周成
- 作品数：11 被引量：1H指数：1
- 供职机构：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司更多>>
- 相关领域：电气工程动力工程及工程热物理更多>>
- 硼铟共掺高效多晶铸锭的制备
- 2019年
- 通过在铸锭中引入铟元素替代部分硼元素进行掺杂,成功的制备了掺铟多晶铸锭,且与常规铸锭在硅块电阻率分布、硅块少子少子寿命及硅片位错比例、硅片电池性能进行了对比。结果表明:通过控制合适的掺铟比例,铸锭的电阻率分布能得到有效控制,且相比常规铸锭电阻率分布更加集中;通过少子寿命仪的测试,发现掺铟铸锭整体少子寿命略高于常规铸锭;通过PL测试,发现掺铟铸锭硅片从底部至头部位错均较少;通过硅片电池数据对比,发现掺铟硅片短路电流及开路电压都相应的得到提高,硅片转换效率相比提高0.14%,推断一方面为铟元素引入应力场可阻挡位错滑移,另一方面可能为铟元素杂质光伏效应所致。
- 罗鸿志何亮何亮徐云飞雷琦毛伟徐云飞李建敏周成
- 关键词：位错
- 一种籽晶的铺设方法、类单晶硅锭的制备方法和类单晶硅片
- 本发明提供了一种籽晶的铺设方法，用于铸造类单晶，包括以下步骤：提供坩埚，在坩埚底部铺设籽晶，相邻两个籽晶之间留有缝隙，在缝隙中填充导热系数小于籽晶导热系数的低导热材料；低导热材料和籽晶紧密接触铺满坩埚底部得到籽晶层。通过...
- 何亮周成胡动力雷琦陈红荣
- 文献传递
- 一种籽晶的铺设方法、类单晶硅锭的制备方法和类单晶硅片
- 本发明提供了一种籽晶的铺设方法，用于铸造类单晶，包括以下步骤：提供坩埚，在坩埚底部铺设第一硅材料，所述第一硅材料铺满所述坩埚底部形成第一保护层；然后在所述第一保护层上铺设籽晶，形成籽晶层；再在所述籽晶层上铺设第二硅材料，...
- 何亮周成胡动力雷琦陈红荣
- 文献传递
- 金属和非金属材料柔性接地的运用
- 2020年
- 文章首先阐述了接地体的发展现状,其次说明了理想接地系统的应用,然后分析了石墨接地体,最后探究了石墨接地极冲击散流特点及石墨柔性接地产品的应用。
- 周成
- 关键词：金属材料
- G7型铸造多晶硅底部阴影的分析及改善研究
- 2021年
- 基于硅液相夹杂的裹入模型计算临界长晶速率,分析G7炉型铸造多晶硅锭底部阴影与长晶速率的关系,并探究不同热场对晶锭底部阴影的影响。设计3种不同长晶速率和2种热场的实验,根据红外探伤(IR)测试阴影图、长晶速率曲线及晶体生长界面等试验数据,对晶锭底部阴影进行深入研究。研究表明,硅锭底部阴影是底部长晶速率过快且对流较弱造成,晶锭底部长晶速率在9.82 mm/h以下,晶锭底部无阴影;底部长晶速率在9.82 mm/h以上,晶锭底部出现阴影。对于大热场G7炉,降低晶锭底部长晶速率或改变热场结构提升晶锭底部温度可消除底部阴影。
- 徐云飞何亮何亮罗鸿志雷琦毛伟
- 关键词：光伏多晶硅
- 籽晶铺设方法、铸锭单晶硅的生产方法和铸锭单晶硅
- 本申请实施例提供了一种籽晶铺设方法，包括：提供坩埚，在所述坩埚的底部铺设籽晶层，其中，籽晶层由多个第一籽晶和多个第二籽晶间隔拼接形成，任意相邻两个所述第一籽晶之间设有一个所述第二籽晶，任意相邻两个所述第二籽晶之间设有一个...
- 何亮罗鸿志雷奇毛伟周成徐云飞李建敏程小娟邹贵付甘胜泉陈仙辉
- 文献传递
- 一种籽晶的铺设方法、类单晶硅锭的制备方法和类单晶硅片
- 本发明提供了一种籽晶的铺设方法，用于铸造类单晶，包括以下步骤：提供坩埚，在坩埚底部铺设第一硅材料，所述第一硅材料铺满所述坩埚底部形成第一保护层；然后在所述第一保护层上铺设籽晶，形成籽晶层；再在所述籽晶层上铺设第二硅材料，...
- 何亮周成胡动力雷琦陈红荣
- 文献传递
- 一种类单晶硅铸锭用籽晶的粘连拼接方法及铸锭用坩埚
- 本发明提供了一种类单晶硅铸锭用籽晶的粘连拼接方法，所述拼接方法采用无机粘结剂将相邻籽晶粘连拼接在一起形成籽晶层；所述无机粘结剂填充在所述籽晶层中籽晶与籽晶的拼接缝隙处，将所述籽晶层用于类单晶硅铸锭，可以有效避免铸锭过程中...
- 何亮胡动力雷琦周成张学日
- 文献传递
- 多晶硅铸锭热场结构
- 本实用新型公开了一种多晶硅铸锭热场结构，其包括：炉体，包括收容腔；隔热笼，收容于所述收容腔内，包括顶保温板、底保温板和侧保温板，所述侧保温板包括相对设置的上开口端和下开口端，所述顶保温板收容于所述上开口端内，并固定连接所...
- 何亮李松林胡动力周成雷琦陈红荣
- 文献传递
- 多晶硅片PL和电池效率的对应关系被引量：1
- 2019年
- 采用光致发光(PL)测试仪测试了多晶硅片的PL图像中的各参数与其制备为电池后的转换效率的关系,并分析了电池参数和PL图像参数的相互关系.采用自主编制的一款软件,分析了PL图像的黑丝比例和归一化PL强度参数,并计算对应硅片的数值结果.PL测试完成后,依次顺序制作了太阳能电池,并测试其电池效率和开路电压(V_(oc))等.实验结果表明:V_(oc)和PL图像归一化PL强度相关性良好,但与PL图像黑丝比例相关性差;而电池转换效率与PL图像归一化强度、黑丝比例相关性均不强.其原因是PL光致发光主要测试的硅片材料性能与电池V_(oc)相关,而电池转换效率不仅受硅基材的影响,还受电池工艺的影响,比如制绒工艺、扩散工艺、镀膜工艺等.本文利用半导体相关原理推导出了电池V_(oc)和归一化PL强度的相关性表达式,从原理上证明了归一化PL强度与电池V_(oc)的相关性,表明归一化PL强度与多晶硅片质量具有更高的相关性,更具指导意义.
- 何亮曹盛刘海刘海罗鸿志刘华周成罗鸿志
- 关键词：多晶硅电池效率
