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吴海平

作品数:58 被引量:45H指数:2
供职机构:比亚迪汽车股份有限公司更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 56篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 5篇电气工程

主题

  • 19篇导电类型
  • 18篇功率器件
  • 17篇半导体
  • 10篇半导体器件
  • 9篇IGBT
  • 8篇电池
  • 8篇二极管
  • 8篇MOS型
  • 6篇电极
  • 6篇元胞
  • 6篇闩锁
  • 6篇功率半导体
  • 6篇功率半导体器...
  • 5篇压降
  • 4篇源区
  • 4篇终端
  • 4篇终端区
  • 4篇芯片
  • 4篇离子
  • 4篇快恢复二极管

机构

  • 58篇比亚迪汽车股...
  • 2篇华南理工大学
  • 2篇上海比亚迪有...

作者

  • 58篇吴海平
  • 15篇刘鹏飞
  • 4篇边玉珍
  • 4篇陈宇
  • 4篇黄宝伟
  • 4篇冯卫
  • 4篇唐盛斌
  • 4篇朱超群
  • 4篇刘林
  • 3篇周燕飞
  • 3篇刘旭
  • 3篇高睿
  • 2篇王学梅
  • 2篇秦博
  • 2篇朱辉
  • 2篇曹群
  • 1篇张波
  • 1篇刘春江
  • 1篇杨钦耀
  • 1篇曾秋莲

传媒

  • 2篇电工技术学报

年份

  • 2篇2024
  • 3篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 7篇2019
  • 3篇2018
  • 9篇2017
  • 5篇2016
  • 5篇2015
  • 7篇2014
  • 5篇2013
  • 6篇2012
  • 4篇2011
58 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
电池负极的预锂化方法、预锂化负极片和锂离子电池
本申请提供了一种电池负极的预锂化方法,包括:在惰性气氛下,将金属锂加入到芳烃类物质的有机溶液中进行反应,得到芳基锂化试剂;其中,芳香烃类物质包括取代的芴、取代或未取代的氧杂蒽中的至少一种,取代的芴中的取代基包括烷基、氰基...
吴海平边玉珍方自力黄蕊
一种MOS型功率器件及其制造方法
一种MOS型功率器件包括:P型集电区;N型漂移区,位于P型集电区上;P阱,在漂移区上选择性地形成,与N型漂移区的导电类型相反;N型源区在P阱的表面区域选择性地形成;第一绝缘层位于N型漂移区上并部分地覆盖P阱;门极位于第一...
肖秀光吴海平
一种半导体结构及其形成方法
本发明提出一种半导体结构及其形成方法,其中该方法包括:提供衬底;在衬底的背面进行掺杂;在衬底的背面形成衬垫层;在衬底的正面制作正面结构;去除衬垫层及减薄衬底,以暴露出衬底的背面;在衬底的背面制作背面结构。该方法通过预先处...
吴海平黄宝伟刘鹏飞肖秀光
文献传递
MOS型功率器件及其形成方法
本发明公开了一种MOS型功率器件及其形成方法。该MOS型功率器件包括:第一导电类型的耐压层;位于耐压层之上的第一导电类型的阻挡层;位于阻挡层中的第二导电类型的阱区;位于阱区中的第一导电类型的源区;位于阻挡层之上的栅极;位...
吴海平肖秀光刘鹏飞
文献传递
基于失效物理的功率器件疲劳失效机理被引量:37
2019年
在功率器件的长期运行中,不断承受的温度和应力变化,加快了材料的疲劳失效。此外,新能源技术的发展对电力电子变流器的功率密度也提出了越来越高的要求,这些都给高可靠性功率器件的设计提出了新的挑战。失效物理(PoF)是在分析失效过程和疲劳机理的基础上,通过建模和仿真预测可靠性的一种方法,是研究疲劳失效的重要手段。本文首先介绍疲劳失效的基础理论。然后,从实验、仿真方法、解析模型和疲劳方式等方面介绍功率器件键合线和焊料层疲劳机理及主要研究进展,在此基础上,分析功率循环下功率器件的疲劳至失效全过程。最后,从多环境应力、动态载荷工况和可靠性设计三个方面,展望基于失效物理的电力电子可靠性研究方向。
王学梅张波吴海平
关键词:失效物理功率器件可靠性键合线
一种二极管及其制造方法
本发明涉及半导体器件,特别涉及一种二极管包括:从下至上顺次连接的第一金属层、第一导电类型第一半导体层、第一导电类型第二半导体层、第一导电类型第三半导体层、第二导电类型第四半导体层和第二金属层;第三半导体层包括第一区域和第...
肖秀光黄定园吴海平
文献传递
一种快恢复二极管的结构及其制造方法
本发明提供一种快恢复二极管的结构及其制造方法,该结构包括:阴极金属层;位于所述阴极金属层上的阴极区,所述阴极区具有第一导电类型;位于所述阴极区上的漂移区,所述漂移区具有第一导电类型;位于所述漂移区上的阳极区,所述阳极区具...
吴海平郝瑞红肖秀光
文献传递
一种MOS型功率器件及其制造方法
本发明所提供了一种MOS型功率器件制造方法,包括以下步骤:(1)于一半导体基体上形成第一氧化层;(2)于第一层氧化层之上形成多晶硅层;(3)于所述多晶硅层两侧形成阻挡层;(4)于所述半导体基体上形成第一导电类型阱区;(5...
刘鹏飞吴海平谢怀亮
文献传递
快恢复二极管及快恢复二极管的制造方法
本发明公开了一种快恢复二极管,其包括:衬底层;位于衬底层上的外延层;位于外延层上的扩散区,扩散区与外延层共同形成PIN结构;位于外延层上且覆盖扩散区的第一金属层,第一金属层与外延层共同形成肖特基接触区;位于衬底层上的第二...
吴海平曹群肖秀光郝瑞红
文献传递
半导体功率器件及其制备方法
本发明提供了半导体功率器件及其制备方法,该器件包括:衬底;位于衬底中,且靠近衬底的上表面设置的阱区;位于阱区中,且靠近衬底的上表面设置的源区;位于衬底的上表面的栅极氧化层;位于栅极氧化层的上表面的栅极;位于栅极的上表面的...
朱辉肖秀光吴海平
文献传递
共6页<123456>
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