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宋宇

作品数:21 被引量:15H指数:1
供职机构:中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信航空宇航科学技术核科学技术更多>>

文献类型

  • 17篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 5篇自动化与计算...
  • 4篇电子电信
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇核科学技术

主题

  • 8篇半导体
  • 8篇半导体器件
  • 6篇剂量率
  • 6篇辐照损伤
  • 5篇剂量率效应
  • 4篇电荷
  • 4篇控温装置
  • 3篇载流子
  • 3篇陶瓷外壳
  • 3篇界面态
  • 3篇激光
  • 3篇辐照
  • 2篇电流模型
  • 2篇多层结构
  • 2篇氧化层
  • 2篇氧化硅薄膜
  • 2篇质谱
  • 2篇平带电压
  • 2篇热刺激
  • 2篇自由载流子

机构

  • 21篇中国工程物理...
  • 4篇中国工程物理...
  • 1篇电子科技大学

作者

  • 21篇宋宇
  • 21篇代刚
  • 14篇张健
  • 14篇李沫
  • 3篇宋宇
  • 3篇孙鹏
  • 2篇冯晓龙
  • 2篇代刚
  • 2篇梁堃
  • 2篇解磊
  • 1篇施志贵
  • 1篇李顺
  • 1篇徐星亮
  • 1篇张林
  • 1篇李鸿亮

传媒

  • 1篇辐射研究与辐...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学
  • 1篇太赫兹科学与...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 7篇2018
  • 4篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
21 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
剂量率切换辐照加速方法适用性的数值评估
2017年
为进行剂量率切换辐照加速方法适用性的数值评估,基于定量损伤物理模型和剂量率切换加速方法实验测试条件,以氢浓度、初始缺陷浓度和温度为变量,对金属绝缘层半导体(Metal insulator semiconductor,MIS)结构进行了系统的数值模拟。结果表明,剂量率切换辐照加速方法的适用性对双极器件氧化层内的氢浓度及缺陷浓度有很强的依赖。因此,剂量率切换加速方法的实验可能对部分器件和电路不再适用。
张修瑜冯晓龙李鸿亮宋宇代刚
关键词:数值模拟
半导体器件辐射电离效应的激光模拟方法被引量:14
2015年
因对半导体器件进行安全、快捷、无损伤的辐射效应研究及验证的迫切需求,激光模拟辐射电离效应方法应运而生,并得到了国外科研界的推动和认可。相比于大型地面辐射模拟装置,激光模拟方法具有许多独特优势,可为深入认识半导体器件辐射效应,开展有针对性的抗辐射加固设计提供重要的补充手段,其研究在理论和应用方面均具有重要意义。本文简要叙述了γ射线、激光与半导体器件相互作用产生电离效应的主要机理,归纳了激光模拟的物理基础和主要特点,总结了国内外发展的情况,深入分析了当前研究存在的问题,并提出了开展研究可以采取的手段和方法。最后展望了未来值得进一步探索的研究内容和方向。
李沫孙鹏宋宇宋宇代刚
关键词:半导体器件
一种提高多层结构二次离子质谱深度分辨率的系统和方法
本发明公开了一种提高多层结构二次离子质谱深度分辨率的系统和方法,该系统包括一次离子源、惰性元素离子源、坑深测量仪、二次离子质谱仪、离子信号检测仪等部分。使用脉冲工作模式的惰性元素离子束刻蚀去除多层结构的已测试层,既避免刻...
杨萍董鹏宋宇张光辉李沫代刚张健
文献传递
一种便携式的半导体器件加热控温装置
本实用新型公开了一种便携式的半导体器件加热控温装置,包括加热单元、控温单元和计算机,加热单元与控温单元之间通过远程控制线缆连接,控温单元与计算机之间通过数据通讯线缆连接;所述加热单元包括样品台和加热底座,加热底座上安装有...
罗佳侯世尧周航宋宇张莹陈喆代刚
文献传递
一种半导体器件的氧化层中陷阱能级分布的测量方法
本发明提供一种半导体器件的氧化层中陷阱能级分布的测量方法,基本原理是:首先,通过可见光照射衬底激发自由载流子,同时施加一定电压将载流子注入二氧化硅层中,被陷阱能级俘获;然后,通过线性升温的方法将被陷阱俘获的束缚载流子重新...
张光辉董鹏宋宇杨萍李沫代刚张健
一种用于半导体器件剂量率效应实验的精密控温装置
本发明公开了一种用于半导体器件剂量率效应实验的精密控温装置,用于高温高剂量环境下的半导体器件辐照损伤实验,在大幅缩减辐照时间的情况下,达到模拟低剂量率损伤增强实验的目的;该精密控温装置包括耐高温结构陶瓷外壳、耐高温结构陶...
张莹侯世尧宋宇周航罗佳代刚
一种半导体器件辐射剂量率效应激光模拟系统
本发明公开了一种半导体器件辐射剂量率效应激光模拟系统,本发明属于半导体器件辐射效应研究领域。该模拟系统包括脉冲激光产生与调节系统、测试系统和控制系统。本发明利用聚焦物镜和激光扩束镜调节激光光斑尺寸,通过三轴精密运动平台控...
孙鹏李沫代刚宋宇李俊焘解磊梁堃张健
文献传递
硅双极器件ELDRS效应机理的研究进展被引量:1
2016年
低剂量率辐射损伤增强效应(ELDRS)的发现引起了国际航天领域的关注。本文介绍了双极器件的辐照响应,综述了自1991年发现双极器件具有ELDRS效应二十多年以来ELDRS效应机理研究取得的主要成果,分析了未来可能的研究方向。调研发现,机理研究主要聚焦在Si/SiO2界面处,建立工艺与界面特性的关联对于抑制ELDRS效应极具参考价值。
张修瑜代刚宋宇
关键词:双极器件低剂量率辐射损伤增强效应
基于氧沉淀抑制位移辐照损伤的直拉硅衬底及其制备方法
本发明公开了基于氧沉淀抑制位移辐照损伤的直拉硅衬底及其制备方法:该衬底材料包括靠近表面的无氧沉淀洁净区和洁净区下方的氧沉淀区,作为位移辐照诱生空位与间隙硅的复合中心,从而有效地抑制位移辐照损伤;该方法是对硅衬底材料进行快...
杨萍董鹏余学功宋宇李沫代刚张健
文献传递
一种半导体器件辐射剂量率效应激光模拟系统
本发明公开了一种半导体器件辐射剂量率效应激光模拟系统,本发明属于半导体器件辐射效应研究领域。该模拟系统包括脉冲激光产生与调节系统、测试系统和控制系统。本发明利用聚焦物镜和激光扩束镜调节激光光斑尺寸,通过三轴精密运动平台控...
孙鹏李沫代刚宋宇李俊焘解磊梁堃张健
文献传递
共3页<123>
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