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朱春丹

作品数：5 被引量：2H指数：1
供职机构：青岛大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇晶体管
  • 5篇薄膜晶体
  • 5篇薄膜晶体管
  • 4篇退火
  • 4篇热退火
  • 4篇半导体
  • 3篇水性
  • 2篇低阻
  • 2篇氧化铟
  • 2篇氧化锂
  • 2篇栅电极
  • 2篇SUB
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇氧化锆
  • 1篇ZRO2
  • 1篇超薄

机构

  • 5篇青岛大学

作者

  • 5篇朱春丹
  • 4篇刘国侠
  • 4篇刘奥
  • 4篇单福凯
  • 2篇孟优

年份

  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种基于超薄氧化锂高k介电层薄膜晶体管的制备方法
本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种基于超薄氧化锂高k介电层薄膜晶体管的制备方法，选用低阻硅作为基底和栅电极，采用热退火的方式制备超薄Li<Sub>2</Sub>O栅介电层和高透过率、化学稳定性良好的In<S...
刘国侠单福凯刘奥朱春丹
文献传递
一种基于水性超薄ZrO<Sub>2</Sub>高k介电层的薄膜晶体管制备方法
本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种基于水性超薄ZrO<Sub>2</Sub>高k介电层的薄膜晶体管制备方法，结合n型氧化铟和p型氧化镍半导体沟道层制备全水性薄膜晶体管，选用低阻硅作为基底和栅电极，分别采用水...
单福凯刘国侠朱春丹刘奥孟优
文献传递
一种基于超薄氧化锂高k介电层薄膜晶体管的制备方法
本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种基于超薄氧化锂高k介电层薄膜晶体管的制备方法，选用低阻硅作为基底和栅电极，采用热退火的方式制备超薄Li<Sub>2</Sub>O栅介电层和高透过率、化学稳定性良好的In<S...
刘国侠单福凯刘奥朱春丹
文献传递
基于水性超薄ZrO2高κ介电层的薄膜晶体管的制备与研究
自20世纪平板显示技术的出现，人类进入了信息社会，人类社会因此发生了质的飞跃。平板显示的核心元件为薄膜晶体管（Thin Film Transistor, TFT），但随着科学技术的迅速发展，平板显示器件对薄膜晶体管的性能...
朱春丹
关键词：氧化锆薄膜晶体管电学性质
文献传递
一种基于水性超薄ZrO<Sub>2</Sub>高k介电层的薄膜晶体管制备方法
本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种基于水性超薄ZrO<Sub>2</Sub>高k介电层的薄膜晶体管制备方法，结合n型氧化铟和p型氧化镍半导体沟道层制备全水性薄膜晶体管，选用低阻硅作为基底和栅电极，分别采用水...
单福凯刘国侠朱春丹刘奥孟优
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