔工艺异质形核理论的研究,选择优异的形核剂并制备良好的形核层,依靠涂层工艺的创新及铸锭工艺优化,确保全熔工艺下涂层内异质形核的可形核数,减小润湿角。结果显示,SiO2异质形核全熔工艺的多晶硅锭平均少子寿命达7.02μs,硅锭出材率达到66.21%,比半熔工艺硅片的电池光电转换效率略高。
陈欣文黄俊简学勇李建敏
关键词:异质形核多晶硅少子寿命电池效率
一种太阳能硅片切割液
本发明公开了一种太阳能硅片切割液,包括聚乙二醇,表面活性剂、润滑剂、渗透剂和螯合剂,所述太阳能硅片切割液还包含具有硫氧双键的有机化合物。实现了在切割液中添加具有硫氧双键的有机化合物,减少了硅片切割时钢线的磨损,增强了砂浆...
李建敏刘宁李建
硼铟共掺高效多晶铸锭的制备
2019年
通过在铸锭中引入铟元素替代部分硼元素进行掺杂,成功的制备了掺铟多晶铸锭,且与常规铸锭在硅块电阻率分布、硅块少子少子寿命及硅片位错比例、硅片电池性能进行了对比。结果表明:通过控制合适的掺铟比例,铸锭的电阻率分布能得到有效控制,且相比常规铸锭电阻率分布更加集中;通过少子寿命仪的测试,发现掺铟铸锭整体少子寿命略高于常规铸锭;通过PL测试,发现掺铟铸锭硅片从底部至头部位错均较少;通过硅片电池数据对比,发现掺铟硅片短路电流及开路电压都相应的得到提高,硅片转换效率相比提高0.14%,推断一方面为铟元素引入应力场可阻挡位错滑移,另一方面可能为铟元素杂质光伏效应所致。
罗鸿志何亮何亮徐云飞雷琦毛伟徐云飞李建敏周成
关键词:位错
高效多晶硅锭侧部缺陷生长抑制工艺
2021年
靠近铸锭坩埚的多晶硅片因坩埚杂质扩散以及杂质分凝到头部等影响,在电池制作过程中会导致硅片从尾部到头部出现效率衰减情况。本文主要通过抑制硅锭侧部杂质扩散和形核长晶,将头尾衰减区域提高,从而达到提升硅片整体效率的目的。结果显示,硅块少子寿命的“花纹”比例(位错)均值明显程下降趋势,平均下降了2.54%。从硅锭底部至头部的硅片制作成电池的转换效率衰减趋势降低,平均效率提升约0.1%。
陈欣文黄俊简学勇李建敏
关键词:多晶硅少子寿命光致发光电池效率
一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法
本发明涉及半导体领域或光伏领域的一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法,特别是一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法,其特征在于:采用蒸汽喷至半导体晶片表面,半导体晶片表面肉眼不可见的手指印即可用人工肉眼...
李建敏中野研吾杜嘉斌宋建平
文献传递
一种硅块磨头
本实用新型公开了一种硅块磨头,包括毛刷底座和毛刷,其中毛刷底座包括用于研磨硅块的一个盘面,多簇毛刷固定于此盘面上,且多簇毛刷沿毛刷底座外围环形排布,毛刷簇与簇之间留有间隙。采用本实用新型的毛刷磨头对硅块进行软抛光处理,减...
张存新中野研吾章金兵李建敏
文献传递
共3页<123>
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