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熊伟

作品数:10 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 4篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 9篇约瑟夫森结
  • 6篇超导
  • 6篇超导材料
  • 4篇底电极
  • 2篇断路故障
  • 2篇双通道
  • 2篇漏电
  • 2篇漏电流
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘材料
  • 2篇覆盖层
  • 2篇尺寸
  • 2篇尺寸比
  • 1篇低功耗
  • 1篇电极
  • 1篇电容
  • 1篇对电极
  • 1篇移位寄存器
  • 1篇约瑟夫森效应
  • 1篇寄存器

机构

  • 10篇中国科学院
  • 1篇上海科技大学
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 10篇熊伟
  • 9篇应利良
  • 8篇王镇
  • 6篇任洁
  • 4篇王会武
  • 3篇张国峰
  • 2篇孔祥燕
  • 2篇张露

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2015
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种超导电路结构及其制备方法
本发明提供一种超导电路结构及其制备方法,包括:1)提供衬底,在衬底表面对应于后续要形成约瑟夫森结的位置形成应力图案结构,应力图案结构的尺寸大于约瑟夫森结的尺寸;2)在衬底表面依次形成第一超导材料层、第一绝缘材料层及第二超...
应利良熊伟张露孔祥燕任洁王镇
文献传递
应用于RSFQ超导数字电路的Nb/Al-AlOx/Nb约瑟夫森结的制备与表征
熊伟应利良
台阶区域覆盖有超导覆盖层的超导电路结构及其制备方法
本发明提供一种台阶区域覆盖有超导覆盖层的超导电路结构及其制备方法,包括:1)提供衬底,在衬底表面依次形成第一超导材料层、第一绝缘材料层及第二超导材料层的三层薄膜结构;2)分别刻蚀第二超导材料层、第一绝缘材料层及第一超导材...
熊伟应利良王会武任洁王镇
文献传递
低功耗单磁通量子异向移位寄存器
近年来,以约瑟夫森结(Josephson junction,JJ)为基础的超导单磁通量子(single flux quantum,SFQ)电路因其超高的工作频率(可高至几百GHz)和极低的功耗(可低至pW/gate)获得...
李冠群任洁熊伟应利良王镇
关键词:低功耗SFQ约瑟夫森结
一种超导电路结构及其制备方法
本发明提供一种超导电路结构及其制备方法,包括:1)提供衬底,在衬底表面对应于后续要形成约瑟夫森结的位置形成应力图案结构,应力图案结构的尺寸大于约瑟夫森结的尺寸;2)在衬底表面依次形成第一超导材料层、第一绝缘材料层及第二超...
应利良熊伟张露孔祥燕任洁王镇
台阶区域覆盖有超导覆盖层的超导电路结构及其制备方法
本发明提供一种台阶区域覆盖有超导覆盖层的超导电路结构及其制备方法,包括:1)提供衬底,在衬底表面依次形成第一超导材料层、第一绝缘材料层及第二超导材料层的三层薄膜结构;2)分别刻蚀第二超导材料层、第一绝缘材料层及第一超导材...
熊伟应利良王会武任洁王镇
文献传递
一种双通道超导连接及其制备方法
本发明提供一种双通道超导连接及其制备方法,包括:于衬底上依次制备第一超导材料层、第一绝缘材料层、第二超导材料层;刻蚀第二超导材料层和第一绝缘材料层,露出第一超导材料层;刻蚀第一、第二超导材料层,形成双通道超导连接和约瑟夫...
应利良熊伟王会武张国峰王镇
文献传递
Nb/Al-AlOx/Nb约瑟夫森结电容测试表征
超导约瑟夫森结的单位面积电容值Cs 是超导电子学器件(SQUID、SFQ、SIS 混频器、Qubit 等)的最重要的设计参数之一。在各种器件、电路设计中,由于约瑟夫森结的等离子频率ωp = 2πJc/Φ0Cs(这里Jc ...
熊伟吴禹李冠群应利良任洁彭炜王镇
Nb/Al-AlOx/Nb约瑟夫森隧道结与DC SQUID的制备
Nb/Al-AlOx/Nb隧道结是目前应用最广泛的超导约瑟夫森结之一.本文采用SNEAP(Selective Niobium Etch and Anodization Process)工艺流程,利用直流磁控溅射、反应离子...
熊伟应利良张国峰王海王镇
一种双通道超导连接及其制备方法
本发明提供一种双通道超导连接及其制备方法,包括:于衬底上依次制备第一超导材料层、第一绝缘材料层、第二超导材料层;刻蚀第二超导材料层和第一绝缘材料层,露出第一超导材料层;刻蚀第一、第二超导材料层,形成双通道超导连接和约瑟夫...
应利良熊伟王会武张国峰王镇
文献传递
共1页<1>
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