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余冬冬

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：常州天合光能有限公司更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 5篇电池
  • 5篇体硅
  • 5篇晶体硅
  • 5篇硅衬底
  • 5篇衬底
  • 3篇电池效率
  • 3篇电流
  • 3篇短路
  • 3篇短路电流
  • 3篇载流子
  • 3篇硅锗
  • 3篇P型
  • 2篇导电薄膜
  • 2篇透明导电
  • 2篇透明导电薄膜
  • 2篇清洗工艺
  • 2篇热氧化
  • 2篇光致
  • 2篇HIT
  • 1篇带隙

机构

  • 8篇常州天合光能...

作者

  • 8篇余冬冬
  • 4篇董科研
  • 3篇郭万武
  • 3篇陆中丹
  • 3篇包健
  • 3篇崔艳峰
  • 1篇高焱
  • 1篇李炳云
  • 1篇杨同春

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 4篇2012
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
P型硅衬底异质结电池
本发明公开了一种P型硅衬底异质结电池，它包括一P型晶体硅衬底层、一本征非晶硅层、一N型非晶硅层、一P型非晶硅掺杂层、一第一透明导电层、一上电极层、一本征非晶硅锗钝化层、一第二透明导电层和一背电极层，P型晶体硅衬底层具有一...
包健郭万武余冬冬
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一种HIT太阳电池结构及其制作方法
本发明涉及一种HIT太阳电池结构及其制作方法，在N型硅衬底的正反面首先热氧化SiO2层做为掩膜；在正面SiO2层上进行开孔；在正面依次沉积本征非晶硅层、P型非晶硅层；之后沉积AL2O3薄膜；在AL2O3薄膜上开孔；然后沉...
崔艳峰董科研余冬冬陆中丹
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一种硅基薄膜太阳能电池
本发明涉及一种硅基薄膜太阳能电池，具有硅片，所述的硅片具有P型晶体硅基体，P型晶体硅基体正面生长有2～5nm的SiO<Sub>2</Sub>层，P型晶体硅基体背面生长有2～5nm的Al<Sub>2</Sub>O<Sub>...
余冬冬董科研崔艳峰陆中丹
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叠层硅基异质结太阳能电池
本发明涉及一种叠层硅基异质结太阳能电池，具有c-Si(p)基体，c-Si(p)基体正面沉积有nc-Si:H(i)层，nc-Si:H层正面沉积有a-Si:H(n+)层，nc-Si:H层的厚度为3～5nm，a-Si:H(n+...
董科研余冬冬
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P型硅衬底异质结电池
本实用新型公开了一种P型硅衬底异质结电池，它包括一P型晶体硅衬底层、一本征非晶硅层、一N型非晶硅层、一P型非晶硅掺杂层、一第一透明导电层、一上电极层、一本征非晶硅锗钝化层、一第二透明导电层和一背电极层，P型晶体硅衬底层具...
包健郭万武余冬冬杨同春
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太阳电池结构及其制备方法
本发明涉及一种太阳电池结构及其制备方法,该电池结构包括硅片基材，在基材正面是覆盖有减反膜的前表面场，在基材的背面依次是本征氢化非晶硅层、p型氢化非晶硅层、TCO和Al背场，在前表面场上的正面电极的细栅线上也覆盖TCO。制...
李炳云余冬冬高焱
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P型硅衬底异质结电池
本发明公开了一种P型硅衬底异质结电池，它包括一P型晶体硅衬底层、一本征非晶硅层、一N型非晶硅层、一P型非晶硅掺杂层、一第一透明导电层、一上电极层、一本征非晶硅锗钝化层、一第二透明导电层和一背电极层，P型晶体硅衬底层具有一...
包健郭万武余冬冬
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一种HIT太阳电池结构及其制作方法
本发明涉及一种HIT太阳电池结构及其制作方法，在N型硅衬底的正反面首先热氧化SiO2层做为掩膜；在正面SiO2层上进行开孔；在正面依次沉积本征非晶硅层、P型非晶硅层；之后沉积AL2O3薄膜；在AL2O3薄膜上开孔；然后沉...
崔艳峰董科研余冬冬陆中丹
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