您的位置： 专家智库 > >

冯涛

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：浙江正泰太阳能科技有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇氧化锌薄膜
  • 2篇电池
  • 2篇叠层
  • 2篇叠层电池
  • 2篇体硅
  • 2篇硼硅玻璃
  • 2篇晶体硅
  • 2篇硅玻璃
  • 2篇硅基
  • 2篇硅基薄膜
  • 1篇单晶
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅片
  • 1篇异质结
  • 1篇扩散层
  • 1篇硅片
  • 1篇掺硼

机构

  • 3篇浙江正泰太阳...

作者

  • 3篇刘石勇
  • 3篇牛新伟
  • 3篇韩玮智
  • 3篇金建波
  • 3篇冯涛
  • 3篇朱永敏
  • 3篇张华
  • 3篇胡金艳
  • 2篇陆川
  • 1篇郁操
  • 1篇戎俊梅
  • 1篇王明华
  • 1篇丁澜
  • 1篇杨立友

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
一种异质结电池的制备方法
本发明公开了一种异质结电池的制备方法，包括如下步骤：在n型硅片的正面沉积第一非晶硅本征层，这里的n型硅片可以是单晶或是多晶硅片；在所述第一非晶硅本征层上沉积非晶硅p层；在所述非晶硅p层上沉积第一掺硼氧化锌薄膜；在所述硅片...
牛新伟郁操丁澜戎俊梅刘石勇王明华胡金艳韩玮智朱永敏张华冯涛金建波仇展炜杨立友
文献传递
一种晶体硅/硅基薄膜叠层电池的制备方法
本发明提供一种晶体硅/硅基薄膜叠层电池的制备方法，该方法包括以下步骤：在n型硅片上形成硼（Boron）扩散p层；除边隔离，并去除硼硅玻璃；在所述B扩散层上形成n-i-p结构；在所述n型硅片的背面沉积第二非晶硅n型层；在所...
牛新伟刘石勇韩玮智胡金艳张华朱永敏冯涛蒋前哨胡朋达金建波陆川仇展炜
文献传递
一种晶体硅/硅基薄膜叠层电池的制备方法
本发明提供一种晶体硅/硅基薄膜叠层电池的制备方法，该方法包括以下步骤：在n型硅片上形成硼（Boron）扩散p层；除边隔离，并去除硼硅玻璃；在所述B扩散层上形成n‑i‑p结构；在所述n型硅片的背面沉积第二非晶硅n型层；在所...
牛新伟刘石勇韩玮智胡金艳张华朱永敏冯涛蒋前哨胡朋达金建波陆川仇展炜
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0