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SiC MOSFET开关损耗测试方法研究被引量：6: 2020年; 准确测量金属氧化物半导体场效应晶体管(metaloxide-semiconductor,MOSFET)开关损耗,是正确评估碳化硅(silicon carbide,SiC)MOSFET开关特性、优化驱动电路、降低损耗的前提。由于SiC MOSFET具有较高的开关速度,传统的双脉冲测试方法存在测量延时、高频振荡等问题,导致损耗评估这一在Si IGBT时期并不严重的问题在SiC时代更加凸显。该文首先对理想开关过程进行分析,提出一种由开关时序特征来校准测量延时的方法,并考虑到实际开关过程中寄生参数的影响,对延时校准方法进行改进;其次分析开关暂态过程中的高频振荡,提出一种计算高频振荡产生附加开关损耗的方法,在保证器件安全的前提下,通过综合开关损耗最优原则对驱动电路参数进行筛选;最后以一款自主封装的全SiC MOSFET功率模块为例,对测试方法进行评估验证,设计结果应用于一款车用驱动控制器,和相同功率等级的Si IGBT控制器进行测试对比,证明文中方法的正确性和实用性。; 郑丹张少昆李磊曹瀚范涛范涛张瑾宁圃奇; 关键词：开关损耗延时补偿振荡

一种Si IGBT和SiC MOSFET的混合电力电子模块: 一种Si IGBT和SiC MOSFET的混合电力电子模块，由上、下两个桥臂组成，每个桥臂由2个型号相同的Si IGBT芯片、1个SiC MOSFET芯片和1个Si二极管芯片并联组成。所述混合电力电子模块中的上桥臂IGB...; 曹瀚宁圃奇李磊温旭辉; 文献传递

一种功率变换器布局方法: 一种功率变换器布局方法，包括四个步骤：第一步：根据功率变换器的种类和拓扑结构确定功率变换器的基本组成部分和各个基本组成部分的三维尺寸，将各个基本组成部分抽象成立方体；第二步：确定功率变换器中基本组成部分之间的连接关系和连...; 李磊宁圃奇温旭辉张栋; 文献传递

1200V碳化硅MOSFET与硅IGBT器件特性对比性研究被引量：15: 2016年; 搭建了输出特性测试电路、漏电流测试电路、双脉冲测试电路和Buck电路,对1 200 V SiC MOSFET和Si IGBT的输出特性、漏电流、开关特性和器件损耗进行了对比研究,分析了SiC MOSFET的主要优缺点。分析结果表明,SiC MOSFET在高温条件下依然拥有稳定的阻断能力;在同样的工作条件下,SiC MOSFET损耗更小,适合在高频率、大功率场合下使用;SiC MOSFET的跨导低,导通电阻大,所以门极驱动电压需要比较大的摆幅(-5/+20 V);由于开关速度很快,SiC MOSFET对线路杂散参数更加敏感。; 李磊宁圃奇温旭辉张栋; 关键词：碳化硅漏电流 BUCK电路

SiC MOSFET和Si IGBT的结温特性及结温监测方法研究: 为了研究结温对1200V SiC MOSFET和Si IGBT输出特性、漏电流、开关特性和器件损耗的影响,搭建了输出特性测试电路、漏电流测试电路和双脉冲测试电路,并针对SiC MOSFET和Si IGBT随结温变化的不同...; 宁圃奇李磊温旭辉张栋; 关键词：绝缘栅双极型晶体管

用于磁共振成像的多域级联超分辨率模型构建方法: 本发明公开了一种用于磁共振成像的多域级联超分辨率模型构建方法。所述方法包括如下步骤：(1)模型训练数据准备和预处理；(2)构建多域级联超分辨率模型；(3)模型训练；(4)模型评估；(5)判断模型评估结果；(6)优化模型参...; 李磊杨文晖魏树峰王慧贤王铮

一种可调脉宽的双脉冲发生器: 一种可调脉宽的双脉冲发生器，其特征在于，所述的双脉冲发生器包括单脉冲发生电路、延时电路和双脉冲发生电路；单脉冲发生电路产生周期性或非周期性的单脉冲信号；单脉冲信号输入到延时电路，产生4路单脉冲信号；4路单脉冲信号输入到双...; 李磊宁圃奇孟金磊温旭辉; 文献传递

开放式磁共振成像中的电磁干扰采集方法: 本发明公开了一种开放式磁共振成像中的电磁干扰采集方法，所述方法包括如下步骤：(1)感知线圈设计制作；(2)感知线圈部署；(3)信号采集；(4)信号相关性分析；(5)判断相关性分析结果；(6)优化感知线圈部署。基于本发明，...; 李磊杨文晖魏树峰王慧贤王铮

双域仿生式多对比度超分辨率MRI模型构建方法: 本发明公开了一种双域仿生式多对比度超分辨率MRI模型构建方法。所述方法包括如下步骤：（1）构建k空间域的细胞级、组织级和器官级模块；（2）构建图像域的细胞级、组织级和器官级模块；（3）构建双域仿生式多对比度超分辨率MRI...; 李磊杨文晖魏树峰王慧贤王铮

SiC MOSFET和Si IGBT的结温特性及结温监测方法研究被引量：2: 2016年; 为了研究结温对1 200 V SiC MOSFET和Si IGBT输出特性、漏电流、开关特性和器件损耗的影响,搭建了输出特性测试电路、漏电流测试电路和双脉冲测试电路,并针对SiC MOSFET和Si IGBT随结温变化的不同表现,提出了不同的结温监测方法。通过测试发现,SiC MOSFET和Si IGBT的导通压降和漏电流随结温升高而增大;Si IGBT的开通损耗和关断损耗均随结温升高而增大,而SiC MOSFET的开通损耗随结温升高先增大后减小,关断损耗随结温升高而增大;Si IGBT的开关时间随结温变化而单调变化,而SiC MOSFET的开关时间随结温变化没有明显的变化规律。; 宁圃奇李磊温旭辉张栋; 关键词：SIC MOSFET SI IGBT 开关时间

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李磊