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龙衡

作品数：27 被引量：0H指数：0
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 27篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 8篇量子
  • 8篇激光
  • 7篇PUF
  • 5篇子密钥
  • 5篇量子密钥
  • 5篇量子密钥分配
  • 5篇密钥分配
  • 4篇电路
  • 4篇脉冲
  • 4篇脉冲激光
  • 4篇窥探
  • 4篇剂量率
  • 4篇剂量率效应
  • 3篇氮化
  • 3篇氮化镓
  • 3篇电路板
  • 3篇短波长
  • 3篇石墨
  • 3篇石墨烯
  • 3篇伽马射线

机构

  • 27篇中国工程物理...

作者

  • 27篇张健
  • 27篇龙衡
  • 27篇李沫
  • 22篇李倩
  • 22篇陈飞良
  • 19篇孙鹏
  • 19篇代刚
  • 12篇姚尧
  • 10篇高铭
  • 5篇王文杰

年份

  • 2篇2023
  • 2篇2019
  • 4篇2018
  • 8篇2017
  • 11篇2016
共 27 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
硅基半导体晶体管的激光模拟辐射剂量率效应试验方法
本发明涉及一种硅基半导体晶体管的激光模拟辐射剂量率效应试验方法，该方法的步骤为：1）选取同批次同型号的硅基半导体晶体管至少三个，进行开封预处理，作为待测半导体晶体管；2）测试待测半导体晶体管功能正常；3）焊接测试电路板，...
孙鹏李沫龙衡陈飞良李倩代刚张健
一种双波长脉冲激光辐射剂量率效应模拟系统
本发明公开了一种双波长脉冲激光辐射剂量率效应模拟系统，该系统包括双波长脉冲激光产生系统、脉冲激光双光路能量衰减与调节系统、测试与控制系统；本发明可同时产生532nm和1064nm的脉冲激光，并引入到双光路衰减和调节系统，...
孙鹏龙衡陈飞良李倩李沫代刚张健
文献传递
一种基于光学PUF的量子安全认证系统
本实用新型针对现有PUF认证系统存在的问题，提出一种基于光学PUF的量子安全认证系统，该系统使用高度衰减后的相干光或者单光子源作为光源，还设置有空间光调制器一、PUF、空间光调制器二、透镜、针孔、探测器、计算机，利用空间...
龙衡李沫孙鹏姚尧陈飞良李倩高铭代刚张健
文献传递
一种基于多点函数拟合的波前反馈控制的方法
本发明公开了一种基于多点函数拟合的波前反馈控制的方法，属于安全认证技术以及光学成像技术领域；本发明针对现有波前反馈控制算法收敛速度慢的问题，提出一种基于多点函数拟合的波前反馈控制算法，采用多点函数拟合的方法来获得当前调制...
龙衡李沫孙鹏姚尧陈飞良李倩代刚张健
文献传递
一种双波长脉冲激光辐射剂量率效应模拟系统
本发明公开了一种双波长脉冲激光辐射剂量率效应模拟系统，该系统包括双波长脉冲激光产生系统、脉冲激光双光路能量衰减与调节系统、测试与控制系统；本发明可同时产生532nm和1064nm的脉冲激光，并引入到双光路衰减和调节系统，...
孙鹏龙衡陈飞良李倩李沫代刚张健
基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法和氮化镓激光器
本发明涉及一种在石墨烯上基于原子层沉积氮化铝的氮化镓的生长方法和氮化镓激光器，该方法包括如下步骤：S1 将铜衬底抛光、清洗；S2 在铜衬底上制备石墨烯层；S3 利用原子层沉积法在石墨烯层上生长一层氮化铝薄层；S4 在氮化...
王文杰李俊泽龙衡李沫张健
文献传递
一种基于光学PUF的量子安全认证系统
本发明针对现有PUF认证系统存在的问题，提出一种基于光学PUF的量子安全认证系统，该系统使用高度衰减后的相干光或者单光子源作为光源，利用空间光调制器对入射光波前进行调制获得大量的激励-响应对，确保了认证系统的信息量和安全...
龙衡李沫孙鹏姚尧陈飞良李倩高铭代刚张健
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一种可重构并防窥探的光学PUF
本实用新型公开了一种可重构并防窥探的光学PUF，包括衬底、生长于衬底上的介质纳米颗粒层以及在介质纳米颗粒层中随机掺杂的不同粒径的金属纳米粒子；本实用新型采用在介质纳米粒子散射层中掺杂了不同粒径的金属纳米粒子，利用不同尺寸...
李倩陈飞良李沫龙衡姚尧孙鹏高铭代刚张健
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一种新型防窥探发光示警光学PUF
本发明公开了一种新型防窥探发光示警光学PUF，其结构包括衬底，生长在衬底上的光学PUF介质层，可嵌埋在衬底或光学PUF介质层中的长余辉发光材料，以及将衬底、光学PUF介质层和长余辉发光材料封装在内部的不透明盒子；本发明通...
李倩李沫陈飞良龙衡姚尧孙鹏高铭代刚张健
文献传递
一种氮化物外延片的生长方法及氮化镓激光器
本发明涉及一种氮化物外延片的生长方法及氮化镓激光器，该方法包括如下步骤：S1将铜衬底抛光、清洗；S2在铜衬底上生长石墨烯层；S3将铜衬底上生长的石墨烯层转移到目标衬底上；S4利用原子层沉积法在石墨烯层上生长氮化铝薄层；S...
王文杰龙衡李俊泽李沫张健
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