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陈艳

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：常州天合光能有限公司更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇中文专利

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 9篇电池
  • 5篇发射结
  • 5篇N型
  • 4篇钝化
  • 4篇太阳能
  • 4篇太阳能电池
  • 3篇单晶
  • 3篇单晶硅
  • 3篇电池结构
  • 3篇直拉单晶硅
  • 3篇P型
  • 3篇掺杂
  • 2篇自对准
  • 2篇磷源
  • 2篇减反射膜
  • 2篇N型硅
  • 2篇P型掺杂
  • 1篇电池生产
  • 1篇电池效率
  • 1篇电流

机构

  • 10篇常州天合光能...

作者

  • 10篇陈艳
  • 1篇杨阳
  • 1篇冯志强
  • 1篇张学玲
  • 1篇李中兰
  • 1篇焦海军
  • 1篇张舒
  • 1篇陈奕峰
  • 1篇柳伟
  • 1篇全鹏

年份

  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 4篇2012
  • 1篇2011
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
钝化N型硅太阳能电池的P型掺杂层的方法及电池结构
本发明涉及一种钝化N型硅太阳能电池的P型掺杂层的方法及电池结构。在N型直拉单晶硅基体背面的P型发射结的非金属接触区的发射极通过磷扩散层形成浮动结，浮动结与背面金属栅线之间通过介质膜隔离，浮动结表面做钝化膜。基体正面为N型...
陈艳
自对准选择性扩散的太阳能电池形成方法
本发明公开了一种自对准选择性扩散的太阳能电池形成方法，该方法的步骤如下：（a）硅基体清洗，去除损伤层，并在硅基体的正面制绒；（b）再在硅基体正面的制绒面上采用原子层沉积法沉积三氧化二铝层，然后再在三氧化二铝层的上表面旋涂...
陈艳
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太阳能电池反向击穿的性能测试方法
本发明公开了一种太阳能电池反向击穿的性能测试方法，该方法的步骤如下：(a)得到待测的太阳能电池的实际电流电压特性曲线；(b)在太阳能电池的正负极上施加扫描电压，并持续一定时间，扫描电压中的负值为反向偏压；(c)得到太阳能...
陈艳
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自对准选择性扩散的太阳能电池形成方法
本发明公开了一种自对准选择性扩散的太阳能电池形成方法，该方法的步骤如下：（a）硅基体清洗，去除损伤层，并在硅基体的正面制绒；（b）再在硅基体正面的制绒面上采用原子层沉积法沉积三氧化二铝层，然后再在三氧化二铝层的上表面旋涂...
陈艳
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钝化N型硅太阳能电池的P型掺杂层的方法及电池结构
本发明涉及一种钝化N型硅太阳能电池的P型掺杂层的方法及电池结构。在N型直拉单晶硅基体背面的P型发射结的非金属接触区的发射极通过磷扩散层形成浮动结，浮动结与背面金属栅线之间通过介质膜隔离，浮动结表面做钝化膜。基体正面为N型...
陈艳
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扩散氧化层二次利用的太阳能电池制备方法
本发明涉及一种扩散氧化层二次利用的太阳能电池制备方法，在扩散工艺处理完之后，并不立即去除正面由于扩散所形成的硅氧化层(如BSG、PSG)，而是在该氧化层上再镀一层薄膜，以此双层膜作为后续快速去除背面结以及背扩散制背面电场...
陈艳
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非晶硅钝化N型背接触电池及其制备方法
本发明涉及一种非晶硅钝化N型背接触电池及其制备方法，该电池包括N型硅片基体，在N型硅片基体的背面具有P型掺杂层和N型非晶硅层，在P型掺杂层和N型非晶硅层上制作电极。该电池的制备方法：通过掩膜的方式在N型硅片基体的背面扩散...
陈艳
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一种在N型硅衬底上快速形成P-N结的方法
本发明涉及一种在N型硅衬底上快速形成P-N结的方法，包括以下步骤：1）硅片的前期处理；2）硼源扩散快速形成P型发射结；3）酸腐蚀液或腐蚀性浆料腐蚀单面P型发射结；4）热氧化法生成SiO<Sub>2</Sub>膜；5）酸腐...
陈艳
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一种用于汽车车顶棚提高阴影遮挡可靠性的光伏电池及其制备方法
本发明公开了一种用于汽车车顶棚提高阴影遮挡可靠性的光伏电池及其制备方法，所述光伏电池包括：一硅片衬底；扩散区层，设置于所述硅片衬底的同一表面，包括间隔的若干N型扩散区和若干P型扩散区；第一钝化层，形成于所述扩散区层上；电...
陈奕峰皮尔·威灵顿陈艳张学玲杨阳柳伟李中兰徐冠超焦海军张舒全鹏冯志强
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用叠层膜同时钝化P型和N型掺杂层的电池结构及其方法
本发明涉及光伏电池制造技术领域，特别是一种用叠层膜同时钝化P型和N型掺杂层的电池结构及其方法。以N型直拉单晶硅为基体，正面为氮化硅与二氧化硅叠层钝化的N型前表面场，背面为硼掺杂层形成的P型发射结，发射结上用氮化硅与二氧化...
陈艳
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