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姜帆

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:西安交通大学更多>>

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇氧化物薄膜
  • 2篇原子
  • 2篇原子数
  • 2篇基片
  • 2篇硅基
  • 2篇硅基片
  • 2篇非晶
  • 2篇非晶薄膜
  • 1篇导电
  • 1篇导电能力
  • 1篇电能
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子浓度
  • 1篇退火
  • 1篇SUB

机构

  • 2篇西安交通大学

作者

  • 2篇张丹
  • 2篇李雁淮
  • 2篇宋忠孝
  • 2篇刘晓婷
  • 2篇姜帆

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2016
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
一种N<Sub>2</Sub>处理的非晶IGZO透明氧化物薄膜及其制备方法
一种N<Sub>2</Sub>处理的非晶IGZO透明氧化物薄膜及其制备方法,该制备方法包括:1)在生长有SiO<Sub>2</Sub>的Si基片上溅射IGZO非晶薄膜,得到生长有IGZO非晶薄膜的硅基片;2)将生长有IG...
宋忠孝李雁淮李怡雪张丹刘晓婷姜帆
文献传递
一种N2处理的非晶IGZO透明氧化物薄膜及其制备方法
一种N<Sub>2</Sub>处理的非晶IGZO透明氧化物薄膜及其制备方法,该制备方法包括:1)在生长有SiO<Sub>2</Sub>的Si基片上溅射IGZO非晶薄膜,得到生长有IGZO非晶薄膜的硅基片;2)将生长有IG...
宋忠孝李雁淮李怡雪张丹刘晓婷姜帆
文献传递
共1页<1>
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