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王艳春

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：比亚迪汽车股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 7篇势垒
  • 5篇肖特基
  • 5篇二极管
  • 5篇半导体
  • 4篇肖特基二极管
  • 4篇肖特基接触
  • 4篇金属
  • 3篇半导体工艺
  • 2篇导电类型
  • 2篇电流
  • 2篇电流正反馈
  • 2篇电压
  • 2篇氧化层
  • 2篇正向电压
  • 2篇散热
  • 2篇散热能力
  • 2篇商标
  • 2篇商标图形
  • 2篇图案
  • 2篇镍银

机构

  • 13篇比亚迪汽车股...

作者

  • 13篇王艳春
  • 4篇李永辉
  • 3篇董国全
  • 3篇高云飞
  • 1篇黄震宇

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
二极管器件及其制造工艺
本发明提供了二极管器件，包括氧化层和掺杂多晶硅区，及顺序设置且电性导通的阴极金属、N型重掺杂区、N型轻掺杂区、P型掺杂区、势垒层和阳极金属；还提供了二极管器件的制造工艺：在N型轻掺杂区上外延生长出P型掺杂区；自P型掺杂区...
王艳春刘东庆
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一种低正向压降肖特基二极管及其制造方法
本发明公开了一种低正向压降肖特基二极管，其特征在于：从下到上依次包括：阴极金属(1)、第一导电类型阴极区(2)、第一导电类型衬底(3)、第一导电类型外延层(4)、势垒金属或金属硅化物(10)、阳极金属(5)；第一导电类型...
王艳春高云飞李旺勤黄震宇
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双向瞬态电压抑制二极管及其制造方法
本发明提出了一种双向瞬态电压抑制二极管及其制造方法，本发明通过在二极管内设置同时形成的且具有相同导电类型、掺杂浓度和形状的第二有源区和第三有源区，将传统的双向瞬态电压抑制二极管的纵向NPN或PNP结构转化为横向NPN或者...
王艳春
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IGBT器件背面工艺方法及IGBT器件
本发明提供了IGBT器件背面工艺方法及IGBT器件。该方法包括：在形成背面金属层之前，利用含有氨水和双氧水的清洗液对IGBT器件的背面进行清洗的步骤。通过该清洗步骤可以有效去除前面工序引入的有机粘污和颗粒，大大降低了背面...
李永辉陈湛王艳春
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一种基于半导体工艺的工艺品及其制造方法
本发明提出一种基于半导体工艺的工艺品及其制造方法，其中该工艺品包括：基片；形成在基片上的底色氧化层；形成在底色氧化层之上的正面金属层，其中正面金属层具有通过半导体工艺形成的工艺图案；以及形成在正面金属层之上的钝化层。本发...
董国全李永辉王艳春
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一种高温肖特基二极管
本发明提出了一种高温肖特基二极管，其包括n型半导体衬底、P型重掺杂环状区域、合金层、绝缘区域、势垒金属层、聚酰亚胺保护层和阳极金属。本发明的肖特基二极管通过绝缘区域对势垒金属区域和肖特基接触区域进行分割，使得通过肖特基二...
王艳春高云飞李旺勤
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制备功率半导体器件的方法和功率半导体器件
本公开涉及一种制备功率半导体器件的方法和功率半导体器件，该方法包括：在形成了层间介质层的功率半导体器件半成品(100)的层间介质层上形成正面金属层(11)；对所述正面金属层(11)进行蚀刻处理；对蚀刻处理后的正面金属层(...
郑忠庆王志伟王艳春
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一种高温肖特基二极管
本发明提出了一种高温肖特基二极管，其包括n型半导体衬底、P型重掺杂环状区域、合金层、绝缘区域、势垒金属层、聚酰亚胺保护层和阳极金属。本发明的肖特基二极管通过绝缘区域对势垒金属区域和肖特基接触区域进行分割，使得通过肖特基二...
王艳春高云飞李旺勤
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制备功率半导体器件的方法和功率半导体器件
本公开涉及一种制备功率半导体器件的方法和功率半导体器件，该方法包括：在形成了层间介质层的功率半导体器件半成品(100)的层间介质层上形成正面金属层(11)；对所述正面金属层(11)进行蚀刻处理；对蚀刻处理后的正面金属层(...
郑忠庆王志伟王艳春
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一种肖特基二极管及其制造方法
本发明提出一种肖特基二极管及其形成方法，该肖特基二极管包括：阴极金属层；形成在阴极金属层之上的重掺第一类型掺杂衬底层；形成在重掺第一类型掺杂衬底层之上的轻掺第一类型掺杂外延层；形成在轻掺第一类型掺杂外延层之上的阳极金属层...
王艳春
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共2页<12>
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