胡磊
- 作品数：20 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中北大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山西省青年科技研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术文化科学更多>>
- 基于压电效应的MEMS同振型球形振子矢量水听器
- 本实用新型公开了一种基于压电效应的MEMS同振型球形振子矢量水听器，包括框型基座、横梁、环形连接体、球形聚乙烯拾振单元、PZT压电薄膜；所述球形聚乙烯拾振单元固定于环形连接体上，环形连接体通过横梁连接于框型基座的中心处，...
- 徐方良穆继亮丑修建石树正胡磊张辉何剑耿文平侯晓娟薛晨阳张文栋
- 文献传递
- 摩擦-压电-磁电复合式三维空间多自由度微能源采集器
- 本发明涉及对机械能的能量采集技术，具体为一种摩擦-压电-磁电复合式三维空间多自由度微能源采集器，由外至内依次包含电磁感应线圈、外球壳、缓冲层、压电层、摩擦层、内球壳和磁铁球。各线圈之间采用串联方式连接；外球壳与压电层之间...
- 何剑薛晨阳丑修建穆继亮韩建强张文栋王二伟张增星温涛胡磊
- AZ4620光刻胶掩膜的氮化硅图形化工艺被引量：1
- 2017年
- 以薄膜体声波谐振器(FBAR)的背腔刻蚀为研究背景,研究了光刻工艺参数设置与光刻图形转移效果的关系。分析了紫外曝光剂量大小对光刻图形面积和边角曲率的影响,优化得到最佳工艺流程,以AZ4620光刻胶为掩膜实现了氮化硅的湿法刻蚀。实验结果表明,曝光剂量为60 mJ、显影时间60 s时,曝光图形化质量最佳;随着氮化硅刻蚀液温度的升高,湿法刻蚀速率不断增大,温度过高导致光刻胶被破坏而不能起到掩膜作用,60℃时刻蚀速率为109.5 nm/min,得到了边线规整、底部平整的微结构。刻蚀后表面分子喇曼位移为单晶硅的波峰(519.354 cm^(-1)),证实氮化硅被完全去除,为氮化硅作掩膜的单晶硅湿法刻蚀提供了一种有效途径。
- 胡磊石树正高翔何剑穆继亮丑修建
- 关键词：掩膜湿法刻蚀刻蚀速率
- 摩擦‑压电‑磁电复合式三维空间多自由度微能源采集器
- 本发明涉及对机械能的能量采集技术，具体为一种摩擦‑压电‑磁电复合式三维空间多自由度微能源采集器，由外至内依次包含电磁感应线圈、外球壳、缓冲层、压电层、摩擦层、内球壳和磁铁球。各线圈之间采用串联方式连接；外球壳与压电层之间...
- 何剑薛晨阳丑修建穆继亮韩建强张文栋王二伟张增星温涛胡磊
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- 基于压阻效应的MEMS同振型球形振子矢量水听器
- 本发明公开了一种基于压阻效应的MEMS同振型球形振子矢量水听器，包括框型基座，所述框型基座上的四条边分别通过横梁连接环形连接体，所述环形连接体上安装球形拾振单元，所述球形拾振单元的密度为1g/cm<Sup>3</Sup>...
- 丑修建穆继亮徐方良高翔胡磊石树正耿文平薛晨阳
- 基于压电效应的MEMS同振型球形振子矢量水听器
- 本发明公开了一种基于压电效应的MEMS同振型球形振子矢量水听器，包括框型基座、横梁、环形连接体、球形聚乙烯拾振单元、PZT压电薄膜；所述球形聚乙烯拾振单元固定于环形连接体上，环形连接体通过横梁连接于框型基座的中心处，每根...
- 穆继亮丑修建徐方良胡磊张辉石树正何剑耿文平侯晓娟薛晨阳张文栋
- 文献传递
- 基于气相TMAH的硅刻蚀系统
- 本发明公开了一种基于气相TMAH的硅刻蚀系统，包括：控制系统、传送系统、刻蚀系统和水冷系统；其中，水冷系统用于冷凝TMAH气体；刻蚀系统用于产生TMAH气体以及输送刻蚀气体至刻蚀腔体刻蚀硅片，刻蚀硅片时刻蚀腔内使用的温度...
- 丑修建徐方良何剑穆继亮耿文平侯晓娟薛晨阳胡磊高翔石树正
- 基于压阻效应的MEMS同振型球形振子矢量水听器
- 本发明公开了一种基于压阻效应的MEMS同振型球形振子矢量水听器，包括框型基座，所述框型基座上的四条边分别通过横梁连接环形连接体，所述环形连接体上安装球形拾振单元，所述球形拾振单元的密度为1g/cm<Sup>3</Sup>...
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- 基于压电效应的MEMS同振型球形振子矢量水听器
- 本发明公开了一种基于压电效应的MEMS同振型球形振子矢量水听器，包括框型基座、横梁、环形连接体、球形聚乙烯拾振单元、PZT压电薄膜；所述球形聚乙烯拾振单元固定于环形连接体上，环形连接体通过横梁连接于框型基座的中心处，每根...
- 穆继亮丑修建徐方良胡磊张辉石树正何剑耿文平侯晓娟薛晨阳张文栋
- 基于气相TMAH的硅刻蚀系统
- 本发明公开了一种基于气相TMAH的硅刻蚀系统，包括：控制系统、传送系统、刻蚀系统和水冷系统；其中，水冷系统用于冷凝TMAH气体；刻蚀系统用于产生TMAH气体以及输送刻蚀气体至刻蚀腔体刻蚀硅片，刻蚀硅片时刻蚀腔内使用的温度...
- 丑修建徐方良何剑穆继亮耿文平侯晓娟薛晨阳胡磊高翔石树正
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