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李俊俏

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：比亚迪汽车股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇中文专利

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 5篇接触区
  • 5篇极区
  • 5篇掺杂
  • 4篇导电类型
  • 4篇外延层
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体器件
  • 3篇重掺杂
  • 2篇电阻
  • 2篇氧化层
  • 2篇源极
  • 2篇载流子
  • 2篇栅氧化
  • 2篇栅氧化层
  • 2篇漂移
  • 2篇迁移
  • 2篇迁移率
  • 2篇沟道
  • 2篇沟道电阻
  • 2篇VDMOSF...

机构

  • 11篇比亚迪汽车股...
  • 1篇比亚迪汽车工...
  • 1篇汕尾比亚迪实...

作者

  • 11篇李俊俏
  • 6篇李永辉
  • 6篇周维
  • 3篇陈宇
  • 2篇朱超群
  • 1篇唐翠

年份

  • 1篇2023
  • 4篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2016
  • 1篇2014
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体制冷片
本实用新型公开了半导体制冷片。半导体制冷片包括：半导体制冷组件，半导体制冷组件包括相对设置的第一绝缘导热层和第二绝缘导热层，以及位于第一绝缘导热层和第二绝缘导热层之间的半导体层，半导体层包括多个电偶对，多个电偶对串联连接...
李俊俏李永辉周维
文献传递
SiC MOSFET及其制备方法和半导体器件
本申请提供SiC MOSFET及其制备方法和半导体器件，该方法包括：提供外延层，利用第一掩膜形成阱区；利用第一掩膜和第二掩膜形成源极区；利用第三掩膜形成接触区；去除所述第三掩膜，并形成阻挡层；去除第一掩膜和第二掩膜；去除...
李俊俏李永辉周维
VDMOSFET及其制备方法和半导体器件
本申请提供了VDMOSFET及其制备方法和半导体器件，该VDMOSFET包括第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型轻掺杂漂移层、第二导电类型轻掺杂阱区、第二导电类型重掺杂接触区、第一导电类型重掺杂源极区、第二导电类型轻掺杂...
李俊俏李永辉周维
文献传递
碳化硅MOSFET及其制备方法
本发明提供了碳化硅MOSFET及其制备方法，该碳化硅MOSFET包括碳化硅衬底、第一导电类型轻掺杂外延层、第二导电类型轻掺杂外延层、接触区、源极区、栅槽、轻掺杂注入区、栅氧层、栅极、介质层、金属电极和漏极。该碳化硅MOS...
李俊俏李永辉周维
文献传递
MOSFET及制备方法、电子设备、车辆
本发明提出了MOSFET及制备方法、电子设备、车辆。该MOSFET包括：衬底，所述衬底是由SiC形成的；漂移层，所述漂移层设置在所述衬底上；栅槽，所述栅槽设置在所述漂移层中；栅极氧化层，所述栅极氧化层设置在所述栅槽的底面...
李俊俏陈宇
文献传递
一种沟槽MOSFET及其制造方法
本发明提出了一种沟槽MOSFET及其制造方法，该沟槽MOSFET包括衬底及其上形成的外延层，形成在该外延层内的沟槽及被沟槽分割的轻掺杂区，在沟槽的内表面形成有第一介质层，在沟槽内的第一介质层上形成有导电的填充层，在轻掺杂...
李俊俏唐翠朱超群陈宇
文献传递
VDMOSFET及其制备方法和半导体器件
本申请提供了VDMOSFET及其制备方法和半导体器件，该VDMOSFET包括第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型轻掺杂漂移层、第二导电类型轻掺杂阱区、第二导电类型重掺杂接触区、第一导电类型重掺杂源极区、第二导电类型轻掺杂...
李俊俏李永辉周维
VDMOS器件和用电装置
本实用新型公开了VDMOS器件和用电装置。VDMOS器件包括：衬底；外延层，外延层设置在衬底的一侧；多个间隔设置的体区，体区设置在外延层远离衬底的一侧；多个源区；第一栅氧化层，第一栅氧化层与相邻的两个体区接触设置，第一栅...
周维李永辉李俊俏
一种半导体场效应管及电子设备
本申请公开了一种半导体场效应管包括：衬底、第一漂移层、超级结结构、阱区、接触区、源极区、栅极沟槽以及栅极结构。超级结结构位于第一漂移层远离衬底一侧，超级结结构包括两个第一重掺杂区和至少一个位于第一重掺杂区之间的第二重掺杂...
周维李永辉李俊俏
碳化硅功率半导体器件
本实用新型提出了一种碳化硅功率半导体器件，通过在碳化硅外延层之上硅接触层以及在硅接触层之上形成二氧化硅栅氧层，使得硅接触层的硅与二氧化硅栅氧层的二氧化硅的晶格相匹配，能够大大减小二氧化硅栅氧层与硅接触层的界面陷阱电荷的数...
李俊俏朱超群陈宇
文献传递
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