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C12A7：e-电子化合物的制备及发射性能研究: 随着真空电子技术的快速发展，阴极材料在国防和民用等领域得到了广泛的应用。12CaO·7Al2O3∶4e-(简称C12A7∶e-)作为新型阴极材料具有低工作温度、低逸出功、低蒸发率和理化性能稳定等优点得到了国内外学者的广泛...; 江浩; 关键词：阴极材料物相组成晶体质量电子结构

七铝酸十二钙电子化合物单晶的电输运及电子发射性能被引量：3: 2019年; 采用放电等离子烧结–光学悬浮区域熔炼–高温活性金属Ti还原相结合的制备方法成功获得了[Ca24Al28O64]4+:4e-(C12A7:e-)单晶体。测试了C12A7:e-的电子浓度,在800～1 100℃温度范围内测试了C12A7:e-单晶体自由生长面的热电子发射性能。结果表明:以活性金属Ti作为还原剂,在1 100℃还原30 h后,获得了接近理论电子浓度最大值(2.1×1021 cm-3)的C12A7:e-单晶,室温下的电导率达到1.96×103S/cm。在1 100℃,电压为3.5 kV时,发射电流密度达到最大值1.25 A/cm^2,平均有效逸出功为1.81 eV,表现出良好的热发射性能。; 赵吉平张忻刘洪亮肖怡新江浩张久兴; 关键词：单晶体电输运

一种高纯度拓扑绝缘体YbB6单晶体的制备方法: 一种高纯度拓扑绝缘体YbB6单晶体的制备方法属于拓扑绝缘体材料技术领域。目前，高纯度YbB6单晶的制备与研究很少，且制备工艺复杂，单晶体质量较差，纯度低，尺寸小，很难实现实际应...; 张忻刘洪亮王杨李录录江浩张久兴; 文献传递

[Ca24Al28O64]^4＋：4e^-电子化合物的制备及其电输运特性被引量：3: 2018年; 金属氧化物电子化合物[Ca_(24)Al_(28)O_(64)]^(4+):4e^-(C12A7:e^-)因其天然的纳米尺度笼腔结构带来的新奇物理化学特性而在阴极电子源材料、超导和电化学反应等领域有着独特的应用价值.本文系统研究了以CaCO_3和Al_2O_3粉末为原料,采用固相反应-放电等离子烧结-活性金属Ti还原相结合的方法制备C12A7:e^-的工艺条件及其电输运特性.实验结果表明:在封装石英管真空度为10^(-5)Pa,还原温度为1100?C,还原时间为10—30 h条件下,成功制得载流子浓度为约10^(18)—10^(20)cm^(-3)的C12A7:e^-块体材料.第一性原理计算得到的C12A7:e^-能带结构和态密度表明,笼腔内的O^(2-)完全被e-取代后,C12A7:e^-费米能级明显穿过笼腔导带,说明位于笼腔内自由运动的电子使C12A7从绝缘体转变成导体,同时费米面附近的笼腔电子易于从笼腔导带跃迁至框架导带,在电场或热场的作用下电子更容易逸出,这也是C12A7:e^-逸出功低的主要原因.; 冯琦张忻刘洪亮赵吉平江浩肖怡新李凡张久兴; 关键词：第一性原理计算电输运特性

一种电子化合物C12A7:e-单晶体的制备方法: 一种电子化合物C12A7:e‑单晶体的制备方法属于阴极材料技术领域。电子化合物C12A7:e‑因具有低的逸出功而备受关注，但迄今为止关于其单晶体的制备技术及其电子发射研究很少，...; 张久兴江浩张忻刘燕琴刘洪亮; 文献传递

一种高纯度拓扑绝缘体YbB6单晶体的制备方法: 一种高纯度拓扑绝缘体YbB6单晶体的制备方法属于拓扑绝缘体材料技术领域。目前，高纯度YbB6单晶的制备与研究很少，且制备工艺复杂，单晶体质量较差，纯度低，尺寸小，很难实现实际应...; 张忻刘洪亮王杨李录录江浩张久兴

一种电子化合物C12A7:e‑单晶体的制备方法: 一种电子化合物C12A7:e‑单晶体的制备方法属于阴极材料技术领域。电子化合物C12A7:e‑因具有低的逸出功而备受关注，但迄今为止关于其单晶体的制备技术及其电子发射研究很少，...; 张久兴江浩张忻刘燕琴刘洪亮; 文献传递

低逸出功Ce_(1-x)Gd_xB_6单晶体的制备及其热发射性能被引量：6: 2016年; 以三元稀土硼化物Ce_(1-x)Gd_xB_6为研究对象,系统研究Gd掺杂对Ce B_6阴极材料热发射性能的影响规律。采用放电等离子烧结结合光学区域熔炼法成功制备了高质量的Ce_(1-x)Gd_xB_6(x=0~0.3)单晶体。借助360度Phi扫描单晶衍射仪对生长后的单晶进行了测试,结果显示单晶质量良好。采用劳埃定向仪确定出(100)晶面,并测试了该晶面在1673 K、1773 K、1873 K下的热电子发射电流密度。测试结果表明,Ce_(0.9)Gd_(0.1)B_6成分单晶体具有最优异的热发射性能,在1873 K工作温度下,4000 V电压条件下发射电流密度达到82.3 A/cm^2,零场电流发射密度为24.70 A/cm^2,平均有效逸出功为2.30 e V,与相同条件下Ce B_6单晶体热发射性能(热发射电流密度为78.2 A/cm^2,零场电流发射密度为13.32 A/cm^2)相比,其具有更大的发射电流密度和更低的逸出功。因此,采用该制备技术获得的Ce_(1-x)Gd_xB_6单晶体具有良好的发射性能,作为热阴极材料将会有更好的应用前景。; 王杨张忻张久兴刘洪亮江浩李录录

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江浩